盖红星
- 作品数：17 被引量：26H指数：3
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱增益特性研究
- 采用Shu Lien Chuang方法计算了AlInGaAs/AlGaAs应变引起价带中重、轻空穴能量变化曲线,在Harrison模型的基础上详细地计算了AlInGaAs/AlGaAs和GaAs/AlGaAs量子阱电子、...
- 盖红星李建军韩军邢艳辉邓军俞波沈光地陈建新
- 关键词：光电子学应变量子阱光增益半导体激光器
- 文献传递
- In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/GaAs组分x和y间约束关系及应用
- 2004年
- 计算出与 GaAs 衬底相匹配的In GaxAsyP1-y 组分 x 和 y 的约束关系,并加以验证;用约束关系 1-x简化带隙与组分x 和 y 函数关系,使之变为单变量y的函数,并给出晶格常数、带隙与组分关系的三维图,并长出材料加以证实。
- 王建峰牛南辉盖红星李冰韩军徐遵图沈光地
- 关键词：单变量三维图
- 应变InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生长优化及其在980nm半导体激光器中的应用被引量：7
- 2005年
- 使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子阱。研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响。并将优化后的量子阱生长条件应用于980 nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19 mA,未镀膜斜率效率为0.6 W/A,输出功率在100 mW的器件。
- 俞波盖红星韩军邓军邢艳辉李建军廉鹏邹德恕沈光地
- 关键词：光电子学半导体激光器应变量子阱金属有机化学气相淀积
- 应变InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生长优化及其在980nm半导体激光器中的应用
- 使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs980nm量子阱.研究了生长温度,生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响.并将优化后的量子阱生长条件应用于980nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19...
- 俞波盖红星韩军邓军邢艳辉李建军廉鹏邹德恕沈光地
- 关键词：光电子学半导体激光器应变量子阱金属有机化学气相淀积
- 文献传递
- MOCVD在位监测技术及其在VCSEL研制中的应用
- 2004年
- 使用MOCVD技术生长了 980nmVCSEL ,在GaAs/AlGaAsDBR对的生长过程中通过相干反射率测量方法实现了在位监测和实时校正生长。白光反射谱测量结果表明通过上述手段准确控制了外延层的光学厚度。外延生长结束后 ,制备了 980nmVCSEL ,器件在室温下连续工作 ,输出功率为 7.1mW ,激射波长为 974nm ,斜率效率为 0 .4 6 2mW/mA。
- 俞波邓军韩军盖红星牛南辉形艳辉廉鹏郭霞渠宏伟沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器
- 应变GaInNAs/GaAs量子阱光增益特性研究
- 2005年
- 采用近似方法对GaInNAs材料的能带结构进行了分析,并计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱能级,在此基础上进一步计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱的材料光增益谱。对计算结果的分析表明,应变GaInNAs/GaAs量子阱材料是一种可以应用于1300nm波段的新型长波长半导体光电子材料。
- 俞波韩军李建军盖红星牛南辉邓军邢艳辉廉鹏沈光地
- 关键词：应变量子阱光增益GAINNAS
- C掺杂GaAs外延层光学特性分析
- 2006年
- 对利用EMCORE D125 MOCVD系统生长的以CCl4为掺杂源,分析不同C掺杂浓度的GaAs 外延层光学特性。通过PL、DC XRD测试手段研究了掺C GaAs层,随C掺杂浓度增加,禁带宽度收缩, PL谱峰值半宽增大,晶格常数减小。
- 邢艳辉李建军邓军韩军盖红星沈光地
- 关键词：光电子学光荧光谱X射线衍射
- 利用光学薄膜模型研究垂直腔面发射激光器的光学特性被引量：1
- 2005年
- 可以把垂直腔面发射激光器看作是多层光学薄膜,应用光学薄膜原理对其光学薄膜的特性进行了研究。计算分析了布拉格反射镜和谐振腔模的反射谱受器件结构变化的影响。通过利用菲涅耳系数矩阵法计算,得到了光在垂直腔面发射激光器器件结构中形成的驻波场分布。结果表明,利用菲涅耳系数矩阵法设计垂直腔面发射激光器的光学薄膜是一种快捷准确的方法。
- 盖红星郭霞邓军李建军韩军邢艳辉俞波牛南辉陈建新沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器光学薄膜反射谱驻波场半导体激光器
- AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱增益特性研究被引量：3
- 2005年
- 采用Shu Lien Chuang方法计算了AlInGaAs/AlGaAs应变引起价带中重、轻空穴能量变化曲线,在Harrison模型的基础上详细地计算了AlInGaAs/AlGaAs和GaAs/AlGaAs量子阱电子、空穴子能级分布并且进一步研究了这两种材料在不同注入条件下的线性光增益。进一步计算比较可以得出AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱光增益特性要优于GaAs/AlGaAs非应变量子阱增益特性,因此AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱半导体材料应用于半导体激光器比传统GaAs/AlGaAs材料更具优势。
- 盖红星李建军韩军邢艳辉邓军俞波沈光地陈建新
- 关键词：光电子学应变量子阱光增益半导体激光器
- 金属有机化合物汽相淀积技术制备布拉格反射镜确定外延厚度的方法被引量：3
- 2006年
- 外延膜层厚度的精确性对垂直腔面发射激光器(VCSEL)是十分重要的。应用传输矩阵方法分析了厚度偏差对半导体布拉格反射镜(DBR)反射谱的影响,并利用这种影响提出了一种金属有机化合物汽相淀积(MOCVD)制备布拉格反射镜精确确定外延厚度的方法。据此,应用MOCVD生长了980 nmVCSEL外延片,其反射谱中心波长为982 nm。结果表明,应用这种方法能够实现材料厚度、MOCVD系统生长参数的定标以及为VCSEL的材料生长提供可靠的依据。
- 盖红星陈建新邓军廉鹏俞波李建军韩军沈光地
- 关键词：布拉格反射镜反射谱
