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HgCdTe液相外延材料组分分布的红外透射光谱评价技术被引量：5: 2008年; 对红外透射光谱法测定HgCdTe液相外延材料纵向组分分布技术进行了深入的研究.红外透射光谱的理论计算采用了王庆学提出的组分分布模型,并考虑了光穿越组分梯度区时产生的干涉效应.通过测量同一样品在不同外延层厚度下的一组红外透射光谱,该方法的有效性得到了实验验证.进一步对组分模型中参数(即外延总厚度、组分互扩散区厚度、材料表面组分和HgCdTe层组分梯度)的拟合方法进行了讨论,并确定了各拟合参数的拟合精度.结果显示,该方法可作为测定HgCdTe液相外延材料组分特性的一种有效的测试评价技术.; 顾仁杰张传杰杨建荣陈新强魏彦峰; 关键词：HGCDTE LPE 红外透射光谱

多层HgCdTe异质外延材料的热退火应力分析被引量：1: 2013年; 前期研究采用高温热处理方法,获得了抑制位错的最佳退火条件.通过比对实验,发现不同衬底上HgCdTe表面的CdTe钝化层在热处理过程中对位错的抑制作用各有不同.结合晶格失配应力和热应力对不同异质结构进行理论计算,借助X射线摇摆曲线的倒易空间分析,解释了CdTe钝化层对HgCdTe位错抑制的影响作用.; 沈川顾仁杰陈路何力; 关键词：碲镉汞热退火位错应力

MBE生长的PIN结构碲镉汞红外雪崩光电二极管被引量：7: 2013年; 对中波红外碲镉汞雪崩光电二极管(APD)特性进行理论计算,获得材料的能量散射因子及电离阈值能级与材料特性的相互关系,从而计算器件的理论雪崩增益与击穿电压.通过对材料特性(组分,外延厚度,掺杂浓度等)的优化,设计并生长了适合制备PIN结构红外雪崩光电二极管的碲镉汞材料,并进行了器件验证.结果显示,在10 V反偏电压下,该器件电流增益可达335.; 顾仁杰沈川王伟强付祥良郭余英陈路; 关键词：碲镉汞雪崩光电二极管

e-APD HgCdTe分子束外延材料研究: 第三代碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面阵列技术正向大规模、集成化、多光谱、弱信号及三维成像方向发展.HgCdTe因其具有高吸收系数、空穴和电子的离化系数差异很大等特性，是制备高信噪比的雪崩器件(APD)的优选材料，可以实...; 陈路顾仁杰胡伟达王伟强沈川傅祥良林春丁瑞军何力; 关键词：红外焦平面碲镉汞分子束外延

HgCdTe分子束外延材料研究进展及其应用: 阐述了针对第三代红外焦平面的应用需求所进行的碲镉汞分子束外延研究进展.面向大规模HgCdTe红外焦平面探测器的应用,开展了大面积替代衬底上的分子束外延技术研究,报道了在大面积替代衬底上的碲镉汞分子束外延材料的晶体质量、表...; 陈路何力傅祥良顾仁杰王伟强沈川胡晓宁叶振华林春丁瑞军; 关键词：红外焦平面探测器碲镉汞材料分子束外延; 文献传递

碲镉汞富碲垂直液相外延技术被引量：3: 2009年; 研究了碲镉汞富碲垂直液相外延技术.在研究该关键技术的过程中,提出了一种方法以检查外延前(Hg1-xCdx)1-yTey母液的均匀性.并且,通过减小生长腔体中的自由空间,对气体的对流和汞回流进行了抑制,及通过改进工艺过程中的温度控制方式来应对因对流和汞回流而造成的生长温度不确定性.在解决上述关键技术后,实现了碲镉汞垂直液相外延工艺的稳定性,所外延的中波碲镉汞材料的组分可重复性做到了±0.005,厚度控制能力达到了±5μm,40×30mm2外延材料的横向组分均匀性(相对均方差)小于1.3×10-3,同生长批次材料片与片之间的组分和厚度差异分别小于0.001和1μm.在10mm线度上,表面起伏小于1μm.经热处理后,中波汞空位p型材料在77K下具有较高的空穴迁移率.另外,和水平推舟技术相比,垂直碲镉汞液相外延在提供大批量和大面积相同性能材料方面具有明显的优势,这对于二代碲镉汞红外焦平面批生产技术和拼接型超大规模红外焦平面技术的发展都具有重要的意义.; 杨建荣张传杰方维政魏彦锋刘从峰孙士文陈晓静徐庆庆顾仁杰陈新强; 关键词：半导体技术液相外延

Si基CdTe/HgCdTe分子束外延材料的位错抑制被引量：4: 2011年; 基于GaAs/Si材料中位错的运动反应理论,修正获得CdTe/Si和HgCdTe/Si外延材料中的位错运动反应模型.采用快速退火方法对Si基HgCdTe外延材料进行位错抑制实验研究,实验结果与理论曲线基本吻合,从理论角度解释了不同高温热处理条件对材料体内位错的抑制作用.对于厚度为4～10μm的CdTe/Si进行500℃快速退火1 min,可使位错密度降低0.5～1个数量级,最好结果为2.5×105cm-2.; 沈川顾仁杰傅祥良王伟强郭余英陈路; 关键词：碲镉汞热退火位错分子束外延

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顾仁杰