蒋红利
- 作品数：4 被引量：9H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 600V高低压兼容BCD工艺及驱动电路设计被引量：7
- 2010年
- 基于高压功率集成电路的关键参数性能要求和现有工艺条件,在国内3μmCMOS工艺基础上,开发出8～9μm薄外延上的600VLDMOS器件及高低压兼容BCD工艺,并设计出几款600V高压半桥栅驱动电路。该工艺在标准3μm工艺基础上增加N埋层、P埋层及P-top层,P埋层和P阱对通隔离,形成各自独立的N-外延岛。实验测试结果表明:LDMOS管耐压达680V以上,低压NMOS、PMOS及NPN器件绝对耐压达36V以上,稳压二极管稳压值为5.3V。按该工艺进行设计流片的电路整体参数性能满足应用要求,浮动偏置电压达780V以上。
- 蒋红利朱玮李影乔明
- 关键词：LDMOS
- STN-LCD高压驱动电路的可靠性设计
- 液晶显示器LCD以其低压、微功耗、显示信息量大、体积小、易于彩色化、无辐射、长寿命等优点而得到迅速发展。而STN-LCD相对于TFT-LCD、TN-LCD，性价比高，显示品质好，采用多路动态驱动，广泛应用于移动电话、计算...
- 蒋红利
- 关键词：液晶显示器高压驱动电路CMOS工艺
- 文献传递
- 一种STN-LCD驱动电路的可靠性分析与设计被引量：1
- 2007年
- 文章主要对一种常规的小规模STN-LCD驱动电路在使用过程中出现的可靠性失效问题进行分析和讨论,对在干扰环境中工作的集成电路的芯片级的抗干扰和可靠性设计提出了一些建议及总结。在实际分析过程中,采用模拟再现实际使用环境进行实验等方式,对电路出现的失效现象进行再现和定位。通过对失效结构的设计线路和失效机理的分析,对具体引起失效的上电复位结构和通信端口结构进行了设计改进。目前,经过实际流片和测试,改进方案通过了验证。
- 蒋红利刘明峰饶喜冰苏郁秋吴金
- 关键词：抗干扰性
- 亚微米CMOS电路中V_(DD)-V_(SS)ESD保护结构的设计被引量：1
- 2006年
- 文章根据一个实际电路中ESD保护结构的设计,引出了一种亚微米CMOS IC中基于RC延迟而设计的VDD-VSS之间直接电压钳位结构,并结合例子中此结构前后的修改优化对该结构进行了详细的仿真分析。进一步比较了两种VDD-VSS电压钳位结构的优劣。最后阐述了亚微米CMOS电路的设计中,全芯片ESD结构的有效设计。
- 蒋红利刘明峰于宗光
- 关键词：ESD
