杨丛笑
- 作品数：4 被引量：4H指数：2
- 供职机构：西安工业大学材料与化工学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目陕西省教育厅省级重点实验室科研与建设计划项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- HgO-HI-H_2O体系HgI_2晶体分形结构的生长模拟
- 2017年
- 为探究HgO-HI-H_2O体系中HgI_2晶体的分形结构/枝晶的生长条件及其生长机理,通过控制Hg^(2+)∶I-摩尔比为1∶7~1∶2间配制溶液,在氧化铟锡玻璃(ITO)上等温溶剂挥发生长了HgI_2晶体.采用津岛紫外-可见分光光度计分析枝晶溶液体系中存在的生长单元;利用LEICA-DM2500P偏光显微镜观察晶体形貌变化,确定分型结构的生长工艺条件;采用二维扩散限制凝聚理论(DLA)对比理论计算与实际枝晶的分型维数,分析枝晶的生长机理.研究结果表明:HgO-HI-H_2O体系中晶体生长单元为HgI_2分子;在[Hg^(2+)]∶[I^-]≤1∶6时,生长形貌为枝晶;在1∶6~1∶3间,晶体形貌为树枝晶与四方晶共存;离子比为标准计量时,生长形貌为四方晶.模拟[Hg^(2+)]∶[I-]=1∶7时的树枝晶形貌与实际晶体形貌非常符合,分形维数分别为1.48和1.45,表明远离平衡条件下,树枝晶是由分子布朗运动形成,其形貌受到分子扩散影响。
- 李俊英许岗张延京杨丛笑郭炎飞
- 关键词：枝晶分形维数
- α-HgI_2晶体附着能的计算被引量：2
- 2018年
- 为研究碘化汞(HgI_2)晶体生长形貌的变化规律,使用Material Studio(MS)软件中的Morphology和Forcite模块计算HgI_2晶体的附着能(Eahtktl)明确晶体的生长速率Rhkl.采取封端法辅助切面法将非收敛结构转换为收敛结构后计算α-HgI_2晶体的附着能.以β-HgI_2晶体为参照,通过对β-HgI_2使用生长形态法与封端法辅助切面法同步计算附着能,分析封端法辅助切面法计算晶体附着能的合理性.结果表明:使用封端法辅助切面法计算出α-HgI_2晶体(001)、(101)和(110)的Eahtktl分别为-9.86,-23.04和-26.87kJ·mol-1.分别采用生长形态法与封端法辅助切面法同步计算的β-HgI_2晶体(001)、(110)、(111)、(020)和(021)的Eahtktl结果相同,说明封端法辅助切面法可以用于计算α-HgI_2晶体Eahtktl.
- 陈静许岗袁昕杨丛笑侯雁楠
- 亚稳β-HgI_2晶体形貌预测与研究被引量：2
- 2018年
- 为研究亚稳β-HgI_2晶体形貌,采用Material Studio(MS)软件,通过BFDH模型计算了亚稳β-HgI_2晶体形貌,发现其晶面重要性为(001)>(110)>(111)>(010)>(021)>(112);考虑到生长环境对晶体习性的微观影响,建立了主要晶面的六种不同生长速率比下的晶体模型,研究了晶体在生长过程中可能出现的习性;采用溶剂蒸发法,以α-HgI_2为原料,以DMSO和HI分别为溶剂,生长了菱形和四方形的亚稳β-HgI_2晶体;晶体形貌与模拟结果基本一致,表明微观环境变化会影响晶体习性.
- 杨丛笑许岗陈静李俊英
- 关键词：晶体形貌溶液法
- HgI_2-HI-H_2O溶液中静电场诱导的α-碘化汞晶体生长
- 2019年
- 在HgI_2-HI-H_2O溶液体系中,采用静电场诱导技术生长了HgI_2晶体。利用紫外-可见光谱分析了溶液中分子/离子的存在形式;通过改变电场强度和溶液浓度等因素,得到了不同形貌的HgI_2晶体。结果表明,HgI_2-HI-H_2O溶液中存在[HgI_3]^-,[HgI_4]^(2-)和HgI_2等3种主要成分。静电场诱导离子发生定向迁移,形成取向性生长的晶体,晶体形貌受电场诱导和结构因素(分子键力)共同制约。溶质(负离子)向正极迁移,形成颗粒度大的HgI_2晶体;负极主要是由中性HgI_2键合并相变形成的小颗粒HgI_2晶体。分析认为,HgI_2-HI-H_2O溶液中负离子可以成为晶体生长的基本单元。
- 许岗张改杨丛笑陈静侯雁楠李俊英谷智
- 关键词：电场诱导
