林亚丽
- 作品数:3 被引量:0H指数:0
- 供职机构:电子科技大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:理学一般工业技术更多>>
- Pb(Hf_(0.3)Ti_(0.7))O_3铁电薄膜的制备与性能研究
- 2014年
- 采用脉冲激光沉积方法在不同温度下生长Pb(Hf0.3Ti0.7)O3(PHT)铁电薄膜,利用各种表征手段测试并分析薄膜的微观结构和电性能。研究表明,生长温度为400℃沉积的PHT薄膜具有良好的(111)择优取向;PHT薄膜矫顽场(2Ec)为390 kV/cm,剩余极化强度(2Pr)为53.1μC/cm2,经1.5×109次翻转后剩余极化强度保持85%;PHT薄膜绝缘性能良好,相对介电常数约为540。PHT薄膜有望应用于铁电随机存储器。
- 林亚丽朱俊吴智鹏刘兴鹏吴诗捷李俊峰
- 关键词:铁电薄膜脉冲激光沉积
- Hf_(0.2)Zr_(0.8)O_2铁电薄膜的制备与电性能研究
- 2014年
- 采用脉冲激光沉积法(pulsed laser deposition,PLD),通过改变气氛氧压、衬底温度等工艺参数,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Hf0.2Zr0.8O2(HZO)薄膜。利用X射线衍射(XRD)表征了薄膜的结构特征;并采用Radiant RT66A进行铁电性能参数的测量,以此研究了工艺参数对薄膜结构和铁电性能的影响规律。分析结果表明,HZO铁电极化的原因主要是来自于HfO2-ZrO2(111)正交相和ZrO2(002)四方相的影响。通过上述实验结果得到,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备Hf0.2Zr0.8O2薄膜的优化条件为氧分压18 Pa、衬底温度500℃。在优化条件下制备的Hf0.2Zr0.8O2薄膜,剩余极化(2Pr)达到4μC/cm2。
- 吴诗捷朱俊罗文博吴智鹏林亚丽刘兴鹏
- 关键词:铁电脉冲激光沉积XRD
- PHT铁电薄膜的制备与性能研究
- 铁电薄膜材料是具有介电、压电、热释电、铁电等性质的功能材料,被广泛应用于集成电子学、微电子学、微机电系统、光电子学等重要领域。铁电薄膜是非易失性随机存储器(NVRAM)的重要组成部分。随着现代科学技术和信息处理技术的高速...
- 林亚丽
- 关键词:铁电薄膜脉冲激光沉积微观结构电学性能
- 文献传递