徐昌发
- 作品数：4 被引量：13H指数：2
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部跨世纪优秀人才培养计划国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 4H-SiC MESFET的特性研究
- 2002年
- 对4H-SiC MESFET的特性研究发现,在室温下4H-SiC MESFET饱和漏电流的值为0.75A/mm,随着温度的上升,器件的饱和漏电流和跨导一直下降;栅长越短,沟道层掺杂浓度越高,饱和漏电流就越大。300K时器件的击穿电压为209V,计算出来的最大功率密度可达19.22W/mm。这些结果显示了4H-SiC在高温、高压、大功率器件应用中的优势。
- 徐昌发杨银堂朱磊
- 关键词：MESFET碳化硅场效应器件
- 碳化硅场效应晶体管技术与特性研究
- SiC材料由于具有宽禁带、高临界击穿电场、高饱和电子漂移速度、较大的热导率等优良特性,因此成为制作高温、高频、大功率器件的理想半导体材料.该文主要研究SiC场效应晶体管的特性和制作工艺.论文分析建立了4H-SiCMOSF...
- 徐昌发
- 关键词：负阻现象碳化硅场效应晶体管
- 文献传递
- 4H-SiC MOSFET的温度特性研究被引量：9
- 2002年
- 对 4H SiCMOSFET的器件结构和温度特性进行了研究 ,总结了器件的结构参数对特性的影响 ,比较了不同温度下的输出特性以及饱和漏电流、阈值电压、跨导、导通电阻与温度的变化关系 ,模拟结果表明 4H SiCMOSFET具有优异的温度特性 ,在 80
- 徐昌发杨银堂刘莉
- 关键词：4H-SICMOSFET碳化硅半导体材料结构参数
- SiC MESFET技术与器件性能被引量：4
- 2002年
- 介绍了 Si C MESFET器件的技术和性能。用 Si C材料制造的 MESFET的射频功率密度达到 4.6 W/mm,功率增加效率 (PAE)达到 6 5 .7%,击穿电压超过 1 0 0 V,表明 Si C器件具有高功率密度和高效率 ,在高功率微波应用中具有巨大的潜力。
- 徐昌发杨银堂
- 关键词：碳化硅肖特基势垒二极管MESFET
