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王光红
作品数:
26
被引量:1
H指数:1
供职机构:
中国科学院电工研究所
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发文基金:
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
电气工程
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理学
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合作作者
赵雷
中国科学院电工研究所
王文静
中国科学院电工研究所
刁宏伟
中国科学院电工研究所
王革
中国科学院电工研究所
周春兰
中国科学院电工研究所
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作者
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王光红
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赵雷
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2篇
2012
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具有室温铁磁性氢铪共掺杂氧化铟薄膜的制备方法
一种具有室温铁磁性氢铪共掺杂氧化铟薄膜的制备方法,采用直流磁控溅射法。以二氧化铪(HfO<Sub>2</Sub>)掺杂量为1.5~10wt.%的In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>陶瓷靶为靶材,单晶硅作...
王光红
王文静
赵雷
莫丽玢
刁宏伟
文献传递
一种太阳电池及其制备方法
本发明涉及太阳电池技术领域,尤其涉及一种太阳电池及其制备方法。本发明提供的太阳电池,包括依次设置的背电极层、第一透明导电膜层、第一金属氧化物层、第一本征非晶硅钝化层、n型制绒晶体硅衬底、第二本征非晶硅钝化层、第二金属氧化...
王光红
王文静
赵雷
刁宏伟
莫丽玢
文献传递
一种气体配气装置
一种气体配气装置,包括大流量气体管道及小流量气体管道。小流量气体管道的气体出口端穿过大流量气体管道的管壁,插入到大流量气体管道中并与大流量气体管道焊接固定。大流量气体管道的气体进口与大流量气体流量计连接,大流量气体管道的...
刁宏伟
王文静
赵雷
周春兰
王光红
文献传递
非晶硅/晶体硅异质结太阳电池高性能钝化层的关键参数及其可行制备方法
通过对非晶硅/晶体硅异质结太阳电池进行研究,发现影响电池性能的钝化层的关键参数。研究表明,异质结界面缺陷态密度(Dit)主要影响电池开路电压(Voc),必须控制在10^11cm-2/eV以下。钝化层的厚度(Ct)和带隙(...
赵雷
王光红
刁宏伟
王文静
关键词:
太阳电池
钝化层
结构参数
一种玻璃粉及其制备方法、一种导电银浆及其制备方法和应用
本发明属于晶体硅太阳能电池材料技术领域,具体涉及一种玻璃粉及其制备方法、一种导电银浆及其制备方法和应用。本发明通过对玻璃粉中组分的调节,使得玻璃粉具有较低的软化温度和热膨胀系数以及优异的烧结性能。在本发明中,由玻璃粉制备...
莫丽玢
赵雷
王光红
王文静
文献传递
基于wxAMPS的单结非晶硅锗太阳电池模拟分析
采用wxAMPS数值模拟软件,深入分析了p/i及i/n界面非晶硅缓冲层对单结非晶硅锗太阳电池性能的影响,并结合实验获得了最佳的p/i及i/n界面缓冲层厚度分别为4nm和8nm,带隙为1.7eV.利用上述优化结果最终制备出...
胡瑞丹
赵雷
王光红
王革
刁宏伟
王文静
关键词:
性能参数
数值模拟软件
文献传递
具有室温铁磁性氢铪共掺杂氧化铟薄膜的制备方法
一种具有室温铁磁性氢铪共掺杂氧化铟薄膜的制备方法,采用直流磁控溅射法。以二氧化铪(HfO<Sub>2</Sub>)掺杂量为1.5~10wt.%的In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>陶瓷靶为靶材,单晶硅作...
王光红
王文静
赵雷
莫丽玢
刁宏伟
一种太阳电池及其制备方法
本发明涉及太阳电池技术领域,尤其涉及一种太阳电池及其制备方法。本发明提供的太阳电池,包括依次设置的背电极层、第一透明导电膜层、第一金属氧化物层、第一本征非晶硅钝化层、n型制绒晶体硅衬底、第二本征非晶硅钝化层、第二金属氧化...
王光红
王文静
赵雷
刁宏伟
莫丽玢
PIN 型硅基薄膜电池ZnO:A12O3/Ag/NiCr/Al 复合背反射的研究
高反射率的背电极对于非晶硅基薄膜太阳电池的高性能和稳定性至关重要.本文提出ZnO:Al2O3(AZO)/Ag/NiCr (AZO)/Al 复合结构做硅基薄膜太阳电池的背电极.Ag 是一种昂贵金属且易氧化或硫化,沉积Ag ...
王光红
赵雷
闫保军
陈静伟
王革
刁宏伟
王文静
关键词:
NICR
一种电容式等离子体电极的上电极
一种电容式等离子体电极的上电极,为轴对称结构,分为上盖及直筒(25)两部分,上盖及直筒(25)焊接为一体。上盖包括两个直径不同金属直筒、两个内外径不同金属圆环及第一绝缘环(7)。上盖中,小直径金属直筒(41)、小内径金属...
刁宏伟
王文静
赵雷
周春兰
王光红
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