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李俊峰
作品数:
1
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供职机构:
电子科技大学
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发文基金:
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相关领域:
理学
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合作作者
刘兴鹏
电子科技大学
林亚丽
电子科技大学
朱俊
电子科技大学
吴智鹏
电子科技大学
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2014
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Pb(Hf_(0.3)Ti_(0.7))O_3铁电薄膜的制备与性能研究
2014年
采用脉冲激光沉积方法在不同温度下生长Pb(Hf0.3Ti0.7)O3(PHT)铁电薄膜,利用各种表征手段测试并分析薄膜的微观结构和电性能。研究表明,生长温度为400℃沉积的PHT薄膜具有良好的(111)择优取向;PHT薄膜矫顽场(2Ec)为390 kV/cm,剩余极化强度(2Pr)为53.1μC/cm2,经1.5×109次翻转后剩余极化强度保持85%;PHT薄膜绝缘性能良好,相对介电常数约为540。PHT薄膜有望应用于铁电随机存储器。
林亚丽
朱俊
吴智鹏
刘兴鹏
吴诗捷
李俊峰
关键词:
铁电薄膜
脉冲激光沉积
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