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文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇铁电
  • 3篇脉冲激光
  • 3篇脉冲激光沉积
  • 2篇铁电薄膜
  • 2篇HF
  • 1篇电性能
  • 1篇电性能研究
  • 1篇电学性能
  • 1篇微观结构
  • 1篇O3
  • 1篇PHT
  • 1篇XRD
  • 1篇ZR
  • 1篇PB

机构

  • 3篇电子科技大学

作者

  • 3篇林亚丽
  • 2篇吴智鹏
  • 2篇朱俊
  • 2篇刘兴鹏
  • 1篇罗文博
  • 1篇李俊峰

传媒

  • 2篇功能材料

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2014
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
Pb(Hf_(0.3)Ti_(0.7))O_3铁电薄膜的制备与性能研究
2014年
采用脉冲激光沉积方法在不同温度下生长Pb(Hf0.3Ti0.7)O3(PHT)铁电薄膜,利用各种表征手段测试并分析薄膜的微观结构和电性能。研究表明,生长温度为400℃沉积的PHT薄膜具有良好的(111)择优取向;PHT薄膜矫顽场(2Ec)为390 kV/cm,剩余极化强度(2Pr)为53.1μC/cm2,经1.5×109次翻转后剩余极化强度保持85%;PHT薄膜绝缘性能良好,相对介电常数约为540。PHT薄膜有望应用于铁电随机存储器。
林亚丽朱俊吴智鹏刘兴鹏吴诗捷李俊峰
关键词:铁电薄膜脉冲激光沉积
Hf_(0.2)Zr_(0.8)O_2铁电薄膜的制备与电性能研究
2014年
采用脉冲激光沉积法(pulsed laser deposition,PLD),通过改变气氛氧压、衬底温度等工艺参数,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Hf0.2Zr0.8O2(HZO)薄膜。利用X射线衍射(XRD)表征了薄膜的结构特征;并采用Radiant RT66A进行铁电性能参数的测量,以此研究了工艺参数对薄膜结构和铁电性能的影响规律。分析结果表明,HZO铁电极化的原因主要是来自于HfO2-ZrO2(111)正交相和ZrO2(002)四方相的影响。通过上述实验结果得到,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备Hf0.2Zr0.8O2薄膜的优化条件为氧分压18 Pa、衬底温度500℃。在优化条件下制备的Hf0.2Zr0.8O2薄膜,剩余极化(2Pr)达到4μC/cm2。
吴诗捷朱俊罗文博吴智鹏林亚丽刘兴鹏
关键词:铁电脉冲激光沉积XRD
PHT铁电薄膜的制备与性能研究
铁电薄膜材料是具有介电、压电、热释电、铁电等性质的功能材料,被广泛应用于集成电子学、微电子学、微机电系统、光电子学等重要领域。铁电薄膜是非易失性随机存储器(NVRAM)的重要组成部分。随着现代科学技术和信息处理技术的高速...
林亚丽
关键词:铁电薄膜脉冲激光沉积微观结构电学性能
文献传递
共1页<1>
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