陈意桥
- 作品数：9 被引量：15H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 气态源分子束外延生长InAsP/InGaAsP应变NQW 1.3μ m激光器结构
- 李爱珍陈意桥齐鸣陈建新
- 关键词：INASP/INGAASP激光器
- Ga_xIn_(1-x)As/GaInAsP应变量子阱结构能带的计算被引量：4
- 2002年
- 对含有Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程,利用S.L.Chuang提出的传递矩阵法,计算了量子阱中不同Ga组分的GaxIn1-xAs/GaInAsP应变量子阱结构的能带,该结构可被选作980nm光通信泵浦激光器的有源层。研究还得到了GaxIn1-xAs/GaInAsP双应变量子阱结构中电子和空穴的能级以及能级的色散关系。
- 高少文陈意桥李爱珍
- 关键词：应变量子阱色散
- 应变InAsP/InGaAsP多量子阱结构及其变温光荧光谱
- 陈意桥李爱珍陈建新
- 高性能In_(0.53)Ga_(0.47)AsPIN光电探测器的研制被引量：9
- 2002年
- 报道了采用GSMBE方法研制的In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器,器件结构中引入了宽禁带InP窗口层和聚酰亚胺钝化工艺,减小了暗电流,提高了器件性能。在反向偏压为5V时器件的暗电流为640pA,反向偏压为10V时测得器件的上升时间为37.2ps,下降时间为30.45ps,半高宽为43.9ps。对影响探测器暗电流的因素和提高响应速度的途径进行了讨论。
- 刘家洲陈意桥税琼南矿军李爱珍张永刚
- 关键词：光电探测器分子束外延PIN二极管GSMBE宽禁带半导体
- 1.3μm InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱激光器被引量：1
- 2000年
- 采用气态源分子束外延方法及应变补偿生长工艺生长了InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱激光器材料，采用选择刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制作成了脊波导型1.3μm激光器芯片并对芯片性能进行了统计测量，测量结果表明此种激光器芯片在室温下的阈值电流可小于10mA，在25oC至90oC温度范围内特征温度大于90K，并表现出较好的单纵模特性。
- 张永刚陈建新陈意桥齐鸣李爱珍
- 关键词：量子阱激光器INASP/INGAASP
- 二维Bloch电子在电场与磁场中的准经典输运行为被引量：1
- 1998年
- 分别从周期场中电子准经典运动方程和作者之一最近提出的输运平衡方程出发，分析了二维Ｂｌｏｃｈ电子在电场和磁场作用下的准经典输运，给出了不同电场下电子纵向漂移速度ｖｘ和霍耳漂移速度ｖｙ随磁场的变化趋势．结果显示，ｖｘ和ｖｙ均随磁场连续变化，在任何给定电场下都没有发现纵向漂移速度或霍耳漂移速度随磁感应强度发生突变．这一结论与其他作者的预言相左．分析了造成分歧的可能原因，并指出：在电子准经典运动方程中直接引入阻尼力来描述准经典输运的办法有其局限性．
- 陈意桥雷啸霖
- 关键词：量子输运电场磁场
- GSMBEIn0.53Ga0.47As PIN高速光电探测器
- 本文报道了采用GsMBE方法研制的In<,0.53>Ga<,0.47>As PIN探测器,通过在器件结构中引入了宽禁带InP窗口层和聚酰亚胺钝化工艺,减小了暗电流,提高了性能,采用半导体参数测试仪对器件的I-V特性进行了...
- 张永刚刘家洲陈意桥南矿军税琼李爱珍
- 关键词：PIN探测器分子束外延生长半导体材料INGAAS
- 文献传递
- 1.3μm InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱激光器
- 采用气态源分子束外延方法及应变补偿生长工艺生长InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱激光器材料，采用选择刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制作成了脊波导型1.3μm激光器芯片并对芯片性能进行了统计测量，测量结果表明此种激光器芯片...
- 张永刚陈建新陈意桥
- 关键词：量子阱结构半导体激光器化合物半导体
- 文献传递
- GSMBE生长InGaP/GaAs HBT微结构材料研究
- 制作高性能HBT的关键之一是获得界面质量优良的半导体超薄异质结构材料,分子束外延是生长HBT微结构材料的最先进技术之一.本文报道了GSMBE技术生长In<,0.49>Ga<,0.51>P/GaAs HBT微结构材料及其原...
- 陈晓杰陈意桥陈建新李爱珍
- 关键词：分子束外延生长INGAP/GAAS双极晶体管半导体材料
- 文献传递
