王丽玉
- 作品数：6 被引量：42H指数：3
- 供职机构：中国科学技术大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- SiC肖特基紫外探测器
- 本实用新型SiC肖特基紫外探测器，特征是其衬底为n+型半导体SiC(1)，衬底背面采用电子束蒸发并合金形成欧姆接触的TiNiAg层(2)，衬底上面是n型SiC外延层(3)，外延层上面中间有源区是电子束蒸发并合金形成肖特基...
- 谢家纯王丽玉
- 文献传递
- 碳化硅紫外探测器的研究被引量：3
- 2003年
- 采用宽禁带半导体n 4H SiC和金属Au作肖特基接触 ,TiNiAg合金作背底形成欧姆接触 ,研制出Au/n 4H SiC肖特基紫外探测器 .测试分析了该器件的光谱响应特性 :响应范围为 2 0 0～ 4 0 0nm之间 ;在室温无偏压下 ,响应峰值在 31 0nm处 ,响应半宽为 85nm .同时测试分析了该器件的I V特性 :在室温下 ,正向开启电压为 0 .8V ,反向击穿电压大于 2 0 0V ,反向漏电流小于 1 0 -10 A ;工作温度大于 2 50℃ .实验表明 ,Au/n 4H
- 王丽玉谢家纯胡林辉王克彦
- 关键词：宽禁带SIC肖特基光谱响应
- SiC肖特基紫外光电探测器的研制被引量：4
- 2004年
- 采用微电子平面工艺,用宽禁带半导体n 4H SiC和金属Au(或Ni)形成肖特基接触,Ti、Ni、Ag合金在背底作欧姆接触,制备出Au/n 4H SiC和Ni/n 4H SiC肖特基紫外光电探测器。测试分析了这两种器件的光谱响应特性及其I V特性。其光谱响应范围均是200～400nm,室温无偏压下,Au/n 4H SiC的光谱响应峰值在310nm,光谱响应半宽是73nm,室温7V偏压下光谱响应峰值86.72mA/W,量子效率可达37.15%,Ni/n 4H SiC相应的参数分别为300nm、83nm、45.84mA/W及18.98%。Au/n 4H SiC室温下正向开启电压0.81V,Ni/n 4H SiC是0.52V,两者反向击穿电压均大于200V,反向漏电流小于1×10-10A。
- 王丽玉谢家纯刘文齐
- 关键词：紫外探测SIC宽禁带肖特基
- 宽禁带半导体SiC、ZnO紫外光电器件的研究
- 该论文主要是对SiC、ZnO的紫外光电器件进行研究.全文有五章,其中主要内容有四章,分别简单介绍如下.第二章和第四章分别综述了宽禁带半导体材料SiC、ZnO的性质、制备方法和工艺及器件的研究现状.第三章是对SiC紫外光电...
- 王丽玉
- 关键词：宽禁带半导体
- 文献传递
- n-ZnO/p-Si异质结UV增强型光电探测器的研究被引量：30
- 2004年
- 采用平面工艺,在p+-Si背底上电子束蒸发Al制作欧姆电极,在p-Si外延层上溅射掺Al的 ZnO薄膜,再蒸发Al作有源区欧姆电极,研制成n-ZnO/p-Si异质结UV(ultraviolet)增强型光电探测器。测试结果表明:器件明显增强了200～400 nm紫外光的响应,同时保持了传统的Si探测器对波长大于400 nm波段的光谱响应,在330,420,468、525 nm附近有四个明显的光谱峰值响应。器件光致发光谱(PL)在371 nm处有发光峰值。
- 王丽玉谢家纯林碧霞王克彦傅竹西
- 关键词：氧化锌异质结宽禁带
- 4H-SiC肖特基势垒二极管温度特性研究被引量：6
- 2003年
- 采用平面工艺 ,用高真空电子束分别蒸发金属Ni、Ti做肖特基接触 ,采用多层金属Ni、Ti、Ag合金做欧姆接触 ,制作出Ni/ 4H SiC、Ti/ 4H SiC肖特基势垒二极管(SBD) .研究了在 - 1 0 0～ 50 0℃之间器件正向直流压降与温度变化的关系 .实验表明 :当通过肖特基势垒二极管的正向电流恒定时 ,器件正向直流压降随温度变化具有线性关系 ,斜率约为 1 .8mV/℃ ,由此 ,提出了以 4H
- 胡林辉谢家纯王丽玉徐军易波
- 关键词：碳化硅肖特基二极管温度
