杨志祥
- 作品数：1 被引量：6H指数：1
- 供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- GaN纳米棒的制备及机理研究被引量：6
- 2009年
- 本文分别用三甲基镓和高纯蓝氨作为Ga源和N源,Ni(NO3)2作为催化剂,在Si(111)衬底上制得针尖状GaN纳米棒。测试结果表明制备的GaN纳米棒是沿<100>方向生长的纯六方相结构。通过对生长过程的分析,我们认为GaN纳米棒的生长过程不仅受到VLS机制的控制,而是多种生长方式共同作用的结果。在反应的初期,GaN纳米棒的生长遵从VLS机制;但是随着GaN纳米棒轴向和径向的生长,GaN纳米结构中纳米棒端部的Ni催化剂纳米球会被"挤"出顶部,在较大的气流流速下被吹落至衬底上,失去催化剂诱导作用的纳米棒随后自行外延生长;而吹落至衬底上的Ni催化剂纳米球成为第二次生长有利的形核位置,且再次生长出粗短的纳米棒。因此不同生长机制得到的GaN纳米棒交织在一起,形成了最终的GaN纳米结构。
- 王敬蕊叶志镇杨志祥马全宝姜静胡少华何海平
- 关键词：GAN纳米棒
