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郑良辰

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇应变硅
  • 2篇锗硅
  • 2篇小尺寸
  • 2篇隔离区
  • 2篇PMOS
  • 2篇锗

机构

  • 2篇电子科技大学

作者

  • 2篇甘程
  • 2篇罗谦
  • 2篇王向展
  • 2篇王微
  • 2篇刘斌
  • 2篇曾庆平
  • 2篇郑良辰

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2012
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种具有高锗组分的锗硅沟道PMOS的制备方法
一种具有高锗组分的锗硅沟道的PMOS的制备方法，属于半导体器件领域，尤其涉及一种提高锗硅(SiGe)PMOS沟道中锗(Ge)组分的方法，来提高器件性能。它的特征是利用氮化硅(SiN)薄膜在硅(Si)中引入应变形成应变硅(...
王向展王微曾庆平罗谦郑良辰刘斌甘程
一种具有高锗组分的锗硅沟道PMOS的制备方法
一种具有高锗组分的锗硅沟道的PMOS的制备方法，属于半导体器件领域，尤其涉及一种提高锗硅(SiGe)PMOS沟道中锗(Ge)组分的方法，来提高器件性能。它的特征是利用氮化硅(SiN)层在硅(Si)中引入应变形成应变硅(S...
王向展王微曾庆平罗谦郑良辰刘斌甘程
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