李俊英
- 作品数：9 被引量：7H指数：2
- 供职机构：西安工业大学材料与化工学院更多>>
- 发文基金：陕西省教育厅科研计划项目国家自然科学基金陕西省教育厅产业化培育项目更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺一般工业技术电子电信更多>>
- 碘化汞(α-HgI_2)晶体的形貌预测及制备被引量：1
- 2016年
- 为了获得应用于核辐射探测器的碘化汞(α-HgI_2)单晶,采用布拉维法则理论,通过Material Studio(MS)软件预测理想晶体形貌,建立了以二甲基亚砜为溶剂,控制溶液初始温度为25℃,每4h升温1℃的近平衡态液相生长工艺.研究结果表明:{001}是最重要生长晶面,理想晶体的最优/大面应为(001);经过4d的生长,获得具有规则自然晶面,与模拟形貌结果比较接近的α-HgI_2晶体,同时X射线衍射检测表明晶体最大晶面为(001).通过理论模拟和实验结果证明在近平衡生长环境下结构因素控制α-HgI_2生长.
- 李俊英许岗谷智张延京冯亚西
- 关键词：晶体结构溶液法
- HgCl_2-KI-H_2O溶液体系中碘化汞(α-HgI_2)籽晶层生长研究
- 2016年
- 为提高气相沉积碘化汞(α-HgI_2)多晶薄膜定向生长效果,研究了HgCl_2和KI溶液化合反应法制备用于同质外延的HgI_2籽晶层的生长工艺.建立了HgCl_2/KI=1∶1~1∶6(摩尔比)的反应体系,通过改变体系中碘离子([I]^-)浓度,研究了液相体系的反应过程.通过紫外-可见分光光度计研究了反应体系中组元转变特征,采用偏光显微镜分析了不同浓度下晶体结晶形貌和分布特征.UV光谱表明:随着[I]^-浓度增大,体系中出现[HgI2]n聚体并导致吸收峰红移,以及K[HgI_3]·H_2O吸收峰出现蓝移.宏观形貌分析表明:籽晶层粒度和覆盖度随[I]^-浓度增大而增大,晶粒逐渐发育充分.[HgI_2]n聚体的形成导致电子能级密度增加,跃迁能量降低,形成红移;孤对电子浓度增大在K[HgI_3]·H_2O出现电子从非键轨道向反键轨道的跃迁现象,形成蓝移.当HgCl_2/KI=1∶6时,覆盖度最佳.分析认为,控制高浓度体系中反应速率可降低晶粒堆垛现象.
- 赵盼盼许岗冯亚西邱海蔡李俊英
- 关键词：溶液法覆盖度
- 双金属液浇注灰/蠕复合铸铁工艺研究
- 2016年
- 为了得到兼顾强韧性和导热性的复合铸铁,设计了四种双金属液-液浇注工艺.浇注双金属液时,统一采用底注式浇注系统浇注下层金属液,改变浇注上层金属液的浇注系统,上层金属液浇注速度选择为5cm·s-1,两种金属液浇注间隔时间选择为20s,下层金属液浇注高度超过理论结合面15mm.利用计算机数值模拟方法研究了金属液充型过程,并与实际浇注结果进行了对比验证.研究结果表明:采用缝隙扇形式浇注系统,制备出的灰/蠕复合铸铁的抗拉强度达到205 MPa,高于HT200灰铸铁,其500℃时导热系数为36 W·(m·k)-1,高于RuT300蠕墨铸铁.
- 张延京杨忠李建平李俊英杨通
- 关键词：导热系数
- HgO-HI-H_2O体系HgI_2晶体分形结构的生长模拟
- 2017年
- 为探究HgO-HI-H_2O体系中HgI_2晶体的分形结构/枝晶的生长条件及其生长机理,通过控制Hg^(2+)∶I-摩尔比为1∶7~1∶2间配制溶液,在氧化铟锡玻璃(ITO)上等温溶剂挥发生长了HgI_2晶体.采用津岛紫外-可见分光光度计分析枝晶溶液体系中存在的生长单元;利用LEICA-DM2500P偏光显微镜观察晶体形貌变化,确定分型结构的生长工艺条件;采用二维扩散限制凝聚理论(DLA)对比理论计算与实际枝晶的分型维数,分析枝晶的生长机理.研究结果表明:HgO-HI-H_2O体系中晶体生长单元为HgI_2分子;在[Hg^(2+)]∶[I^-]≤1∶6时,生长形貌为枝晶;在1∶6~1∶3间,晶体形貌为树枝晶与四方晶共存;离子比为标准计量时,生长形貌为四方晶.模拟[Hg^(2+)]∶[I-]=1∶7时的树枝晶形貌与实际晶体形貌非常符合,分形维数分别为1.48和1.45,表明远离平衡条件下,树枝晶是由分子布朗运动形成,其形貌受到分子扩散影响。
- 李俊英许岗张延京杨丛笑郭炎飞
- 关键词：枝晶分形维数
- 亚稳碘化汞（β-HgI2M）晶体生长与相变被引量：3
- 2016年
- 采用溶液法，以α-HgI2为原料，在DMSO和H20混合溶剂中生长了β-HgI2M晶体。通过XRD检测了晶体的结构特征，利用偏光显微镜研究了晶体生长的动态过程及β-HgI2M→α—HgI2的相变过程。研究表明，生长的晶体为β-HgI2M，空间结构为Cmc2 1；晶体生长界面夹角为65．02°，与β-HgI2M单胞中（110）和（110）夹角（65．16°）吻合；β-HgI2M→α-HgI2相变为结构重构的一级相变。
- 许岗李俊英谷智南瑞华冯亚西
- 关键词：晶体生长晶体结构相变
- FeS对复合铸铁石墨形态分布规律的影响被引量：1
- 2016年
- 通过在铸造涂料中引入（5-40）%FeS,利用FeS的蠕化衰退作用,在蠕墨铸铁局部表层制备1-5 mm灰铸铁。综合运用OM,EPMA和激光热导仪分析了涂料中FeS含量对铸件石墨形态分布规律的影响机理及其对铸件不同部位的导热系数的影响规律。结果表明：随着Fe S含量增大,铸件表层灰铸铁的厚度先逐渐增大直至平衡;从铸件表面到内部,石墨形态由A型逐渐转变为D型,最后到蠕虫状石墨;且残留的S含量逐渐降低,残留的Mg含量逐渐升高,Mg与S形成化合物,降低了铸件表面的残余Mg含量,发生蠕化衰退,形成灰铸铁。从铸件表面到内部相同温度下的导热性能逐渐降低。
- 张延京李建平杨忠李俊英陶栋郭永春
- 关键词：导热系数
- 亚稳β-HgI_2晶体形貌预测与研究被引量：2
- 2018年
- 为研究亚稳β-HgI_2晶体形貌,采用Material Studio(MS)软件,通过BFDH模型计算了亚稳β-HgI_2晶体形貌,发现其晶面重要性为(001)>(110)>(111)>(010)>(021)>(112);考虑到生长环境对晶体习性的微观影响,建立了主要晶面的六种不同生长速率比下的晶体模型,研究了晶体在生长过程中可能出现的习性;采用溶剂蒸发法,以α-HgI_2为原料,以DMSO和HI分别为溶剂,生长了菱形和四方形的亚稳β-HgI_2晶体;晶体形貌与模拟结果基本一致,表明微观环境变化会影响晶体习性.
- 杨丛笑许岗陈静李俊英
- 关键词：晶体形貌溶液法
- HgI_2-HI-H_2O溶液中静电场诱导的α-碘化汞晶体生长
- 2019年
- 在HgI_2-HI-H_2O溶液体系中,采用静电场诱导技术生长了HgI_2晶体。利用紫外-可见光谱分析了溶液中分子/离子的存在形式;通过改变电场强度和溶液浓度等因素,得到了不同形貌的HgI_2晶体。结果表明,HgI_2-HI-H_2O溶液中存在[HgI_3]^-,[HgI_4]^(2-)和HgI_2等3种主要成分。静电场诱导离子发生定向迁移,形成取向性生长的晶体,晶体形貌受电场诱导和结构因素(分子键力)共同制约。溶质(负离子)向正极迁移,形成颗粒度大的HgI_2晶体;负极主要是由中性HgI_2键合并相变形成的小颗粒HgI_2晶体。分析认为,HgI_2-HI-H_2O溶液中负离子可以成为晶体生长的基本单元。
- 许岗张改杨丛笑陈静侯雁楠李俊英谷智
- 关键词：电场诱导
