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孟令款

作品数：77 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 74篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇核科学技术

主题

  • 48篇刻蚀
  • 23篇半导体
  • 22篇掩模
  • 18篇半导体器件
  • 16篇光刻
  • 11篇纳米
  • 11篇纳米线
  • 10篇氮化硅
  • 10篇粗糙度
  • 9篇电子束光刻
  • 9篇线条
  • 9篇硅薄膜
  • 8篇氮化硅薄膜
  • 8篇深孔
  • 8篇介质材料
  • 8篇侧墙
  • 7篇图案
  • 7篇驱动电流
  • 7篇阀值电压
  • 6篇氮化

机构

  • 77篇中国科学院微...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 77篇孟令款
  • 21篇闫江
  • 16篇李春龙
  • 16篇贺晓彬
  • 14篇徐秋霞
  • 12篇殷华湘
  • 11篇李俊峰
  • 10篇陈大鹏
  • 7篇洪培真
  • 6篇赵超
  • 5篇杨涛
  • 4篇许高博
  • 4篇陈广璐
  • 3篇叶甜春
  • 3篇李俊杰
  • 2篇韦亚一
  • 2篇朱慧珑
  • 2篇崔虎山
  • 1篇丁明正
  • 1篇刘鹏

传媒

  • 1篇半导体光电
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2021
  • 5篇2019
  • 10篇2018
  • 8篇2017
  • 15篇2016
  • 3篇2015
  • 24篇2014
  • 6篇2013
  • 5篇2012
共 77 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种与CMOS工艺兼容的电介质纳米结构制备方法
本发明提供了一种与CMOS工艺兼容的电介质纳米结构制备方法，包括以下步骤：在目标电介质材料上形成硬掩模材料层；采用光刻技术，在所述硬掩模材料层上形成光刻图形；将所述光刻图形作为掩模，采用干法刻蚀技术刻蚀所述硬掩模材料层,...
孟令款闫江
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定向自组装模板转移方法
本申请提供了一种定向自组装模板转移方法。该方法包括以下步骤：在衬底上形成苯乙烯‑碳酸酯嵌段共聚物层并进行定向自组装，以使苯乙烯‑碳酸酯嵌段共聚物层形成垂直的相分离，得到自组装模板，自组装模板包括由聚苯乙烯构成的第一区域以...
张宝林韦亚一孟令款张正平
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氮化硅高深宽比孔的刻蚀方法
本发明氮化硅薄膜高深宽比孔的刻蚀方法，首先将已经形成半导体所需图形的氮化硅薄膜的半导体器件放入刻蚀腔体内，然后采用干法等离子体工艺，通入高碳链分子碳氟基气体、氧化性气体、稀释性气体、含氢碳氟基气体，加上射频功率，激发出等...
孟令款
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降低电子束光刻时光刻胶粗糙度的方法
本发明公开了一种降低电子束光刻时光刻胶粗糙度的方法，包括：在衬底上形成结构材料层和第一硬掩模层；在第一硬掩模层上形成第二硬掩模层；在第二硬掩模层上形成电子束光刻胶图形；以电子束光刻胶图形为掩模，刻蚀第二硬掩模层形成第二硬...
孟令款贺晓彬李春龙
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半导体器件制造方法
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上的层间介质层中刻蚀形成多个第一开口；在多个第一开口中形成开口修饰层；刻蚀开口修饰层，直至暴露衬底，形成多个第二开口，其中第二开口的深宽比大于第一开口的深宽比。依照本发明的...
孟令款
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后栅工艺中假栅极制造方法
本发明公开了一种后栅工艺中假栅极制造方法，包括：在衬底上依次形成栅极介质层、第一假栅极层；在第一假栅极层上形成硬掩模层；在硬掩模层上形成第二假栅极层；在第二假栅极层上形成第一掩模图案；以第一掩模图案为掩模，刻蚀第二假栅极...
李春龙李俊峰闫江孟令款贺晓彬陈广璐赵超
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一种纳米线结构、围栅纳米线器件及其制造方法
本发明提供一种围栅纳米线器件的制造方法，包括：提供衬底；在衬底上形成纳米线，纳米线的两端由衬垫支撑；形成包围纳米线的栅极，在栅极两侧形成侧墙；在栅极两侧的纳米线上外延生长源漏外延层，并进行掺杂，以形成源漏区。该方法通过对...
孟令款闫江
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半导体器件制造方法
一种半导体器件制造方法，包括：在包含半导体结构的衬底上依次形成线条叠层、硬掩模叠层，所述硬掩模叠层包括至少一个第一硬掩模层和至少一个第二硬掩模层，所述第一硬掩模层包含硅基绝缘材料，所述第二硬掩模层包含非硅基绝缘材料；在硬...
孟令款
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氮化硅高深宽比孔的循环刻蚀方法
一种氮化硅薄膜高深宽比孔的循环刻蚀方法，步骤一通过干法等离子体工艺采用碳氟基气体进行氮化硅薄膜的刻蚀并形成孔，同时生成聚合物沉积在所述孔的底部及侧壁；步骤二再向刻蚀腔体内通入氧化性气体及稀释性气体，既可控制深孔侧壁上的碳...
孟令款
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半导体器件制造方法
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成栅极堆叠结构；在衬底以及栅极堆叠结构上沉积介质材料层；执行主刻蚀，刻蚀介质材料层形成侧墙，并在衬底上留有介质材料层的残留；执行过刻蚀，去除介质材料层的残留。依照本发明...
孟令款
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