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邓蕊

作品数：2 被引量：9H指数：2
供职机构：吉林大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇ZNO
  • 1篇电致发光
  • 1篇氧化锌
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结二极管
  • 1篇探测器
  • 1篇紫外探测
  • 1篇紫外探测器
  • 1篇物性研究
  • 1篇光电
  • 1篇光电薄膜
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇NIO
  • 1篇AG掺杂
  • 1篇GAAS衬底
  • 1篇掺杂
  • 1篇衬底

机构

  • 2篇吉林大学
  • 1篇中国科学院长...

作者

  • 2篇邓蕊
  • 1篇张吉英
  • 1篇申德振
  • 1篇姚斌
  • 1篇张振中
  • 1篇李炳辉
  • 1篇刘卫卫
  • 1篇单崇新
  • 1篇李永峰

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
ZnO基光电薄膜的物性研究及光电器件的设计与制备
ZnO宽禁带半导体,由于在短波长光电子器件潜在的应用前景,近十余年,一直是国际光电子领域的前沿课题和研究热点之一。虽然在ZnO薄膜材料制备和器件方面取得了很大的进展,但p型掺杂问题仍然没有解决,成为制约ZnO研究发展和应...
邓蕊
关键词：ZNOAG掺杂NIO紫外探测器
文献传递
生长在p-GaAs衬底上的ZnO基异质结二极管电致发光(英文)被引量：5
2010年
利用等离子体辅助分子束外延在p型砷化镓衬底上制备了ZnO异质结发光二极管。实验表明:GaAs与ZnO之间的氧化镁绝缘层能够有效改善器件光电性能,I-V特性的研究表明该器件具有良好的整流特性,开启电压为3 V,电致发光光谱由一个紫外发光峰和一个可见发光带构成,其来源分别为ZnO层中近带边缺陷以及深能级缺陷相关的辐射复合。
李炳辉姚斌李永峰邓蕊张振中刘卫卫单崇新张吉英申德振
关键词：氧化锌分子束外延电致发光
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