耿涛
- 作品数：6 被引量：16H指数：2
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 利用空气桥技术实现InP基共振遂穿二极管器件被引量：2
- 2009年
- 优化设计了InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)材料结构,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性:峰值电流密度78kA/cm2,峰谷电流比(PVCR)为7.8。利用空气桥互连技术实现该类器件,在国内尚属首次。
- 韩春林邹鹏辉高建峰薛舫时张政耿涛陈辰
- 关键词：电子束光刻空气桥
- 磁控溅射AlN介质的14W/mm AlGaN/GaN MIS-HEMT被引量：1
- 2009年
- 介绍了一种采用磁控溅射AlN介质作为绝缘层的的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT。器件研制中采用了凹槽栅和场板结构。采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压。在2GHz、75V工作电压下,研制的200μm栅宽AlGaN/GaN MIS-HEMT输出功率密度达到了14.4W/mm,器件功率增益和功率附加效率分别为20.51dB和54.2%。
- 任春江陈堂胜焦刚耿涛薛舫时陈辰
- 关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管MIS电流崩塌
- PHEMT欧姆接触的双源共蒸技术被引量：1
- 2007年
- 近年来,砷化镓器件的发展极为迅速。其中,欧姆接触的制作是器件研制的关键工艺之一。为了提高GaAsPHEMT器件欧姆接触的性能和可靠性水平,文章比较了三种常见的GaAsPHEMT器件欧姆接触制备技术的差异,分别是:分层蒸发、溅射+蒸发、双源共蒸。通过传输线模型(TLM)法测试数据以及微细形貌分析,得出双源共蒸工艺制备的欧姆接触的电阻率和均匀性综合特性最佳,因此认为双源共蒸技术在大尺寸GaAsPHEMT圆片工艺中具有最优的综合特性。
- 贾洁郑华耿涛黄念宁
- 关键词：GAASPHEMT欧姆接触
- 电子束蒸发金膜速率分析被引量：6
- 2013年
- 在不同的蒸发速率下沉积300nm的Au薄膜,研究蒸发速率对薄膜表面形貌和性能的影响。随着蒸发速率的提高,薄膜的结构变得致密,晶粒尺寸和表面粗糙度减小。金薄膜方阻随着蒸发速率提高无明显变化,而方阻均匀性变差,但在可接受的范围内。但蒸发速率过高会引起金属大颗粒增多。因此,选用适合的蒸发速率对Au膜质量有很大影响。文中的初步结果可对改善电容特性和提升器件性能提供参考。
- 邹鹏辉陈舒恬高建峰耿涛
- 关键词：电子束蒸发金膜
- MMIC高温工作加速寿命试验失效机理分析被引量：6
- 2012年
- 采用恒定功耗高温加速的试验方法,搭建了相关的试验系统,对高温工作寿命试验(HTOL)方法在功率GaAs MMIC领域的应用进行了一些探索。试验获得了对失效机理进行分析所需的失效数,所有样品的失效都是由同一原因引起的。通过监测数据和失效样品的分析,发现存在欧姆接触退化与栅金属下沉两种失效机理,但最终引起失效的机理单一,为栅金属下沉。
- 林罡贾东铭耿涛黄念宁徐波薛静高建峰金毓铨
- 关键词：砷化镓微波单片集成电路赝配高电子迁移率晶体管
- n型4H-SiC欧姆接触技术研究进展
- 主要对不同金属和工艺条件下的4H-SiC欧姆接触特性进行对比研究,从而摸索出得到良好欧姆接触的最佳工艺条件.文中介绍了欧姆接触的工艺流程,并通过TLM方法测量特征接触电阻率,测得NiCr和Ni与4H-SiC的最佳特征接触...
- 陈刚耿涛柏松
- 关键词：欧姆接触反应离子刻蚀
- 文献传递
