徐政
- 作品数：46 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种带ESD保护结构的trench分离栅DMOS器件制作方法
- 本发明公开一种带ESD保护结构的trench分离栅DMOS器件制作方法，属于半导体功率器件技术领域。在N型外延片生长氧化层、淀积氮化硅层和TEOS层，挖出若干个Trench结构；在Trench结构中制作一层氧化层，并填充...
- 廖远宝洪根深吴建伟徐政吴锦波徐海铭
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- 一种提升trench型MOSFET抗单粒子烧毁的制造方法
- 本发明公开一种提升trench型MOSFET抗单粒子烧毁的制造方法，属于半导体功率器件领域。在抗辐射trench型MOSFET结构中，制造出元胞区域深孔接触，把P型杂质注入深孔底部，在发生单粒子事件中更好的收集空穴，增强...
- 廖远宝徐海铭唐新宇徐政
- 一种MOSFET功率器件的制备方法
- 本发明提供了一种MOSFET功率器件的制备方法，属于集成电路技术领域。对器件敏感区域注入光刻，形成RH光罩的图形；按照RH光罩的图形注入非活性杂质离子。使得MOSFET功率器件的敏感区增加了外延硅层的缺陷数量，降低其在单...
- 徐海铭吴素贞洪根深吴建伟徐政刘国柱李燕妃
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- 一种抗单粒子烧毁的垂直型氮化镓功率器件的制作方法
- 本发明公开一种抗单粒子烧毁的垂直型氮化镓功率器件的制作方法，属于功率开关器件技术领域。通过在n<Sup>+</Sup>型GaN衬底和n<Sup>‑</Sup>型GaN外延层中间插入一定厚度的高掺杂的n型GaN缓冲层，并结...
- 吴素贞徐政徐海铭洪根深贺琪赵文彬吴建伟谢儒彬
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- CMOS工艺中等离子体损伤WAT方法研究被引量：1
- 2016年
- WAT(Wafer Accept Test)即硅圆片接收测试,就是在半导体硅片完成所有的制程工艺后,对硅圆片上的各种测试结构进行电性测试,它是反映产品质量的一种手段,是产品入库前对wafer进行的最后一道质量检验。随着半导体技术的发展,等离子体工艺已广泛应用于集成电路制造中,离子注入、干法刻蚀、干法去胶、UV辐射、薄膜淀积等都可能会引入等离子体损伤,而常规的WAT结构无法监测,可能导致器件的早期失效。设计了新的针对离子损伤的WAT检测结构,主要是缩小了栅端面积,在相同天线比的情况下天线所占面积呈几何级下降,使得评价结构放置在划片区变得可能。
- 陈培仓徐政李俊
- 关键词：CMOSWAT等离子体半导体工艺
- 抗单粒子失效的高压增强型GaN功率HEMT器件的制作方法
- 本发明公开一种抗单粒子失效的高压增强型GaN功率HEMT器件的制作方法，属于功率开关器件技术领域。提供外延基片，在所述外延基片上形成AlN成核层和GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层上制作选区背势垒埋层；继续外延生长非掺杂G...
- 吴素贞徐政徐海铭洪根深赵文彬吴建伟谢儒彬
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- 一种提高抗辐射VDMOS的栅氧反向击穿加固工艺方法
- 本发明公开一种提高抗辐射VDMOS的栅氧反向击穿加固工艺方法，属于VDMOS制备技术领域。首先提供衬底，在其表面形成外延层；制作P阱；制作源端和体接触端；进行高温栅氧干氧氧化SiO2分段生长的第一次生长；进行低温栅氧干氧...
- 徐海铭徐政贺琪洪根深吴建伟赵文斌廖远宝
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- 一种低压高密度trench DMOS器件制造方法
- 本发明公开一种低压高密度trench DMOS器件制造方法，属于半导体功率器件技术领域。trench阵列完成后，不做氧化层的去除，直接做牺牲氧化修复trench阵列内表面损伤。trench阵列中多晶硅表面比硅表面高200...
- 廖远宝洪根深吴建伟吴锦波徐政徐海铭
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- 一种VDMOS功率器件的制备方法
- 本发明提供了一种VDMOS功率器件的制备方法，属于集成电路技术领域。在器件的沟道区域之间形成光罩的图形；按照光罩的图形注入P型杂质，并进行高温退火处理；所述P型杂质的注入剂量为1E15‑1E16cm<Sup>‑2</Su...
- 徐海铭洪根深赵文斌吴建伟徐政刘国柱
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- Bipolar技术中多晶发射极的腐蚀
- 2004年
- 在现代比较先进的Bipolar技术中,一般采用多晶发射极结构,这种结构可以提高双极管放大倍数和频率响应特性,因此,这种结构得到广泛的应用。由于这种结构中多晶是直接和硅衬底接触的,多晶腐蚀时要注意过腐蚀量、腐蚀均匀性以及腐蚀后硅衬底的形貌问题。本文主要介绍在这种工艺过程中我们进行的相关实验以及控制方法。最后,简单介绍我们工艺开发的第一批结果。
- 郑若成刘丽艳徐政
- 关键词：多晶发射极
