徐海铭
- 作品数：51 被引量：5H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种提高抗辐射VDMOS的栅氧反向击穿加固工艺方法
- 本发明公开一种提高抗辐射VDMOS的栅氧反向击穿加固工艺方法，属于VDMOS制备技术领域。首先提供衬底，在其表面形成外延层；制作P阱；制作源端和体接触端；进行高温栅氧干氧氧化SiO2分段生长的第一次生长；进行低温栅氧干氧...
- 徐海铭徐政贺琪洪根深吴建伟赵文斌廖远宝
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- 一种通孔上MTM反熔丝单元结构的制备方法
- 本发明涉及一种通孔上MTM反熔丝单元结构的制备方法，该制备方法是在反熔丝通孔与金属间介质层接触的台阶处增加了反熔丝Spacer，降低了台阶角度，减小了反熔丝介质层厚度的不一致性，提高反熔丝击穿电压的一致性和电路良率，同时...
- 王印权郑若成徐海铭洪根深赵文彬吴素贞
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- 基于多晶硅化物连线的抗单粒子辐射VDMOS器件制造方法
- 本发明公开一种基于多晶硅化物连线的抗单粒子辐射VDMOS器件制造方法，属于功率开关器件领域。首先提供硅晶圆材料，通过P<Sup>+</Sup>注入形成P<Sup>+</Sup>低阻；接着在P<Sup>+</Sup>低阻表...
- 徐政吴素贞洪根深谢儒彬张庆东徐海铭廖远宝唐新宇
- MTM反熔丝单元编程特性研究被引量：3
- 2015年
- 主要研究了编程参数对MTM反熔丝单元编程特性的影响,包括编程电压、编程电流、编程次数等。结果表明在满足最低编程电压条件下,编程电压的增大对反熔丝编程电阻无显著影响。编程电流对编程电阻的影响较大,编程电流越大,反熔丝编程电阻越小。编程次数的增多可减小编程电阻,但离散性增大。
- 王印权刘国柱徐海铭郑若成洪根深
- 一种用于芯片总剂量辐照试验的探针台
- 本发明公开了一种用于芯片总剂量辐照试验的探针台，实现了将探针台应用与芯片辐照测试领域，所述用于芯片总剂量辐照试验的探针台包括显微镜和探针台体，所述探针台体与显微镜分体设置，所述探针台体位于显微镜下方，所述探针台体包括防振...
- 顾吉吴建伟陈海波陈嘉鹏郑良晨徐海铭
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- 一种制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法
- 本发明提供了一种制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法，属于集成电路技术领域。所述制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法包括：对器件的沟道区域注入光刻，形成LDD光罩的图形；按照LDD光罩的图形注入P型杂质，进行高温退火激活...
- 徐海铭洪根深吴建伟徐政刘国柱李燕妃吴素贞
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- 一种带ESD保护结构的trench分离栅DMOS器件制作方法
- 本发明公开一种带ESD保护结构的trench分离栅DMOS器件制作方法，属于半导体功率器件技术领域。在N型外延片生长氧化层、淀积氮化硅层和TEOS层，挖出若干个Trench结构；在Trench结构中制作一层氧化层，并填充...
- 廖远宝洪根深吴建伟徐政吴锦波徐海铭
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- 一种提升trench型MOSFET抗单粒子烧毁的制造方法
- 本发明公开一种提升trench型MOSFET抗单粒子烧毁的制造方法，属于半导体功率器件领域。在抗辐射trench型MOSFET结构中，制造出元胞区域深孔接触，把P型杂质注入深孔底部，在发生单粒子事件中更好的收集空穴，增强...
- 廖远宝徐海铭唐新宇徐政
- 一种MTM反熔丝单元结构的制备方法
- 本发明涉及一种MTM反熔丝单元结构的制备方法，包括（1）完成第一金属间介质材料和下层金属材料淀积；（2）完成第一阻挡层材料淀积；（3）完成反熔丝介质材料淀积；（4）完成离子注入阻挡层涂覆；（5）完成离子注入阻挡层曝光、显...
- 徐海铭郑若成曾庆平王印权汤赛楠
- 基于衬底材料优化的抗辐射功率器件SEB加固技术
- 2023年
- 在外延层和衬底之间增加缓冲层能够提高器件的二次击穿电压,从而提高器件的单粒子烧毁(SEB)阈值电压。仿真对比了抗辐射加固纵向扩散金属氧化物场效应管(VDMOS)的单层缓冲层和掺杂线性梯度变化缓冲层的二次击穿特性和电场分布。在掺杂突变的缓冲层/N^(+)衬底界面位置,线性缓冲层的电场为1.7×10^(5)V/cm,单层缓冲层的电场为2.4×10^(5)V/cm。^(181)Ta粒子辐射试验验证了掺杂线性梯度变化缓冲层的SEB阈值电压优于单层缓冲层,线性缓冲层样品的SEB阈值电压大于250 V,单层缓冲层样品的SEB阈值电压为150~200 V。
- 徐政郑若成吴素贞徐海铭廖远宝唐新宇
- 关键词：功率VDMOSSEB抗辐射加固
