谢儒彬
- 作品数：44 被引量：25H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信医药卫生核科学技术自动化与计算机技术更多>>
- 一种高电流均匀性VDMOS器件的制造方法
- 本发明公开一种高电流均匀性VDMOS器件的制造方法，属于半导体功率器件领域。在外延材料上生长栅氧化层，淀积多晶硅栅；光刻后对多晶硅栅和栅氧化层进行刻蚀，做出合适的图形；进行离子注入并退火形成阱、源极区；在表面依次生长氧化...
- 唐新宇洪根深谢儒彬张庆东徐海铭廖远宝
- 抗辐射鳍型沟道双栅场效应晶体管及其制备方法
- 本发明涉及一种抗辐射鳍型沟道双栅场效应晶体管。所述场效应晶体管包括衬底、隐埋氧化层、P型重掺杂层、P型轻掺杂层、N型掺杂层和金属栅极。N型掺杂层形成源区、漏区和连接块。P型重掺杂层的掺杂浓度大于或等于源区和漏区的掺杂浓度...
- 谢儒彬吴建伟朱少立洪根深汤赛楠
- 文献传递
- 用于薄外延工艺ESD保护的GGNMOS器件制备工艺及GGNMOS器件
- 本发明公开一种用于薄外延工艺ESD保护的GGNMOS器件制备工艺及GGNMOS器件，属于超大规模集成电路静电放电保护技术领域。本发明通过P型ESD注入，有效降低GGNMOS器件的触发电压，通过引入深N阱层提升GGNMOS...
- 谢儒彬吴建伟彭宏伟
- 文献传递
- 总剂量加固对SOINMOS器件抗辐射特性的影响被引量：4
- 2014年
- 采用埋层改性工艺对部分耗尽SOI NMOS器件进行总剂量加固,通过测试器件在辐射前后的电学性能研究加固对SOI NMOS器件抗辐射特性的影响。加固在埋氧层中引入电子陷阱,辐射前在正负背栅压扫描时,电子陷阱可以释放和俘获电子,导致背栅阈值电压产生漂移,漂移大小与引入电子陷阱的量有关。通过加固可以有效提高器件的抗总剂量辐射特性,电子陷阱的量对器件的抗辐射性能具有显著影响。
- 陈海波吴建伟李艳艳谢儒彬朱少立顾祥
- 关键词：离子注入SOINMOSFET总剂量辐射
- 非易失性高速FPGA的存储模块、器件及SOI工艺实现方法
- 本发明涉及集成电路半导体技术领域，具体涉及一种非易失性高速FPGA的存储模块、器件及其SOI工艺实现方法，包括P型衬底、埋氧化层、STI隔离区、隧穿介质层、电荷存储层、阻挡介质层、第一栅氧化层、第一N型重掺杂区、第二N型...
- 朱少立吴建伟李燕妃王印权谢儒彬崔青唐登轩
- 一种抗辐射trench型MOSFET的制造方法
- 本发明公开一种抗辐射trench型MOSFET的制造方法，属于半导体功率器件领域，主要工艺特征有：阱区注入在沟槽刻蚀前，利用源极沟槽的牺牲氧化工艺的热过程对阱区进行推结处理，避免栅氧工艺后有高温热过程，提升产品的抗总剂量...
- 廖远宝唐新宇张庆东谢儒彬洪根深徐政徐海铭
- 用于薄外延工艺ESD保护的GGNMOS器件制备工艺及GGNMOS器件
- 本发明公开一种用于薄外延工艺ESD保护的GGNMOS器件制备工艺及GGNMOS器件，属于超大规模集成电路静电放电保护技术领域。本发明通过P型ESD注入，有效降低GGNMOS器件的触发电压，通过引入深N阱层提升GGNMOS...
- 谢儒彬吴建伟彭宏伟
- STI场区加固NMOS器件总剂量效应被引量：9
- 2016年
- 基于0.18μm CMOS工艺开发了浅槽隔离(STI)场区抗总剂量辐射加固技术,采用离子注入技术使STI/衬底界面处的P型硅反型阈值提高,从而增强NMOS器件的抗辐射能力。实验表明,加固NMOS器件在500 krad(Si)剂量点时,阈值电压无明显漂移,漏电流保持在10-12量级,其抗辐射性能明显优于非加固NMOS器件。通过STI场区加固工艺的研究,可有效提高电路的抗总剂量辐射能力,同时避免设计加固造成芯片面积增大的问题。
- 谢儒彬吴建伟陈海波李艳艳洪根深
- 关键词：总剂量效应
- 一种抗单粒子烧毁的垂直型氮化镓功率器件的制作方法
- 本发明公开一种抗单粒子烧毁的垂直型氮化镓功率器件的制作方法，属于功率开关器件技术领域。通过在n<Sup>+</Sup>型GaN衬底和n<Sup>‑</Sup>型GaN外延层中间插入一定厚度的高掺杂的n型GaN缓冲层，并结...
- 吴素贞徐政徐海铭洪根深贺琪赵文彬吴建伟谢儒彬
- 文献传递
- 抗单粒子失效的高压增强型GaN功率HEMT器件的制作方法
- 本发明公开一种抗单粒子失效的高压增强型GaN功率HEMT器件的制作方法，属于功率开关器件技术领域。提供外延基片，在所述外延基片上形成AlN成核层和GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层上制作选区背势垒埋层；继续外延生长非掺杂G...
- 吴素贞徐政徐海铭洪根深赵文彬吴建伟谢儒彬
- 文献传递
