周本初
- 作品数：10 被引量：0H指数：0
- 供职机构：吉林大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- 光辅助MOCVD法制备Y2O3薄膜及其结晶性质分析
- 三氧化二钇(Y_2O_3)具有优良的物理和化学性能,Y_2O_3薄膜是倍受关注的高温涂层材料,如它具有很好的高温阻碳阻氧功能。Y_2O_3薄膜晶粒排列的微观状态是影响其实用性能的一个重要因素。本文采用光辅助MOCVD法,...
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- 光辅助MOCVD技术制备YBCO和GdBCO外延膜中厚度与临界电流特性
- 提高ReBaCuO7-x超导临界电流的一个简单方法就增加外延膜厚度.然而许多报道中提到多种方法的实验中获得了随着厚度的增加其超导临界电流密度(Jc)却出现显著下降的现象.本文采用光辅助金属有机化学气相沉积(Photo-a...
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- 以光辅助MOCVD法制备1″双面YBa2Cu3O7-x外延膜
- 大面积双面YBaCuO(YBCO)外延膜是制备超导微波滤波器的基础材料。目前用来制备大面积双面YBCO外延膜的方法主要有磁控溅射法、脉冲激光沉积法、多源共蒸发法、MOD法及MOCVD法等。其中MOCVD法制备外延膜与其他...
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- 文献传递
- 以光辅助MOCVD法在有取向Ni衬底及LAO单晶衬底上制备YBCO外延膜的比较研究
- 2013年
- 采用光辅助金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法,在生长有CeO2/YSZ/Y2O3(YSZ为Y稳定的ZrO2)缓冲层的双轴取向Ni衬底上进行了YBa2Cu3O7-x(YBCO)外延膜生长,并与LaAlO3(100)[LAO(100)]单晶衬底上的YBCO外延膜生长进行了对比.发现在Ni衬底上c轴取向YBCO外延膜的生长温度比LAO衬底上的生长温度低约30℃,但生长速度更快.经分析认为,这种差别主要是由于Ni衬底的热导率比LAO衬底高造成的.Ni衬底及LAO衬底上生长的c轴取向YBCO外延膜的超导极限电流密度(Jc)分别约为0.5 MA/cm2及1.8 MA/cm2.
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- 衬底旋转改善光辅助MOCVD法制备1英寸YBCO外延膜均匀性的初步研究
- 单一倾斜进气口光辅助MOCVD，在未旋转1”LAO衬底上制备纯c轴向YBCO外延膜时，厚度差异很大。衬底旋转后，得到厚度差异在10％以内的厚膜(～1.5μm)和薄膜(-0.6μm)。XRD 20-scan显示无YBCO(...
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- 文献传递
- 衬底温度对光辅助MOCVD法制备CeO2/LAO薄膜面外取向的影响
- 氧化铈(CeO_2)薄膜可用于高温超导膜缓冲层,电致变色层,稀土发光等。各种应用中CeO_2薄膜内部晶粒尺度和排列取向对薄膜性质有显著的影响。本文采用光辅助MOCVD法在LaAlO_2(LAO)(100)单晶衬底上,通过...
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- 用于制备YBCO薄膜的光辅助MOCVD反应器内流动现象的数值研究
- 2011年
- 对一种制备YBCO薄膜的光辅助MOCVD反应器内的流动现象进行了三维数值模拟研究。在模拟计算中,分别改变基座与进口的相对角度(Φ)、反应器顶壁倾斜角度(Ψ),得出反应器中流场的相应变化。根据对模拟结果的分析,发现当基座平面与进气口轴线之间的夹角Φ=22.5°及反应器顶壁倾角Ψ=30°时,基片表面气流速度大小合适,分布均匀,且回流涡旋得到抑制,反应器内的流场较适合YBCO薄膜生长。
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- 关键词：MOCVDYBCO流场
- MOCVD法生长YBCO薄膜典型形貌及成因分析
- 使用各种方法在LaAlO(100)衬底上生长高温超导体YBaCuO(YBCO)薄膜,常见有两种不同的取向(a轴取向和c轴取向),他们具有不同表面形貌。本文使用光辅助MOCVD法,在不同的衬底温度下获得了这两种取向YBCO...
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- 文献传递
- 光辅助MOCVD法制备表面无杂质颗粒的YBCO外延膜
- MOCVD法制备的YBa_2Cu_3O_(7-x)(YBCO)外延膜表面普遍存微米量级的杂质颗粒[1,2,3],如图1a所示。显然,这些杂质颗粒的存在会影响多层膜的生长及超导器件的制作,因此,对表面颗粒进行去除的研究非常...
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- 以光辅助MOCVD三次生长法制备YBCO双面外延膜
- 李善文杨皓宇李国兴李万程张宝林杜国同周本初
