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樊爱香

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

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  • 2篇雪崩光电二极...
  • 2篇光电
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  • 2篇二极管
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  • 1篇INGAAS...
  • 1篇波长
  • 1篇长波
  • 1篇长波长

机构

  • 2篇中国科学院

作者

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  • 2篇胡春阳
  • 2篇孙捷
  • 2篇李锋
  • 2篇樊爱香
  • 2篇夏彩虹
  • 2篇王树堂
  • 1篇白金花

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇1991
  • 1篇1990
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
低漏电高增益InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管
1990年
根据器件结构的优化设计,严格控制生长参数以及理想的器件制备工艺获得了低漏电高增益InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管。测量了百余支器件,0.9V_b下漏电流I_d<20nA;响应度～(0.7—0.8)mA/mW,最大倍增30—85(入射光波长1.3μm,功率1.6μW),参与倍增的暗电流l_(dm)最小可达0.25nA。
王树堂曾靖李锋胡春阳夏彩虹孙捷樊爱香
关键词：雪崩二极管INGAAS
InGaAs/InGaAsP/InP长波长雪崩光电二极管研究被引量：1
1991年
研制了高速、高效、低噪声的InGaAs/InGaAsP/InP长波长(1.0～1.7μm)台面型雪崩光电二极管(φ=75μm),器件采用分离的吸收区、雪崩区和能隙过渡区的SAGM结构。研究了器件最佳结构参数设置、在InP上匹配生长InGaAs、InGa AsP及其厚度和载流子浓度的控制问题。器件最大倍增因子大于50,灵敏度大于0.70μA/μW,暗电流I_D的典型值约为20nA(V_r=0.9V_B)。
李锋王树堂曾靖樊爱香夏彩虹孙捷胡春阳白金花陈心敏
关键词：光电二极管
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