邹鹏辉
- 作品数：6 被引量：12H指数：2
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 电子束蒸发金膜速率分析被引量：6
- 2013年
- 在不同的蒸发速率下沉积300nm的Au薄膜,研究蒸发速率对薄膜表面形貌和性能的影响。随着蒸发速率的提高,薄膜的结构变得致密,晶粒尺寸和表面粗糙度减小。金薄膜方阻随着蒸发速率提高无明显变化,而方阻均匀性变差,但在可接受的范围内。但蒸发速率过高会引起金属大颗粒增多。因此,选用适合的蒸发速率对Au膜质量有很大影响。文中的初步结果可对改善电容特性和提升器件性能提供参考。
- 邹鹏辉陈舒恬高建峰耿涛
- 关键词：电子束蒸发金膜
- 电子束蒸发速率对Ti/GaAs肖特基势垒特性的影响被引量：3
- 2015年
- 通过在不同的速率下蒸发相同厚度的Ti金属薄膜,研究电子束蒸发速率对Ti膜表面形貌和性能的影响。试验表明随着Ti蒸发速率的提高,薄膜表面没有明显差别,但薄膜的结构变得致密,相同厚度下金属薄膜方阻变小,Ti金属间结合更紧密。同时在研究中发现不同速率蒸发的Ti膜能在一定范围内影响GaAs器件势垒高度,可以在同等条件下通过Ti蒸发速率调整来获得合适的肖特基势垒,因此Ti蒸发速率是制作GaAs器件肖特基势垒的关键因素之一。
- 邹鹏辉黄念宁王彦硕高建峰林罡徐筱乐
- 关键词：电子束蒸发肖特基势垒
- SiC基GaN激光划片工艺研究被引量：1
- 2017年
- 介绍了一种SiC基GaN激光划片工艺。通过对划痕形貌、裂片效果、热效应和装配适应性四方面的分析,在几种氮化镓激光划片试验中优化得出高质量划切工艺,并通过小批量生产证明新工艺在良率、效率方面有一定的优势。
- 王彦硕邹鹏辉贾洁林罡高建峰陈堂胜
- 关键词：碳化硅衬底激光划片划痕
- 利用空气桥技术实现InP基共振遂穿二极管器件被引量：2
- 2009年
- 优化设计了InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)材料结构,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性:峰值电流密度78kA/cm2,峰谷电流比(PVCR)为7.8。利用空气桥互连技术实现该类器件,在国内尚属首次。
- 韩春林邹鹏辉高建峰薛舫时张政耿涛陈辰
- 关键词：电子束光刻空气桥
- 采用复合帽层改善GaAs HEMT/PHEMT的欧姆接触特性被引量：1
- 2015年
- GaAs HEMT/PHEMT的欧姆特性对器件的性能和可靠性至关重要,通常为了得到最好的欧姆接触特性,帽层(CAP层)的掺杂浓度大约在5E+18cm-3的水平,已经达到了GaAs掺杂的极限。为了进一步改善GaAs HEMT/PHEMT欧姆特性,本文的研究工作是在砷化镓帽层上生长一层10nm厚、具有更小禁带宽度的InGaAs薄层,基于这种新的外延结构,在欧姆制作工艺不变的情况下,制作的欧姆接触具有更低的欧姆接触电阻率和更好的一致性。
- 黄念宁韩克锋高喜庆邹鹏辉高建峰
- 关键词：接触电阻率一致性
- InP基RTD/HEMT集成的几个关键工艺研究
- 2010年
- 用MBE设备在半绝缘的InP衬底上依次生长高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料和共振遂穿二极管(RTD)外延材料,在此材料结构基础上研究和分析了RTD与HEMT器件单片集成工艺中的隔离工艺、欧姆接触工艺、HEMT栅挖槽工艺和空气桥工艺等几步关键工艺,给出了这些工艺的相关参数。利用上述工艺成功地制作了RTD和HEMT器件,并在室温下分别测试了RTD器件和HEMT器件的电学特性。测试表明:在室温下,RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比(PVCR)为3.66;HEMT器件的最大跨导约为370 mS/mm,在Vds=1.5 V时的饱和电流约为391 mA/mm。这将为RTD与HEMT的单片集成研究奠定工艺基础。
- 邹鹏辉韩春林高建峰康耀辉高喜庆陈辰
- 关键词：高电子迁移率晶体管
