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张振声
作品数:
2
被引量:5
H指数:1
供职机构:
北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
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发文基金:
国家自然科学基金
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
交通运输工程
建筑科学
理学
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合作作者
徐军
宽禁带半导体研究中心北京100...
雷军
北京大学地球与空间科学学院
于超美
北京大学地球与空间科学学院
袁明武
北京大学工学院
王骥
北京大学物理学院北京大学实验室
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大型精密仪器
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作者
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徐军
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张振声
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张解东
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雷军
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1篇
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地铁和城铁引起地表振动的测试分析
被引量:4
2008年
通过对北京地铁二号线、十三号线沿线特定地段列车通过时引起地面振动的测试分析发现,在列车通过时引起的地表振动中高于10Hz以上的振动信号很容易被土层衰减,而在1—10Hz的振动信号难以衰减,其振动强度是无列车通过时的30—100倍。而且测试发现1—10Hz范围的振动信号在100m范围内传播几乎没有衰减。对于采用“钢弹簧浮置板道床”轨道减震装置路段,地表观测显示在1—10Hz频段上振动信号有一定减弱,但仍超出无列车通过时振动信号的10倍以上。因此,地铁低频振动引起的环境背案地面运动水平的显著提高无疑会对地铁沿线大型精密仪器设备的正常使用带来不利影响。
张解东
徐军
雷军
袁明武
刘锡大
于超美
张振声
王骥
关键词:
城市地铁
低频振动
大型精密仪器
电子显微镜
侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察(英文)
被引量:1
2005年
在有条状SiO2 图形的GaN“模板”上,侧向外延方法生长了高质量的GaN。荧光显微镜的结果表明在SiO2 掩膜区有成核过程发生。原因可能是SiO2 的质量不高,为GaN的生长提供了一些成核中心。在GaN层的厚度达到 4. 5μm后,侧向的融合开始发生。侧向生长的速度与垂直生长速度几乎相同。在所有的SiO2 掩膜上方都形成了空洞。样品在 240℃熔融的KOH中腐蚀 13min。在SiO2 掩膜区生长的GaN,其腐蚀坑密度(相当于穿透位错密度 )减少到几乎为零。而在窗口区生长的GaN,腐蚀坑密度仍然很高,达到 108 cm-2量级。同时,我们发现具有不同窗口尺寸的样品在SiO2掩膜区上侧向生长的GaN的晶体质量基本相同,与窗口区的宽度几乎无关。室温光荧光结果表明侧向外延法生长的GaN中的晶格失配应力已被部分释放。
杨志坚
胡晓东
章蓓
陆敏
陆羽
潘尧波
张振声
任谦
徐军
李忠辉
陈志忠
秦志新
于彤军
童玉珍
张国义
关键词:
氮化镓
金属有机化学气相沉积
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