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宫泽祥

作品数：20 被引量：31H指数：3
供职机构：大连理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金北京市自然科学基金更多>>
相关领域：金属学及工艺电子电信一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇中文期刊文章

领域

  • 11篇金属学及工艺
  • 5篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 2篇化学工程

主题

  • 13篇离子注入
  • 6篇离子束
  • 3篇离子
  • 3篇硅化物
  • 3篇合金
  • 2篇电子显微学
  • 2篇亚结构
  • 2篇氧化膜
  • 2篇乙烯
  • 2篇四氟乙烯
  • 2篇位错
  • 2篇离子源
  • 2篇聚四氟乙烯
  • 2篇溅射
  • 2篇非晶
  • 2篇分子
  • 2篇分子膜
  • 2篇氟乙烯
  • 2篇高分子
  • 2篇高分子膜

机构

  • 18篇大连理工大学
  • 6篇中国科学院
  • 2篇东北大学
  • 2篇大连海事大学
  • 2篇沈阳工业大学
  • 1篇北京师范大学
  • 1篇伯明翰大学
  • 1篇东北师范大学
  • 1篇湖南大学
  • 1篇吉林大学
  • 1篇沈阳工业学院
  • 1篇中南大学
  • 1篇中国核工业集...
  • 1篇俄罗斯科学院
  • 1篇三束材料改性...
  • 1篇三束材料改性...

作者

  • 20篇宫泽祥
  • 8篇马腾才
  • 5篇李国卿
  • 4篇史维东
  • 3篇金星
  • 3篇龙振湖
  • 3篇黑祖昆
  • 3篇李晓娜
  • 2篇张庆瑜
  • 2篇徐送宁
  • 2篇张泽
  • 2篇李有宏
  • 2篇黄岩
  • 2篇靳惠明
  • 2篇李铁藩
  • 2篇沈嘉年
  • 2篇李美栓
  • 2篇杨大智
  • 1篇张涛
  • 1篇董闯

传媒

  • 8篇大连理工大学...
  • 2篇电子显微学报
  • 2篇中国腐蚀与防...
  • 1篇吉林大学自然...
  • 1篇核聚变与等离...
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇真空
  • 1篇Chines...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇原子核物理评...

年份

  • 2篇1999
  • 1篇1998
  • 9篇1997
  • 3篇1996
  • 1篇1995
  • 2篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1992
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
多元离子束增强沉积在新型薄膜材料上的应用被引量：1
1997年
采用Ｎ＋＋Ｃｒ＋多元离子束增强沉积合成（ＴｉＣｒ）Ｎ膜层，对膜层进行了ＡＥＳ、ＴＥＭ和ＸＲＤ分析．测试了膜基体系的力学性能和电化学性能．与普通物理气相沉积相比，多元离子束增强沉积显示了开发新型薄膜材料的较强潜力．
张涛张通和张荟星马本坤李国卿宫泽祥
关键词：离子束离子束增强沉积
Mo离子注入Al_2O_3的表面改性被引量：2
1995年
研究Ｍｏ离子注入Ａｌ＿２Ｏ＿３表面机械性能的变化及产生变化的原因，结果表明，Ｍｏ离子的注入，在Ａｌ＿２Ｏ＿３表面产生辐射损伤，使表面残余应力、表面硬度及断裂韧性提高；注入剂量Ｄ＞１×１０￣１７ｃｍ￣－２时，随着离子注入剂量增加，表层开始非晶化，导致表面残余应力及硬度下降，而断裂韧性仍继续得到改善。
柴志刚崔相旭张宁刘玉梅史维东宫泽祥
关键词：离子注入表面改性非晶化三氧化二铝钼
离子注入形成YSi_2埋层的电镜研究
1996年
本文主要采用离子注入的方法制备“Ｓｉ／ＹＳｉ_２／Ｓｉ”异质结构，并以电子显微镜为手段研究ＹＳｉ_２埋层的形成及ＹＳｉ_２／Ｓｉ界面的微观结构。我们发现ＹＳｉ_２埋层以“［００１］ＹＳｉ_２／／［１１１］Ｓｉ”为取向关系在Ｓｉ基体中择优生长，而且注入法合成的ＹＳｉ_２不存在空位有序结构。
金星宫泽祥李晓娜马腾才杨大智张泽
关键词：离子注入硅化物埋层电子显微镜集成电路
铁离子注入单晶铜引发亚结构组态变化的研究被引量：1
1997年
用加速电压５０ｋＶ、剂量为４×１０１７／ｃｍ２的铁离子注入单晶铜中，利用透射电子显微镜弱束成像技术研究了被注入材料的横截面样品，发现离子辐照引发被注入材料亚结构变化的深度远大于离子本身注入的深度，铁离子注入单晶铜中位错密度随注入深度的变化有两个峰值出现．其亚结构为多种位错组成的复杂位错组态，这种亚结构会使被注入材料具有相当于加工硬化的效果．探讨了离子注入材料中由辐照引发的加工硬化现象，即所谓的“长程效应”
黄岩黑祖昆李国卿宫泽祥
关键词：铜亚结构位错离子注入铁离子
钨离子注入多晶不锈钢引发亚结构变化的研究被引量：3
1997年
利用透射电子显微镜弱束成像技术研究了钨离子注入经１１５０℃固溶处理的奥氏体不锈钢（１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔｉ）的横截面样品，发现离子辐照引发被注入材料亚结构变化的深度远大于离子本身的注入深度，钨离子注入多晶奥氏体不锈钢中位错密度沿注入深度有一个峰值．位错密度峰值处的亚结构，在多个晶体学倒易矢量显现．其他区域位错显像有方向性；在最密排面上易于显像。
黄岩黑祖昆宫泽祥李国卿
关键词：离子注入不锈钢亚结构位错
辅以动态氮离子轰击的氩离子束溅射沉积PTFE高分子膜被引量：2
1997年
用辅以动态氮离子轰击的氩离子束溅射沉积方法，在３０４不锈钢基材上沉积聚四氟乙烯薄膜．经ＸＰＳ和ＩＲＳ分析，确定了聚四氟乙烯膜的存在并进行了结构分析．划痕试验表明：这种方法制成的聚四氟乙烯膜与基材之间有较好的结合力．
李有宏龙振湖宫泽祥任春生
关键词：聚四氟乙烯离子束溅射沉积
Mn^+注入GaAs中Ga-Mn二十面体准晶的形成被引量：2
1997年
利用选区电子衍射及明暗场电子衍射成像技术，在Ｍｎ＋注入ＧａＡｓ及随后退火的样品表层发现有二十面体准晶颗粒形成．能谱及电子能量损失谱分析表明，这些粒子不含Ａｓ，由Ｇａ和Ｍｎ元素组成，约含５０ａｔ％的Ｍｎ；其结构具有五次对称性和非周期分布的电子衍射斑点．这些具有２／ｍ３５对称性的ＧａＭｎ准晶粒子同具有闪锌矿结构的ＧａＡｓ基体之间具有确定的取向关系：ｉ－５∥〔１１０〕ＧａＡｓ；ｉ－３∥〔１１１〕ＧａＡｓ；ｉ－２∥〔１２１〕ＧａＡｓ．用磁力显微镜分析发现这些粒子中的许多粒子具有铁磁性．
孙凯朱莎郭可信宫泽祥
关键词：准晶体砷化镓锰离子
离子束混合法制备Sm-Fe-N磁性薄膜被引量：5
1997年
利用离子束混合方法在Ｓｍ质量分数为２０％的Ｓｍ－Ｆｅ多层薄膜中，当注入能量为６０ｋｅＶ的Ｎ离子时，成功地制备出Ｓｍ－Ｆｅ－Ｎ磁性薄膜．经透射电镜（ＴＥＭ）和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）分析发现：当Ｎ离子的注入剂量为１×１０１７／ｃｍ２时，形成Ｓｍ２Ｆｅ１７Ｎｘ磁性薄膜；而Ｎ离子的注入剂量为２×１０１７／ｃｍ２时，Ｓｍ－Ｆｅ多层薄膜转变成非晶磁性薄膜，而且Ｓｍ２Ｆｅ１７Ｎｘ磁性薄膜和Ｓｍ－Ｆｅ－Ｎ非晶磁性薄膜的磁性（饱和磁性强度。
孙树滋王强张兆安宋根宗徐送宁马腾才宫泽祥
关键词：离子注入磁性薄膜永磁体
离子束合成TiSi_2薄膜及显微结构的研究
1996年
本文主要以电子显微镜为手段研究了离子注入形成的TiSi_2薄膜的微观结构,发现了一种新的TiSi_2相,初步确定它为简单正交结构,点阵常数与已知的C49-TiSi_2相等,并发现新的TiSi_2可向C49-TiSi_2转化;在800℃条件下保温30分钟,C54-TiSi_2可在Si(111)基片上外延生长,取向关系为:[121]_(TiSi)_2∥[110]_(Si),(111)_(TiSi)_2∥(111)_(Si)。
金星宫泽祥李晓娜马腾才杨大智Mark Aindow
关键词：离子注入金属硅化物电子显微学
钇离子注入对Co-40Cr(wt%)合金氧化行为的影响被引量：7
1999年
研究了Co－40Cr（wt％）合金在空气中、1000℃下的恒温氧化和循环氧化行为。通过SEM／EDXA等测试手段，对合金表面形成的氧化膜进行了分析．并且，与合金表面离子注入3×1016Y+／cm2和3×1017Y+／cm2后的氧化行为进行了比较．结果表明，注钇和未注钇样品氧化后表面形成的都是纯Cr2O3膜，离子注钇明显改善了合金的氧化性能．其原因主要是稀土钇能以离子或细小氧化物颗粒的形式偏聚于Cr2O3晶界，通过阻碍氧化膜中Cr3＋阳离子向外扩散，降低了氧化膜的生长速率．同时，通过阻碍氧化膜／合金界面附近"kirkendall"空洞的形成，增强了氧化膜与合金基体之间的结合强度，提高了氧化膜的粘附性及合金的抗氧化性能．
靳惠明李铁藩李美栓沈嘉年宫泽祥张秀红
关键词：氧化膜离子注入
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