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李维平

作品数：256 被引量：0H指数：0
供职机构：江苏长电科技股份有限公司更多>>
相关领域：化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 256篇中文专利

领域

  • 11篇化学工程

主题

  • 239篇封装
  • 239篇封装结构
  • 222篇塑封
  • 174篇正装
  • 162篇芯片
  • 139篇多芯片
  • 104篇倒装
  • 91篇无源
  • 91篇无源器件
  • 87篇金属线
  • 75篇单芯片
  • 69篇包封
  • 48篇蚀刻
  • 32篇植球
  • 32篇金属基板
  • 32篇静电释放
  • 32篇基板
  • 28篇小孔
  • 16篇铜材
  • 14篇路网

机构

  • 256篇江苏长电科技...

作者

  • 256篇李维平
  • 256篇王新潮
  • 256篇梁志忠

年份

  • 14篇2015
  • 18篇2014
  • 39篇2013
  • 185篇2012
共 256 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
单基岛埋入型单圈多芯片正装静电释放圈封装结构
本实用新型涉及一种单基岛埋入型单圈多芯片正装静电释放圈封装结构，所述结构包括基岛（1）和引脚（2），所述基岛（1）正面设置有芯片（4），所述芯片（4）正面与引脚（2）正面之间用金属线（5）相连接，所述基岛（1）和引脚（2...
王新潮李维平梁志忠
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单基岛露出型单圈单芯片正装封装结构
本实用新型涉及一种单基岛露出型单圈单芯片正装封装结构，它包括基岛（1）和引脚（2），所述基岛（1）正面设置有芯片（4），所述芯片（4）正面与引脚（2）正面之间用金属线（5）相连接，所述基岛（1）和引脚（2）周围区域以及芯...
王新潮李维平梁志忠
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单基岛埋入型单圈单芯片倒装封装结构
本实用新型涉及一种单基岛埋入型单圈单芯片倒装封装结构，它包括基岛（1）、引脚（2）和芯片（3），所述芯片倒装于基岛正面和引脚正面，所述芯片底部与基岛正面和引脚正面之间设置有底部填充胶（14）,所述基岛外围的区域、基岛和引...
王新潮李维平梁志忠
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多基岛露出型多圈多芯片正装无源器件封装结构
本实用新型涉及一种多基岛露出型多圈多芯片正装无源器件封装结构，它包括基岛（1）和引脚（2），所述基岛（1）有多个，所述多个基岛（1）正面设置有多个芯片（4），所述芯片（4）正面与引脚（2）正面之间用金属线（5）相连接，所...
王新潮李维平梁志忠
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芯片倒装双面三维线路先蚀后封制造方法及其封装结构
本发明涉及一种芯片倒装双面三维线路先蚀后封制造方法及其封装结构，所述方法包括以下步骤：取金属基板；金属基板表面预镀铜；绿漆被覆；基板背面去除部分绿漆；电镀惰性金属线路层；电镀金属线路层；绿漆被覆；基板背面去除部分绿漆；电...
王新潮梁志忠李维平
无基岛多圈多芯片倒装封装结构
本实用新型涉及一种无基岛多圈多芯片倒装封装结构，它包括引脚（1）和芯片（2），所述芯片（2）有多个，所述多个芯片（2）倒装于引脚（1）正面，所述芯片（2）底部与引脚（1）正面之间设置有底部填充胶（7），所述引脚（1）外围...
王新潮李维平梁志忠
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多芯片正装先封装后蚀刻基岛露出封装结构及其制造方法
本发明涉及一种多芯片正装先封装后蚀刻基岛露出封装结构及其制造方法，所述结构包括基岛（1）和引脚（2），所述基岛（1）正面设置有多个芯片（4），所述芯片（4）正面与引脚（2）正面之间用金属线（5）相连接，所述基岛（1）和引...
王新潮梁志忠李维平
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无基岛单圈多芯片堆叠正装倒装封装结构
本实用新型涉及一种无基岛单圈多芯片堆叠正装倒装封装结构，它包括引脚（1）、第一芯片（2）和第二芯片（3），所述第一芯片设置于引脚正面，所述第二芯片倒装于第一芯片正面，所述第一芯片正面与引脚正面之间用金属线（6）相连接，所...
王新潮李维平梁志忠
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多基岛埋入型单圈多芯片正装正装无源器件封装结构
本实用新型涉及一种多基岛埋入型单圈多芯片正装正装无源器件封装结构，所述结构包括多个基岛（1）、引脚（2）、第一芯片（4）和第二芯片（5），所述第一芯片设置于基岛正面和引脚正面，所述第二芯片设置于第一芯片上，所述第一芯片正...
王新潮李维平梁志忠
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单芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构及其制造方法
本发明涉及一种单芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构及其制造方法，所述结构包括基岛（1）和引脚（2），所述基岛（1）正面设置有芯片（4），所述芯片（4）正面与引脚（2）正面之间用金属线（5）相连接，所述基岛（1）和引脚（...
王新潮李维平梁志忠
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