彭丽萍
- 作品数：16 被引量：27H指数：4
- 供职机构：重庆大学更多>>
- 发文基金：重庆市自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家教育部“211”工程更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- P型GaN上镉铟氧透明电极及其制备方法
- 本发明公开了一种P型GaN上镉铟氧透明电极的制备方法，其工艺步骤为：1)在P型GaN上以物理气相沉积方式，沉积第一导电层；第一导电层厚度范围2到100埃；2)在第一导电层上以物理气相沉积方式，沉积CdIn<Sub>2</...
- 方亮张淑芳彭丽萍董建新刘高斌
- 文献传递
- 衬底温度对磁控溅射法制备的ZnO∶In薄膜光电性能的影响被引量：1
- 2009年
- 以粉末靶为溅射源,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备掺铟氧化锌(ZnO∶In)透明导电膜。利用X射线衍射仪、原子力显微镜、霍尔测试仪,以及分光光度计等对不同衬底温度下生长的ZnO∶In薄膜的结构、光电性能进行表征。结果表明,所有制备的ZnO∶In薄膜均为六角纤锌矿结构的多晶膜,具有(002)择优取向。ZnO∶In薄膜的电阻率随着衬底温度的升高先减小后增大,当衬底温度为100℃时,薄膜的最低电阻率为3.18×10-3Ω.cm。制备的薄膜可见光范围内透过率均在85%以上。
- 杨小飞方亮彭丽萍黄秋柳周科孔春阳
- 关键词：光电性能透明导电膜
- In掺杂ZnO透明导电薄膜光电性质的研究被引量：5
- 2009年
- 采用射频磁控溅射技术成功制备出无掺杂和In掺杂的ZnO透明导电薄膜。研究了In掺杂对薄膜的结构和光电性能的影响。结果表明,In掺杂有利于提高ZnO薄膜结晶度,使薄膜表面更加致密平整;由于In3+替代了Zn2+,提供了大量的剩余电子,使薄膜的导电性质得到了很大的提高,所得薄膜的最小电阻率为4.3×10-3Ω.cm。制备的ZnO薄膜在可见光范围的透过率达到了85%,In的掺杂对透光率的影响不大。
- 方亮彭丽萍杨小飞李艳炯孔春阳
- 关键词：透明导电光电性质磁控溅射
- 衬底温度对磁控溅射氮化铝薄膜组成的影响
- 采用高纯铝靶和氮/氩混合气氛,在玻璃衬底上用直流反应磁控溅射法制备了 AlN 薄膜,用 X 射线光电子能谱(XPS)分析了不同衬底温度下样品的组成。结果表明,AlN 薄膜主要含有 AlN,存在少量 AlO及一些其它杂质;...
- 张淑芳方亮付光宗董建新彭丽萍
- 关键词：氮化铝薄膜磁控溅射XPSAFM
- 文献传递
- P型GaN上镉铟氧透明电极及其制备方法
- 本发明公开了一种P型GaN上的镉铟氧(CIO)透明电极，它通过采用CIO透明导电薄膜结构，使透明电极的透光率比传统的金属(Ni或Ni/Au)电极提高15％以上，可望应用于GaN基蓝光发光二极管或激光二极管提高其出光效率，...
- 方亮张淑芳彭丽萍董建新刘高斌
- 文献传递
- 透明导电ZnO∶In薄膜光电性能的研究进展
- 2009年
- 本征ZnO是高阻材料,如何对其进行掺杂,提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键。从晶体结构和能带结构、影响光电性能的因素、透明导电机制、提高光电性能的途径等方面综述了In掺杂ZnO(ZnO∶In)薄膜光电性能的研究进展,提出了降低ZnO∶In薄膜电阻率和提高透光率的有效途径,并对未来的发展方向进行了简要说明。
- 方亮彭丽萍杨小飞周科吴芳
- 关键词：宽禁带半导体材料光学性质电学性质
- ZnO上肖特基接触的研究进展被引量：4
- 2008年
- 由于ZnO存在本征施主缺陷(锌间隙和氧空位),使得表面存在较高浓度的施主能级,难以获得肖特基接触。本文回顾了近年来在n型ZnO上制备肖特基接触的研究进展,对n型ZnO上制备肖特基接触的Au、Pt、Pd、Ag等金属方案的性能与特点,以及影响接触性能等因素,如表面处理和退火等进行了分析与归纳。同时,对p型ZnO上难以获得肖特基接触的原因进行了讨论。另外,由于Au、Pt等金属普遍存在热稳定差的问题,会降低ZnO基大功率器件的寿命,寻找能与n型ZnO能形成高热稳定性、低泄露电流、高势垒高度的肖特基接触材料是未来ZnO上肖特基光电器件的发展方向。
- 方亮董建新张淑芳张文婷彭丽萍吴芳孔春阳
- 关键词：ZNO肖特基接触泄露电流
- 磁控溅射制备In掺杂ZnO薄膜及NO_2气敏特性分析被引量：5
- 2009年
- 利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上成功制备了In掺杂的ZnO(ZnO∶In)薄膜。X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)的研究结果显示所制备的ZnO∶In为纤锌矿的多晶薄膜,具有高度C轴择优取向。气敏研究结果表明ZnO∶In薄膜对NO2气体有较强的敏感性,最佳工作温度为273℃,其敏感度与薄膜的厚度和NO2气体的体积分数有关。ZnO∶In薄膜对较高体积分数的NO2气体的灵敏度较高,而薄膜比厚膜的灵敏度高,厚度为90 nm的薄膜在273℃时对体积分数为2×10-5的NO2气体的敏感度高达16,表明ZnO∶In薄膜具有检测较低体积分数NO2的能力。
- 方亮彭丽萍杨小飞黄秋柳周科吴芳刘高斌马勇
- 关键词：氧化锌薄膜磁控溅射二氧化氮
- 粉末溅射制备ZnO:In薄膜及其光学性质的研究
- 以 ZnO 和 InO的粉末为原料压制成靶,利用射频磁控溅射技术在平板玻璃和石英玻璃衬底上成功制备出 In 掺杂的 ZnO(ZnO:In)薄膜。XRD 和 AFM 的研究结果显示所制备的 ZnO:In 薄膜为纤锌矿多晶结...
- 彭丽萍方亮杨小飞黄秋柳吴芳孔春阳
- 关键词：磁控溅射光学性质
- 文献传递
- ZnO上欧姆接触的研究进展
- 为制备高性能的 ZnO 基器件如 uv 光发射器/ 探测器、场效应晶体管,在 ZnO 上形成优良的金属电极是十分必要的．回顾了近年来 ZnO 上制备欧姆接触的新进展,对在 n 型 ZnO 上制备欧姆接触的 Al,Al/P...
- 董建新方亮张淑芳彭丽萍张文婷高岭
- 关键词：ZNO欧姆接触肖特基势垒透明电极
- 文献传递
