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文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇经济管理

主题

  • 2篇片上电感
  • 2篇放大器
  • 1篇低电压
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇低中频
  • 1篇低中频接收机
  • 1篇电路
  • 1篇电压
  • 1篇端接
  • 1篇译码
  • 1篇译码器
  • 1篇运算放大器
  • 1篇运算放大器设...
  • 1篇噪声系数
  • 1篇射频集成
  • 1篇射频集成电路
  • 1篇配送
  • 1篇配送中心

机构

  • 6篇复旦大学

作者

  • 6篇杨柯
  • 3篇任俊彦
  • 3篇徐栋麟
  • 2篇赵晖
  • 1篇林越
  • 1篇凌燮亭
  • 1篇胡波
  • 1篇潘莎
  • 1篇许俊
  • 1篇程旭
  • 1篇王晓峰
  • 1篇章倩苓

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学

年份

  • 4篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2001
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
CMOS射频前端接收器电路设计
近年来,随着无线通信技术的快速发展,相关领域的专用集成电路的设计研究备受关注;伴随着半导体工艺技术的不断进步,MOS器件的特征频率(fT)可达几个GHz甚者更高的水平,原来在射频和微波领域内占主导地位的三五族化合物半导体...
杨柯
关键词:CMOS射频集成电路低中频接收机下变频混频器片上电感
文献传递
物流配送中心作业特点及其建设规划方法
该文通过作者对几个物流配送中心设施的建设规划及运作调查,就'配送'这一新型服务方式做了一些分析探讨,分项描述了与物流配送中心相关的作业流程,归纳总结了配送中心在物流供应链中的地位和作用.该文试图通过一个在建的工程实例,着...
杨柯
关键词:物流配送中心
文献传递
低电压满电源幅度CMOS运算放大器设计被引量:5
2004年
回顾了在标准 CMOS工艺下 ,满幅度运放设计的各个发展阶段 ,结合笔者实际设计和测试的相关电路 ,较为详细地评述了它们的设计方法和各自的优缺点 ,着重阐述了低工作电压设计思想和如何做到输入级跨导的满幅度范围内恒定 ,使读者清楚了解该类运放的各自特点和发展趋势 ,为数模混合设计和系统级集成设计中采用何种运放结构提供了参考。在此基础上 ,提出了一种共模偏置电压具有严格的对称性能的新型满电源幅度运算放大器结构。
徐栋麟林越杨柯程旭任俊彦许俊
关键词:运算放大器低电压CMOS
补偿D/A译码器中梯度误差的新算法被引量:1
2004年
对数模转换器 (DAC)中温度译码转换矩阵的开关选取顺序进行了研究 .在 SG(sort and group)算法基础上 ,提出了一种新的补偿 DAC转化矩阵中梯度误差 (gradient error)的开关选取算法 .新的开关选取算法不仅使 DAC中由梯度误差造成的 INL (integral non- linearity)噪声幅值得到最优的衰减 ,而且在小幅值信号转化时大幅度减小了非线性噪声的能量 ,提高了小信号输入时输出信号的信噪比 (SNR,signal- to- noise ratio)
王晓峰杨柯凌燮亭胡波
关键词:开关序列
一种3.3V2-GHz CMOS低噪声放大器被引量:9
2004年
 介绍了一个针对无线通讯应用的2-GHz低噪声放大器(LNA)的设计。该电路采用标准的0.6μmCMOS工艺,电源电压为3.3V,设计中使用了多个片上电感。对低噪声放大器的噪声进行了分析,模拟结果显示,该电路能提供18dB的正向增益(S21)及良好的反向隔离性能(S12为-44dB),功耗为33.94mW,噪声系数为2.3dB,IIP3为-4.9dBm。
杨柯赵晖徐栋麟任俊彦
关键词:低噪声放大器片上电感噪声系数
Design of a CMOS Current-Adjustable Charge-Pump Circuit Insensitive to Power Supply and Temperature被引量:1
2003年
A CMOS charge-pump circuit with adjustable current is presented.A bandgap voltage reference,a low drop-out regulator,and a capacitive DC-DC voltage-booster are used to generate supply voltage for the current reference.This generated voltage is insensitive to the changes of external power supply voltage and temperature,while the current reference itself is insensitive to temperature.The circuit is designed in 0.18μm 1.8V standard digital CMOS process.The simulated results show that the performance of the circuit is satisfied.
赵晖徐栋麟潘莎杨柯任俊彦章倩苓
共1页<1>
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