朱少立
- 作品数：23 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 抗辐射Sence‑Switch型nFLASH开关单元结构及其制备方法
- 本发明涉及一种抗辐射Sence‑Swtich型nFLASH开关单元结构及其制备方法。按照本发明提供的技术方案，所述Sence‑Switch型nFLASH开关单元是制作在SOI顶层硅P阱中，并被STI隔离槽全介质隔离；所述...
- 刘国柱洪根深赵文斌曹利超刘佰清朱少立
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- 抗辐射鳍型沟道双栅场效应晶体管及其制备方法
- 本发明涉及一种抗辐射鳍型沟道双栅场效应晶体管。所述场效应晶体管包括衬底、隐埋氧化层、P型重掺杂层、P型轻掺杂层、N型掺杂层和金属栅极。N型掺杂层形成源区、漏区和连接块。P型重掺杂层的掺杂浓度大于或等于源区和漏区的掺杂浓度...
- 谢儒彬吴建伟朱少立洪根深汤赛楠
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- 一种用于SOI工艺的介质隔离结构及其方法
- 本发明涉及一种用于SOI工艺的介质隔离结构及其方法，该隔离结构包括P型衬底、埋氧化层、SOI材料顶层硅、全介质隔离槽、部分介质隔离槽、线性氧化层和氧化层或氧化绝缘层，全介质隔离槽和部分介质隔离槽位于SOI材料顶层硅内且在...
- 李燕妃朱少立吴建伟洪根深
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- 总剂量加固对SOINMOS器件抗辐射特性的影响被引量：4
- 2014年
- 采用埋层改性工艺对部分耗尽SOI NMOS器件进行总剂量加固,通过测试器件在辐射前后的电学性能研究加固对SOI NMOS器件抗辐射特性的影响。加固在埋氧层中引入电子陷阱,辐射前在正负背栅压扫描时,电子陷阱可以释放和俘获电子,导致背栅阈值电压产生漂移,漂移大小与引入电子陷阱的量有关。通过加固可以有效提高器件的抗总剂量辐射特性,电子陷阱的量对器件的抗辐射性能具有显著影响。
- 陈海波吴建伟李艳艳谢儒彬朱少立顾祥
- 关键词：离子注入SOINMOSFET总剂量辐射
- 抗辐射PIP型ONO反熔丝结构及CMOS工艺集成法
- 本发明涉及抗辐射PIP型ONO反熔丝结构及CMOS工艺集成法，ONO反熔丝结构制作在场区之上；由下至上包括反熔丝下极板、反熔丝孔腐蚀掩蔽层、ONO反熔丝介质层、反熔丝上极板，反熔丝下极板为N型饱和掺杂的非晶硅薄膜，覆盖于...
- 刘国柱洪根深赵文斌吴建伟朱少立徐静刘佰清
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- 一种基于碳纳米管的集成电路场间互连方法
- 本发明公开一种基于碳纳米管的集成电路场间互连方法，属于集成电路制造领域。在半导体晶圆上制造电路有源区，并将需要场间互连的金属端口布置到单颗芯片的边缘位置；利用光刻技术，在晶圆表面的金属端口位置制造光刻胶开口；在光刻胶开口...
- 翟培卓洪根深王印权郑若成郝新焱朱少立
- 一种抗辐射Sense-Switch型pFLASH开关单元结构及其制备方法
- 本发明涉及一种抗辐射Sence‑Switch型pFLASH开关单元结构及其制备方法，其通过浮栅电荷共享的方式实现编程/擦除管对信号传输管的开关态，实现电荷共享方式为BTBT编程和FN擦除方式；所述抗辐射FLASH开关单元...
- 刘国柱洪根深赵文斌曹利超朱少立
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- 可编程的电源开关器件及其制备方法
- 本申请公开了一种可编程的电源开关器件及其制备方法，涉及集成电路技术领域，所述可编程的电源开关器件包括：高压可编程MOS管和高压开关MOS管；所述高压可编程MOS管为NMOS管，所述高压开关MOS管为NMOS管或者PMOS...
- 张海良施辉徐何军宋思德曹利超王印权朱少立吴建伟
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- 碳纳米管场效应晶体管重离子单粒子效应研究
- 2024年
- 碳纳米管场效应晶体管(CNT FET)具备优良的电学性能和稳定的化学结构,表现出较强的恶劣环境耐受能力,但其抗辐射性能仍缺乏充足的试验验证。以超薄CNT为沟道材料、HfO2为栅介质层的CNT FET为对象,研究了209Bi重离子辐射引起的器件单粒子效应(SEE)。研究结果表明,在重离子辐射条件下,栅极单粒子瞬态电流大多处于10-11 A数量级,少数达10-10 A数量级;由于CNT FET具有纳米级超薄CNT沟道,漏极电流对单粒子辐射不敏感,漏极单粒子瞬态电流几乎可以忽略,无单粒子烧毁效应(SEB);得益于HfO2栅介质层,CNT FET未发生单粒子栅穿效应(SEGR),表现出较强的抗单粒子能力。
- 翟培卓王印权徐何军郑若成朱少立
- 关键词：碳纳米管场效应管重离子单粒子效应
- SOI器件的kink效应研究
- 2022年
- 研究了SOI器件中的kink效应,主要包括不同器件类型、不同体接触结构、沟道长度以及栅氧厚度对kink效应的影响。研究发现NMOS器件由于能够产生较多的电子空穴对,在输出特性曲线中呈现明显的kink效应,而PMOS器件由于空穴的电离率较低,碰撞电离产生的电子-空穴对远低于NMOS器件,它的kink效应不明显。对源体短接、H型栅和T型栅三种不同结构的NMOS器件进行研究,发现T型栅器件kink效应最明显。比较了不同沟道长度对kink效应的影响,发现沟道越短,kink效应越明显。比较了栅氧厚度对kink效应的影响,发现随着栅氧厚度减小,kink效应越明显,这主要是由于隧穿电流引起的。
- 王青松彭宏伟黄天杨正东朱少立徐大为
- 关键词：SOI器件KINK效应I-V特性
