胡永贵
- 作品数：54 被引量：60H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：模拟集成电路重点实验室基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程航空宇航科学技术自动化与计算机技术更多>>
- 增加击穿电压的半导体结构及制造方法
- 本发明涉及一种增加击穿电压的半导体结构及制造方法。本发明结构非常简单，包括半导体材料、主扩散结、耐压层、耗尽终止区和介质层共5个部分。其中，主扩散结、耐压层、耗尽终止区都处于半导体材料中，主扩散结和耐压层的导电类型与半导...
- 谭开洲刘勇胡永贵欧宏旗唐昭焕
- 文献传递
- 一种同步降压型DC-DC转换器驱动电路设计被引量：4
- 2014年
- 设计了一种适用于同步整流降压型DC-DC转换器的驱动电路,包含电平移位、死区时间控制及过零检测等模块。分析了电路整体及各个模块的结构和工作原理,并基于0.35μm BCD工艺模型库,通过Cadence Spectre进行仿真验证。仿真结果表明,本电路可以有效地控制死区时间,抑制反向电流,提高转换器的效率。
- 苏丹胡永贵徐辉
- 关键词：驱动电路电平移位死区时间过零检测
- 一种高PSRR无电阻带隙基准源被引量：3
- 2017年
- 设计了一种高电源抑制比(PSRR)、低温漂的无电阻带隙基准源。在传统无电阻带隙基准电压源的基础上引入反馈环路,实现了对电压的箝制,减小了沟道长度调制效应和失调电压,提高了带隙基准源的PSRR。引入正温度补偿电路,减小了带隙基准源的温度系数。采用TSMC 0.18μm CMOS工艺对电路进行了仿真。结果表明,在3 V工作电压下,在低频下带隙基准源的PSRR为-65 d B,在-25℃~125℃温度范围内的温度系数为3.72×10^(-5)/℃。
- 秦少宏胡永贵胡云斌青旭东周勇钟黎
- 关键词：反馈环路电源抑制比
- 一种用于负LDO稳压器的高精度带隙基准源被引量：2
- 2006年
- 介绍了一种高精度带隙基准电路结构。采用二阶曲率补偿技术,通过增加一正温度系数项,补偿电路中Vbe(T)展开的负温度系数对数项,改善了基准电压源的温度稳定性。应用该基准电路,设计了一个负输出低压差(LDO)线性稳压器,用高压BIPIC工艺进行流片。测试结果显示,该负LDO线性稳压器的温度系数为85 ppm/℃,线性调整率≤0.02%/V,负载调整率≤0.2%。
- 李红宝胡刚毅胡永贵余金峰
- 关键词：曲率补偿
- 一种超低压差线性稳压器的设计被引量：5
- 2013年
- 介绍了一种最大输出电流为300mA的超低压差电压调整器。通过优化误差放大器和反馈电阻网络,以及选择合适的功率管尺寸等措施,有效降低了电压调整器的压差,提高了电压调整器的性能。基于BCD350工艺,对电路进行仿真。结果表明,当输出电流为100mA时,该LDO的压差仅为27mV。
- 张皓博胡永贵李思颖丁大胜汤洁丁锋王坤
- 关键词：低压差误差放大器
- E/D NMOS基准电压源及低压差电压调整器
- 本实用新型提供一种E/D NMOS基准电压源及低压差电压调整器，在所述E/D NMOS基准电压源中，无论外加的电源电压如何变化，通过基于N沟道结型场效应管的预基准源电路能将预基准输出电压稳定为固定值，预基准输出电压的范围...
- 胡永贵
- 文献传递
- 一种基于2μm互补双极CMOS工艺的低压降调整器
- 2007年
- 采用先进的2μm互补双极CMOS工艺,研制出一种高精度双路低压差线性调整器(LDO)。该电路具有使能控制、误差输出、过温保护、短路保护等功能,只需外接一个0.47μF的瓷介电容,即可实现稳定工作;简化了外围设计,降低了成本,提高了应用的可靠性。
- 谢正旺李荣强刘勇胡永贵许云
- 关键词：模拟集成电路
- 带电压前馈的固定充放电时间锯齿波振荡器被引量：1
- 2018年
- 设计了一种用于降压型DC-DC开关电源转换器的锯齿波振荡器。利用电压前馈方法和固定充放电时间方法,实现了锯齿波幅度随电源电压线性变化且频率固定的锯齿波振荡器,抑制了电源电压突变时的输出电压过冲。基于0.18μm BCD工艺进行设计和仿真。仿真结果表明,该锯齿波振荡器产生的锯齿波频率为2.73MHz。在2.7～5.5V电源电压、-55℃～125℃温度范围内,频率偏移在±6%以内。振荡幅度在0.576～1.470V范围内随电源电压线性变化。
- 罗凯熊派派王菡彭克武陈波刘文韬杨丰胡永贵
- 关键词：锯齿波电压前馈
- 功率VDMOS器件的ESD瞬态模型被引量：2
- 2008年
- 基于对功率VDMOS器件ESD保护及初始条件的分析,建立了VDMOS器件的ESD保护等效电路,分析了ESD响应过程,得到功率VDMOS器件的ESD瞬态模型.分析结果表明,该模型准确地描述了功率VDMOS器件的ESD瞬态放电过程,解决了以往模型中初始条件分析不足等问题.借助该模型,获得ESD器件的等效电阻和击穿电压、VDMOS的栅极输入电阻、栅源电容、栅氧厚度等与功率VDMOS器件抗ESD能力的关系,为功率VDMOS器件的抗ESD保护设计提供重要指导.
- 李泽宏周春华胡永贵刘勇张波徐世六
- 关键词：VDMOSESD等效电路
- P-bar保护环及其在LDO电路设计中的应用
- 介绍了一种少子保护环结构，该结构由基区扩散条构成，能有效地抑制设计中合并器件的交叉注入，同时节约了管芯面积。最后给出了在LDO电路中的应用。
- 余金峰胡永贵
- 关键词：低压差稳压器电路设计
