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朱玮

作品数：1 被引量：7H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇驱动电路
  • 1篇驱动电路设计
  • 1篇RESURF
  • 1篇LDMOS

机构

  • 1篇电子科技大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇乔明
  • 1篇蒋红利
  • 1篇李影
  • 1篇朱玮

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
600V高低压兼容BCD工艺及驱动电路设计被引量：7
2010年
基于高压功率集成电路的关键参数性能要求和现有工艺条件,在国内3μmCMOS工艺基础上,开发出8～9μm薄外延上的600VLDMOS器件及高低压兼容BCD工艺,并设计出几款600V高压半桥栅驱动电路。该工艺在标准3μm工艺基础上增加N埋层、P埋层及P-top层,P埋层和P阱对通隔离,形成各自独立的N-外延岛。实验测试结果表明:LDMOS管耐压达680V以上,低压NMOS、PMOS及NPN器件绝对耐压达36V以上,稳压二极管稳压值为5.3V。按该工艺进行设计流片的电路整体参数性能满足应用要求,浮动偏置电压达780V以上。
蒋红利朱玮李影乔明
关键词：LDMOS
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