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李俊峰

作品数:1 被引量:0H指数:0
供职机构:电子科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇铁电
  • 1篇铁电薄膜
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇脉冲激光沉积
  • 1篇O3
  • 1篇HF
  • 1篇PB

机构

  • 1篇电子科技大学

作者

  • 1篇吴智鹏
  • 1篇朱俊
  • 1篇林亚丽
  • 1篇刘兴鹏
  • 1篇李俊峰

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2014
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
Pb(Hf_(0.3)Ti_(0.7))O_3铁电薄膜的制备与性能研究
2014年
采用脉冲激光沉积方法在不同温度下生长Pb(Hf0.3Ti0.7)O3(PHT)铁电薄膜,利用各种表征手段测试并分析薄膜的微观结构和电性能。研究表明,生长温度为400℃沉积的PHT薄膜具有良好的(111)择优取向;PHT薄膜矫顽场(2Ec)为390 kV/cm,剩余极化强度(2Pr)为53.1μC/cm2,经1.5×109次翻转后剩余极化强度保持85%;PHT薄膜绝缘性能良好,相对介电常数约为540。PHT薄膜有望应用于铁电随机存储器。
林亚丽朱俊吴智鹏刘兴鹏吴诗捷李俊峰
关键词:铁电薄膜脉冲激光沉积
共1页<1>
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