杨小飞
- 作品数：6 被引量：20H指数：3
- 供职机构：重庆大学物理学院应用物理系更多>>
- 发文基金：重庆市自然科学基金国家教育部“211”工程国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 衬底温度对磁控溅射法制备的ZnO∶In薄膜光电性能的影响被引量：1
- 2009年
- 以粉末靶为溅射源,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备掺铟氧化锌(ZnO∶In)透明导电膜。利用X射线衍射仪、原子力显微镜、霍尔测试仪,以及分光光度计等对不同衬底温度下生长的ZnO∶In薄膜的结构、光电性能进行表征。结果表明,所有制备的ZnO∶In薄膜均为六角纤锌矿结构的多晶膜,具有(002)择优取向。ZnO∶In薄膜的电阻率随着衬底温度的升高先减小后增大,当衬底温度为100℃时,薄膜的最低电阻率为3.18×10-3Ω.cm。制备的薄膜可见光范围内透过率均在85%以上。
- 杨小飞方亮彭丽萍黄秋柳周科孔春阳
- 关键词：光电性能透明导电膜
- In掺杂ZnO透明导电薄膜光电性质的研究被引量：5
- 2009年
- 采用射频磁控溅射技术成功制备出无掺杂和In掺杂的ZnO透明导电薄膜。研究了In掺杂对薄膜的结构和光电性能的影响。结果表明,In掺杂有利于提高ZnO薄膜结晶度,使薄膜表面更加致密平整;由于In3+替代了Zn2+,提供了大量的剩余电子,使薄膜的导电性质得到了很大的提高,所得薄膜的最小电阻率为4.3×10-3Ω.cm。制备的ZnO薄膜在可见光范围的透过率达到了85%,In的掺杂对透光率的影响不大。
- 方亮彭丽萍杨小飞李艳炯孔春阳
- 关键词：透明导电光电性质磁控溅射
- 透明导电ZnO∶In薄膜光电性能的研究进展
- 2009年
- 本征ZnO是高阻材料,如何对其进行掺杂,提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键。从晶体结构和能带结构、影响光电性能的因素、透明导电机制、提高光电性能的途径等方面综述了In掺杂ZnO(ZnO∶In)薄膜光电性能的研究进展,提出了降低ZnO∶In薄膜电阻率和提高透光率的有效途径,并对未来的发展方向进行了简要说明。
- 方亮彭丽萍杨小飞周科吴芳
- 关键词：宽禁带半导体材料光学性质电学性质
- 磁控溅射制备In掺杂ZnO薄膜及NO_2气敏特性分析被引量：5
- 2009年
- 利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上成功制备了In掺杂的ZnO(ZnO∶In)薄膜。X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)的研究结果显示所制备的ZnO∶In为纤锌矿的多晶薄膜,具有高度C轴择优取向。气敏研究结果表明ZnO∶In薄膜对NO2气体有较强的敏感性,最佳工作温度为273℃,其敏感度与薄膜的厚度和NO2气体的体积分数有关。ZnO∶In薄膜对较高体积分数的NO2气体的灵敏度较高,而薄膜比厚膜的灵敏度高,厚度为90 nm的薄膜在273℃时对体积分数为2×10-5的NO2气体的敏感度高达16,表明ZnO∶In薄膜具有检测较低体积分数NO2的能力。
- 方亮彭丽萍杨小飞黄秋柳周科吴芳刘高斌马勇
- 关键词：氧化锌薄膜磁控溅射二氧化氮
- In掺杂和退火对磁控溅射制备ZnO薄膜的结构和光电性质的影响被引量：7
- 2010年
- 用射频磁控溅射技术在石英玻璃衬底上制备出ZnO和In掺杂的ZnO(ZnO∶In)薄膜,研究了In的掺杂和退火对薄膜的结构和光电性质的影响。所制备的薄膜为纤锌矿结构的ZnO相,In的掺杂有利于ZnO薄膜的c轴择优生长,并且使其表面更加致密平整,退火提高了薄膜的结晶行为,但使得薄膜的表面有部分团聚形成。由于In3+替代了Zn2+,提供了一个多余的电子,ZnO薄膜的电阻率从28.9Ω.cm降低到4.3×10-3Ω.cm。由于载流子浓度的增加和晶格尺寸的拉长,In的掺杂使得ZnO薄膜的禁带宽度增加;空气中退火后薄膜的载流子浓度降低和晶格尺寸的减小,使得禁带宽度降低。ZnO薄膜在可见光范围的透光率在90%以上,受In的掺杂和退火的影响不大。室温下用325 nm的激发光源测试了样品的光致发光(PL)谱,发现In的掺杂对薄膜的PL谱影响不大,而退火后的ZnO薄膜在446 nm处的蓝光发射明显增强,更适合于作为蓝色发光器件。
- 彭丽萍方亮杨小飞周科黄秋柳吴芳阮海波
- 关键词：透明导电薄膜磁控溅射光电性能
- In掺杂ZnO透明导电薄膜的制备与光电性能研究
- 氧化锌(ZnO)是Ⅱ-Ⅵ族直接带隙(3.3eV)半导体氧化物，由于其优良的光电特性等，在发光器件、紫外探测器、太阳能电池、气敏元件以及声表面波器件等领域得到了广泛的应用。与现在常用的透明导电薄膜ITO和SnO2∶F薄膜相...
- 杨小飞
- 关键词：射频磁控溅射光电性能
- 文献传递
