刘金铭
- 作品数：6 被引量：12H指数：3
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- SiO2缓冲层对溶胶-凝胶法制备的SnO2：Sb薄膜光电性能的影响被引量：3
- 2012年
- 以SnCl2·2H2O和SbCl3为原料,利用溶胶-凝胶法制备了SnO2∶Sb薄膜。利用XRD观察了薄膜的结构特点,利用紫外可见分光光度计测量了薄膜的透过率,利用四探针测试系统表征了薄膜的电学性能。讨论了掺杂浓度以及SiO2缓冲层厚度对薄膜光电性能的影响。结果表明,随着掺杂浓度的增大,薄膜的电阻率先降低而后略有升高,当掺杂浓度为5%时,薄膜电阻率达到最小,为8.7×10-3Ω·cm;并深入研究了缓冲层对薄膜性能的改善作用:当掺杂浓度为5%时,随着缓冲层数的增加,薄膜方块电阻呈下降趋势,最小可达到95Ω/□,电阻率达到1.1×10-3Ω·cm。
- 陈帅赵小如段利兵白晓军刘金铭谢海燕关蒙萌
- 关键词：溶胶-凝胶法透明导电氧化物缓冲层
- MgO相分离对Mg_xZn_(1-x)O纳米粉体结构和光学性能的影响
- 2012年
- 采用溶胶-凝胶法制备了MgxZn1-xO(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)纳米粉体。X射线衍射谱表明:在较高的温度(850℃以上)下退火,MgxZn1-xO纳米粉体从单一的纤锌矿结构相中分离出MgO相的掺杂浓度x约为0.13,且随着x的增加,MgO相含量呈指数型增长。室温光致发光谱显示:MgO相分离对紫外与绿光发射的相对强度有直接的影响,随着MgO相分离的出现,紫外发光峰蓝移,并随着MgO相的增加,紫外发光峰的强度受抑,绿光发光峰变强。样品的室温透过率显示:MgxZn1-xO的禁带宽度在x=0.1时达到最大值并受MgO相分离的影响而减小。
- 谢海燕赵小如段利兵白晓军刘金铭陈帅史小龙
- 关键词：溶胶-凝胶法光学性能
- Sn掺杂对ZnO薄膜结构和光电性能的影响被引量：4
- 2012年
- 采用溶胶-凝胶浸渍提拉法在玻璃衬底上制备了Sn掺杂ZnO(SZO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究了Sn掺杂对薄膜表面形貌和微结构的影响。XRD结果表明,所有ZnO薄膜样品都存在(002)择优取向。SEM结果表明随着掺杂浓度的增加,薄膜表面由颗粒向纳米棒转变。电学结果显示掺杂浓度为3at%时,电学性能最好,最低电阻率为6.9×10-2Ω.cm。室温光致发光谱(PL)显示所有的SZO薄膜样品在(325 nm光激发下)380 nm和398 nm两处都有发光峰,随着掺杂浓度的增大,398 nm处的发光强度先增大后减小,然后再增大;380nm处的发光强度始终增大,这些现象与薄膜的表面结构的变化有关。
- 史小龙赵小如孙慧楠段利兵刘金铭陈安琪
- 关键词：溶胶凝胶晶体结构光电性能
- 热处理对Al掺杂ZnO薄膜晶体结构及光电性能的影响被引量：7
- 2010年
- 采用溶胶凝-胶法在普通玻璃衬底上制备了具有c轴择优取向的Al掺杂ZnO透明导电薄膜。实验中将热处理过程分解为预烧、空气退火和真空退火三个部分,研究了各个步骤对于ZAO薄膜晶体结构和光电性能的影响。结果表明,500℃预烧550℃空气退火的薄膜,经过550℃,1×10-2Pa真空退火后,其晶体结构和光电性能达到最佳,电阻率最低达到1.77×10-3Ω.cm,可见光范围内的平均透过率约为85%。
- 刘金铭赵小如赵亮张安王丹红邵继峰曹萌萌常晓
- 关键词：溶胶-凝胶法晶体结构光电性能
- 一种铝掺杂氧化锌透明导电薄膜电阻率调控的制备方法
- 本发明涉及一种铝掺杂氧化锌透明导电薄膜电阻率调控的制备方法，其特征在于：采用溶胶-凝胶浸渍提拉法镀膜，通过对薄膜烘干、预烧、真空退火后制备了不同铝元素掺杂摩尔含量(0-2.5at.％)的氧化锌薄膜，在此基础上，本发明对制...
- 段利兵刘金铭谢海燕赵小如
- 文献传递
- ZnO缓冲层退火温度对TiO_2∶Eu/ZnO薄膜光致发光性能的影响
- 2011年
- 采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备出以ZnO为缓冲层、稀土Eu3+掺杂的TiO2薄膜,研究了ZnO缓冲层退火温度对TiO2∶Eu薄膜的光致发光性能以及晶体结构的影响。结果表明,随着ZnO层退火温度的升高,薄膜的PL谱增强,在500℃退火时达到最强;XRD显示,TiO2∶Eu3+/ZnO薄膜中有很强的ZnO(002)衍射峰,但是TiO2的(101)衍射峰却很微弱,且ZnO在500℃退火时TiO2的(101)衍射峰最弱。
- 王丹红赵小如谢海燕刘金铭白晓军陈长乐
- 关键词：光致发光氧化钛EU掺杂
