刘金锋
- 作品数：55 被引量：122H指数：7
- 供职机构：中国工程物理研究院流体物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国工程物理研究院科学技术发展基金中国工程物理研究院科技发展基金更多>>
- 相关领域：电气工程理学电子电信一般工业技术更多>>
- 基于全控开关与自击穿开关的全固态Marx发生器
- 基于全控开关与自击穿开关的全固态Marx发生器，包括多个级联的全控开关级，还包括与级联全控开关级最后一级保持级联关系的至少一个自击穿开关级，所述自击穿开关级与全控开关级的区别在于：全控开关由自击穿开关替换，所述自击穿开关...
- 李洪涛王传伟王凌云姜苹刘金锋刘宏伟袁建强黄宇鹏丁胜赵娟李玺钦
- 文献传递
- 高功率重复频率固态脉冲功率源研究进展
- 高功率微波源发展需求推动了高功率重复频率固态脉冲功率源的发展，其备选电路拓扑结构有基于固体开关和固态脉冲形成器件的层叠Blumlein 线结构、基于固体开关的直线型变压器结构、基于陶瓷电容脉冲形成网络的Marx 结构等....
- 袁建强谢卫平刘宏伟刘金锋马勋李洪涛
- 关键词：光导开关直线型变压器脉冲形成网络
- 文献传递
- 500 kV全固态Marx发生器
- 500kV全固态Marx发生器采用Z型电路结构，以28个最大工作电压达22kV、满载最高连续重复运行频率达200Hz的绝缘栅双极型晶体管组件作为脉冲控制开关，采用以金属化膜电容器和线绕电感构成的梯形脉冲形成网络作为储能和...
- 李洪涛康军军丰树平谢卫平王传伟王凌云刘金锋姜苹刘宏伟袁建强黄宇鹏丁胜
- 关键词：脉冲发生器开关模块输出脉冲
- 文献传递
- 基于IGBT开关的重复频率直线变压器
- 2011年
- 采用3 300V/1 200AIGBT开关及直线变压器的电路结构,实现了单模块时在0.57Ω负载上4.3kA的脉冲电流输出和模块串联时在2.2Ω负载上4.6kV的电压输出,猝发式重复频率达到200Hz。整个系统包括4个3 300V/1 200A的IGBT开关器件及相应的驱动模块、缓冲模块、储能电容和磁芯等。实验结果表明:采用线性变压器的电路拓扑结构能够拓展固态IGBT开关的输出能力;直线变压器的电路结构结合固态IGBT开关能够很好地实现重复频率工作。在实验基础上分析了磁芯饱和及复位问题,并提出了一种有效的不采用复位而解决磁芯饱和的方法。
- 刘宏伟李洪涛王传伟赵越刘金锋袁建强周良骥
- 关键词：IGBT重复频率磁芯
- 铁电-铁磁多铁性脉冲形成线特性被引量：1
- 2010年
- 对"多铁性"脉冲形成线输出特性进行了研究。利用镍锌铁氧体-钛酸钡陶瓷复合多铁性材料制作了脉冲形成线。在不同的磁回路条件下得到了不同脉冲宽度的电脉冲方波,其中以高磁导率材料组合成的闭合磁回路得到了脉冲宽度约201 ns的方波输出。推算出脉冲形成线的相对介电常数接近2 000,相对磁导率大于1.4。基于有效磁导率的概念,分析了多铁性脉冲形成线几何构型对脉冲输出特性的影响。分析表明:平板状"多铁性脉冲形成线"的有效磁导率不仅取决于平板介质的磁导率,还取决于周围介质的磁导率,因而有效磁导率通常较小,其输出表现出明显的铁电性而只有"弱"的铁磁性;相比之下,同轴结构的"多铁性脉冲形成线"具有更高的有效磁导率,其输出可同时表现出强的铁电性和铁磁性,即更明显的"多铁性"。"多铁性脉冲形成线"有可能在紧凑型脉冲功率系统中获得应用。
- 刘金锋李洪涛王传伟刘宏伟姜苹田青秦卫东袁建强谢卫平
- 关键词：脉冲形成线铁电铁磁多铁性
- 基于光导开关的Blumlein型PFN能量转换效率被引量：2
- 2013年
- 为了驱动低能重复频率高阻抗X光管,采用低感陶瓷电容构建了一套电长度约33.5ns、阻抗约8Ω的Blumlein型脉冲形成网络(BPFN),在匹配负载条件下研究了采用GaAs光导开关(PCSS)作为脉冲输出开关时PCSS工作场强、激光触发能量与能量转换效率的关系。实验表明:PCSS截止场强为3.21～4.94kV/cm,在工作场强高于20kV/cm时,截止场强引起的能量损失对能量转换效率的影响不大;PCSS较高的导通电阻是影响PFN能量转换效率的主要因素,随着工作场强、激光触发能量的上升,能量转换效率呈指数上升趋势。
- 马勋邓建军刘金锋刘宏伟李洪涛
- 关键词：光导开关导通电阻
- 影响高功率光导开关临界频率热因素的数值分析被引量：5
- 2010年
- 基于时域有限差分法(FDTD)对非线性模式面结构砷化镓光导开关的热传导过程进行了数值模拟。研究了光导开关临界频率与电流丝位置、半径、数量、芯片尺寸、环境温度等参数的关系。研究表明:临界频率随电流丝半径、数量的增加,呈指数上升趋势;临界频率随着电流丝深度、芯片厚度的增加,呈指数下降趋势;临界频率在一定范围内随环境温度的增加呈线性下降趋势。
- 赵越谢卫平李洪涛刘金锋刘宏伟赵士操袁建强
- 关键词：光导开关砷化镓热传导
- SiC薄膜的SSMBE外延生长及其结构表征
- SiC 作为第三代宽带隙半导体材料，因具有优异的物理化学性能，在高温、高频、高压、大功率的电子器件以及光电子器件等应用领域中占有重要地位。而利用固源分子束外延(SSMBE)技术外延生长SiC薄膜，具有其独特的优势。我们在...
- 刘金锋
- 关键词：SIC薄膜半导体材料
- 基于全控开关与自击穿开关的全固态Marx发生器
- 基于全控开关与自击穿开关的全固态Marx发生器，包括多个级联的全控开关级，还包括与级联全控开关级最后一级保持级联关系的至少一个自击穿开关级，所述自击穿开关级与全控开关级的区别在于：全控开关由自击穿开关替换，所述自击穿开关...
- 李洪涛王传伟王凌云姜苹刘金锋刘宏伟袁建强黄宇鹏丁胜赵娟李玺钦
- 文献传递
- 基于光导开关的全固态器件功率源实验研究
- 2013年
- 研制了一种全固态器件重频功率源，采用GaAs光导开关和Blumlein型脉冲形成网络以级联的拓扑形式构建驱动源产生平顶高压脉冲。给出了Blum—lein型脉冲形成网络设计依据，以及充电电感和支撑电感值的计算方法，并分析了开关闭合不同步在脉冲形成网络上形成的过电压幅值。其中充电电感和支撑电感是该功率源设计的关键，直接影响各级网络充电电压幅值的一致性，输出波形畸变程度、电压叠加效率、负载上的预脉冲幅值。实验表明单级脉冲形成网络阻抗约为7．8Q，电长度约为36．5ns，12级光导开关型级联Blumlein型脉冲网络在匹配负载上输出电压达到220kV，脉宽约为63ns。
- 马勋邓建军姜苹刘宏伟袁建强刘金锋王凌云李洪涛
- 关键词：光导开关
