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罗克俭

作品数：4 被引量：16H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家攀登计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇半导体
  • 2篇电场
  • 2篇电场作用
  • 2篇激子
  • 1篇导体
  • 1篇点特征
  • 1篇展宽
  • 1篇砷化铝
  • 1篇砷化镓
  • 1篇纵向电场
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇量子阱结构
  • 1篇纳米硅
  • 1篇纳米硅薄膜
  • 1篇晶格
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇硅薄膜

机构

  • 4篇中国科学院
  • 1篇北京大学
  • 1篇北京航空航天...

作者

  • 4篇罗克俭
  • 2篇杨小平
  • 2篇徐士杰
  • 1篇余明斌
  • 1篇刘剑
  • 1篇江德生
  • 1篇郑厚植
  • 1篇李承芳
  • 1篇何宇亮
  • 1篇奚中和
  • 1篇张耀辉
  • 1篇刘伟
  • 1篇张伟
  • 1篇戎霭伦
  • 1篇吕燕伍

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇自然科学进展...

年份

  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 2篇1995
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
Ⅰ类－Ⅱ类混合GaAs／AlAs量子阱中自由载流子散射导致的激子展宽
1995年
我们在Ⅰ类－Ⅱ类混合ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ非对称量子阱结构的样品上，在较低的激发光强下在宽阱中获得了较高密度的光生电子积累．利用光致发光方法详细地研究了自由载流子散射对激子展宽的贡献，发现低温下随着载流子密度的增加，载流子散射导致的激子展宽随之增加，在一定激发光强下光荧光谱上出现７７Ｋ激子线宽大于室温激子线宽的现象．我们根据载流子对激子态的散射理论进行了计算，发现实验结果和理论预言符合得很好。
刘伟罗克俭江德生张耀辉杨小平
关键词：砷化镓砷化铝激子
在纵向电场作用下量子阱中空间直接／间接激子的转化
1995年
本文采用特殊设计的阶梯型量子阱结构研究了在纵向电场作用下量子阱中空间直接／间接激子的转化．在７７Ｋ低温下，我们从稳态光荧光谱（ＰＬ谱）上直接观察到了这种转化所导致的光谱激子峰的蓝移．
罗克俭郑厚植李承芳徐士杰张鹏华张伟杨小平
关键词：激子电场纵向电场半导体
纳米硅薄膜中的量子点特征被引量：16
1996年
从电性和结构上论证了纳米硅薄膜中的细微晶粒(3～6 nm)具有量子点(Q.D)特征。在其电导曲线中呈现出随晶粒尺寸减而增大的小尺寸效应。使用薄层(～20nm厚)纳米硅膜制成了隧道二极管,已在液氮温区(≈77K)在其Ⅰ-Ⅴ及(?)-Ⅴ曲线上呈现出Coulomb台阶。对实验结果做了初步分析讨论。
何宇亮余明斌吕燕伍戎霭伦刘剑徐士杰罗克俭奚中和
关键词：纳米硅量子点半导体
电场作用下GaAs/AlGaAs复杂量子阱的光学性质研究
电场作用下半导体超晶格和量子阱的光学性质是量子阱光电器件应用的基础.该文对其中的一些问题进行了探讨和研究,并用能带剪裁方法设计了一些较为复杂和独特的GaAs/AlGaAs量子阱结构,取得了一些有意义的结果.研究人员采用特...
罗克俭
关键词：电场半导体超晶格光学性质GAAS/ALGAAS量子阱结构
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