王坤鹏
- 作品数：18 被引量：89H指数：7
- 供职机构：山东大学物理学院晶体材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划山东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- KDP晶体本征中性点缺陷的第一性研究被引量：7
- 2005年
- 用第一性原理研究了KH2PO4(KDP)晶体中性本征点缺陷的形成能并计算了常温下点缺陷的浓度。计算得到中性填隙氢原子的形成能为2.05 eV,进而得到298 K下的浓度约为1.21×10-17mol/L。由于填隙氢原子在带隙中形成缺陷能级,并使能隙降低了2.6 eV,因此消除填隙氢原子有利于提高晶体在355 nm附近的激光损伤阈值。计算得到的氧间隙、氧空位、钾空位和氢空位的形成能分别为0.60、5.25、6.50和6.58eV,常温下它们在晶体中也以较高的浓度存在。钾空位使晶胞体积增大约3.2%,并可能提高晶体电导率,从而降低光损伤阈值。P取代K的反位结构缺陷形成能尽管较低(4.1 eV),但由于晶体生长溶液中P是以PO4四面体的形式存在,故此点缺陷的存在几率很小。
- 王坤鹏张建秀房昌水于文涛王圣来顾庆天孙洵
- 关键词：KDP晶体点缺陷第一性原理
- KDP晶体激光损伤机理研究被引量：11
- 2004年
- 大口径KDP晶体是唯一可用作激光约束核聚变(ICF)中Pockels盒和倍频器件的晶体材料,但是低的抗激光损伤阈值使其应用受到了限制。本文从电子 空穴对的产生及稳定机制、光伤实体的本质等方面总结了多年来人们对KDP晶体激光损伤机理的研究进展,尤其从多光子电离、碰撞电离、激光加热三个方面定性阐述了电子 空穴对的产生机制,而电子 空位对的稳定机制是探讨光损伤的关键步骤。另外从晶体生长过程及后处理两个方面初步讨论了提高光伤阈值和光学均匀性的途径。
- 王坤鹏房昌水张建秀王圣来孙洵顾庆天李义平
- 关键词：KDP晶体ICF晶体材料
- CMTD晶体的螺位错生长机理被引量：3
- 2004年
- 用原子力显微镜在有机非线性光学晶体CdHg(SCN)4(H6C2OS)2(CMTD)的(001)面上观察到了许多奇特的心形螺旋生长丘,这种心形线不同于由反向双螺位错发展而成的瑞德环(Frank Read)。我们认为这种心形螺旋生长丘的相邻层交替生长除了与21螺旋轴有关外,还与在台阶源附近形成的结构畴有关。在由心形缺口推展出去的直线"划痕"两侧的台阶流上观察到的相互垂直分布的二维核,使我们认为直线"划痕"可能是90°的结构畴。实验结果说明晶体的结构及台阶源附近的分子键合方向及强度使不同晶体的生长具有独特的规律性。
- 王坤鹏张建秀孙大亮于文涛郭士义耿延玲
- 关键词：螺位错有机非线性光学晶体
- KDP晶体生长过程中溶液稳定性的研究被引量：11
- 2004年
- 在KDP晶体生长过程中,溶液的稳定性对KDP晶体的光学质量影响较大。溶液的稳定性是多种因素共同作用的结果。本文主要研究了过饱和KDP溶液中晶胚的分布情况、降温过程中晶体生长驱动力与降温速度之间的关系,并分析了KDP晶体实际生长过程中影响溶液稳定性的主要因素。我们认为,通过改善KDP晶体生长过程中溶液的稳定性,并与其它措施和技术相结合,是提高KDP晶体光学质量的有效途径。
- 李云南房昌水顾庆天孙洵王圣来李义平王坤鹏王波
- 关键词：KDP晶体稳定性晶胚
- 非线性光学晶体NaBa4Al2B8O18Cl3的生长和性质研究
- ＜正＞在探索新型硼酸盐非线性光学晶体的过程中,人们逐渐发现卤素与硼酸盐结合可能会产生一些具有鲜明特色的新型非线性光学晶体材料。例如,F元素的引入往往有利于非线性光学晶体的紫外截止边紫移[1];Br、I的引入则通常有利于产...
- 方金芝张建秀王坤鹏张国春王继扬吴以成
- KDP晶体中点缺陷Na取代K的电子结构研究被引量：3
- 2006年
- 对磷酸二氢钾(KDP)晶体中Na取代K点缺陷的几何结构及电子结构进行了第一性研究。计算的形成能约为0.46 eV,因此在KDP晶体中此类缺陷比较容易形成。Na取代K以后没有在带隙中形成缺陷态,但在价带中引入两个占据态。它们分别位于费米面以下49 eV和21.5 eV处,这两个占据态分别由Na原子的s和p轨道形成。相对于K来说,由于它们位于价带深处,具有很低的能量,因此Na在KDP中比K稳定。Na在KDP晶体中与周围氧原子的重叠布居仅为0.09,故它不与主体原子发生共价作用,仅以静电库仑力影响周围原子,此缺陷周围晶格仅发生微小畸变。
- 王坤鹏张建秀房昌水赵显于文涛王圣来顾庆天孙洵
- 关键词：KDP晶体点缺陷第一性原理
- 硫酸盐掺杂对KDP晶体生长的影响被引量：15
- 2005年
- SO42-是KDP原料中一种常见的杂质离子,通过传统降温法和“点籽晶”快速生长法研究了掺杂K2SO4的KDP晶体的生长。实验表明,硫酸根低浓度掺杂时可提高溶液的稳定性,促进晶体的生长,造成柱面扩展;高浓度时溶液稳定性遭到破坏,出现杂晶,晶体生长速度变慢,晶体出现开裂,柱面发生“楔化”。
- 张建芹王圣来房昌水孙洵顾庆天李毅平王坤鹏王波李云南刘冰
- 关键词：硫酸根KDP晶体晶体生长
- 一水甲酸锂单晶生长和(110)面边界层的全息研究被引量：2
- 2003年
- 本文合成一水甲酸锂原料 ,选择适宜生长条件 ,用水溶液法培育出完美一水甲酸锂单晶 (LFM)。利用全息相衬干涉显微术对 (110 )面边界层特性进行实时观测和研究。实验表明 ,在自然对流情况下 ,边界层内折射率梯度分布函数Δn(x)和浓度分布函数Cx(x)为指数形式 ;另外 ,体过饱和度与晶面过饱和度之间呈指数关系。
- 苏静于锡玲殷绍唐孙大亮程秀凤王坤鹏
- 关键词：单晶生长边界层
- 提高KDP晶体光学质量及DMTD晶体生长机理研究
- 磷酸二氢钾(KDP)是人们发现的最古老的非线性光学晶体之一，至今已有近80年的研究历史。该晶体广泛应用于激光变频、电光调制和光快速开关等领域，是激光核聚变装置中的关键材料。KDP晶体的生长速度和晶体质量是人们一直关心的问...
- 王坤鹏
- 关键词：激光损伤阈值光学均匀性有限元模拟
- KDP/KD*P晶体生长过程中柱面扩展的研究
- 2004年
- 目前在KDP/KD*P晶体的实际生长过程中,仍以传统降温法为主.在传统降温速度的基础上适当提高降温速度,可以加快KDP/KD*P晶体的生长速度,但与此同时有可能产生柱面扩展.为此,我们对不同生长环境下的KDP/KD*P晶体生长过程中柱面扩展进行了一系列研究.实验中所用KDP原料和去离子水均与生长大口径KDP晶体相同,其它各项条件也尽量模拟大口径KDP晶体生长过程中的实际情况.在晶体生长实验过程中通过研究不同条件下KDP/KD*P晶体的柱面扩展情况来研究柱面扩展对KDP/KD*P晶体光学质量影响的共同特点.通过分析和研究实验数据及晶体生长过程,我们认为在正常生长条件下引起柱面扩展的主要因素有两个:溶液的过饱和度和籽晶柱面存在的缺陷.扩展部分的晶体的光学质量与本体部分差别较大,扩展部分对光的透过率在紫外部分下降很快,明显低于本体部分在这一波段的透过率.本体部分和扩展部分对光的透过率在其它波段差别不十分突出.
- 李云南房昌水孙洵顾庆天王圣来王坤鹏王波刘冰张建芹
- 关键词：生长习性透过率KDP晶体
