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林琦

作品数:69 被引量:4H指数:1
供职机构:中国科学院福建物质结构研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程更多>>

文献类型

  • 65篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 23篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 39篇激光
  • 31篇激光器
  • 21篇波导
  • 17篇半导体
  • 15篇半导体激光
  • 15篇半导体激光器
  • 14篇二极管
  • 12篇太赫兹
  • 12篇赫兹
  • 11篇天线
  • 11篇波长
  • 10篇发光
  • 10篇辐射发光
  • 10篇超辐射
  • 9篇太赫兹辐射
  • 9篇脊波导
  • 9篇光栅
  • 8篇发光二极管
  • 7篇调制
  • 7篇隔离区

机构

  • 69篇中国科学院福...
  • 10篇中国科学院大...

作者

  • 69篇林琦
  • 63篇苏辉
  • 63篇林中晞
  • 27篇薛正群
  • 26篇陈景源
  • 25篇徐玉兰
  • 24篇王凌华
  • 21篇朱振国
  • 18篇陈阳华
  • 7篇周东豪
  • 7篇訾慧
  • 4篇林乐
  • 3篇陈怀熹
  • 3篇梁万国

传媒

  • 2篇红外与毫米波...
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇光子学报

年份

  • 2篇2024
  • 10篇2023
  • 3篇2022
  • 5篇2021
  • 1篇2020
  • 7篇2019
  • 16篇2018
  • 19篇2017
  • 4篇2016
  • 2篇2015
69 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种无铅钙钛矿垂直腔面发射双波长激光器及其制备方法
本发明涉及激光器件领域,具体涉及一种无铅钙钛矿垂直腔面发射双波长激光器及其制备方法,该激光器包括在衬底上依次生长的底部布拉格反射器、第一有源区、中间布拉格反射器、第二有源区和顶部布拉格反射器,所述第一有源区和/或第二有源...
林琦赵晓凡钟杏丽林中晞朱振国苏辉
一种超辐射发光二极管的制作方法及制得的发光二极管
本发明涉及一种超辐射发光二极管的制作方法,包括以下步骤:一次外延片的生长步骤、形成脊的步骤、掩埋的步骤、形成P面电极金属的步骤、形成N面电极金属的步骤、解离的步骤,从而制得超辐射发光二极管。本发明还提出一种由所述制作方法...
薛正群苏辉周东豪訾慧王凌华林琦林中晞陈阳华
文献传递
一种DFB半导体激光器制备方法及制得的激光器
本发明涉及一种DFB半导体激光器制备方法,包括以下步骤:步骤S11、制备外延片:外延片采用波导和有源区结构;步骤S12、制备基片:在外延片表面的光栅层上制备均匀的部分光栅,并对光栅进行掩埋生长;步骤S13、制备脊型波导:...
薛正群苏辉王凌华陈阳华林琦林中晞
文献传递
一种收发一体的太赫兹天线及其制造方法和太赫兹测量系统
本发明涉及一种收发一体的太赫兹天线,该太赫兹天线包括太赫兹辐射材料和环形分布的多极天线;所述多极天线由多块金属电极组成,该多块金属电极形成环形对称分布结构,其中该多块金属电极的数量大于等于3;所述环形分布的多极天线位于所...
林琦林中晞苏辉
文献传递
InGaAsP多量子阱双稳态激光器的实验及理论研究
2018年
从实验和理论上研究了InGaAsP多量子阱(Multi-Quantum-Well,MQW)双区共腔(Common Cavity Tandem Section, CCTS)结构半导体激光器的吸收区偏置状态对双稳态特性的影响。实验结果表明:随着可饱和吸收区上的负偏置电压的增大,激光器P-I曲线中双稳态特性更加明显,V-I曲线有负微分电阻,当偏压加至-3 V时,回滞曲线环宽度增加至13.5 mA,开关比达到21:1。理论分析表明,利用吸收区的高负偏置态和短载流子逃逸时间能获得更好的双稳态特性。最大107:1的开关比也说明双区共腔激光器能在两稳态之间实现非常明确的转换。
徐玉兰林中晞林中晞陈景源王凌华林琦
关键词:双稳态半导体激光器开关比
注入锁定半导体锁模激光器的时序抖动特性(英文)
2018年
采用简化的孤子微扰模型方程组,研究了注入锁定时被动锁模半导体激光器的时序抖动噪声特性.研究发现,当注入锁定的耦合系数为10-3 ps^(-1)时,在100kHz到10GHz的频率范围内,从锁模激光器的时序抖动噪声可从自由运转情况下的皮秒量级(3.83ps)下降至几十飞秒.还讨论了主从锁模激光器的稳态相位差、注入耦合系数、线宽增强因子等参数对时序抖动噪声特性的影响.计算结果表明,时序抖动对稳态相位差不敏感,而耦合系数的变化对其则有显著影响;此外,线宽增强因子越小,时序抖动噪声越小.
徐玉兰林中晞林中晞林琦陈景源
关键词:被动锁模半导体激光器
一种含侧边可调增益/吸收区的半导体锁模激光器
本实用新型涉及一种含侧边可调增益/吸收区的半导体锁模激光器,所述激光器采用脊波导结构,在该脊波导结构的脊上依次形成脊增益区、脊波导电隔离区和脊波导饱和吸收区;在所述脊增益区侧边的任意位置形成侧边可调增益/吸收区。侧边可调...
徐玉兰林琦林中晞苏辉
文献传递
一种用于FMCW的扫描激光光源
本实用新型涉及调频连续激光技术领域,具体涉及一种用于FMCW的扫描激光光源,按照光输出方向,顺次包括可调谐窄线宽激光器、第一半导体光放大器、调制器、波长选择反射器和光学相控阵列。本实用新型通过腔外调制扫频,不影响光源相关...
林琦朱振国林中晞赵晓凡钟杏丽苏辉
高辐射强度的带THz扼流圈的偶极天线阵列模拟分析(英文)被引量:1
2018年
为了提高太赫兹辐射强度,设计了带THz扼流圈的偶极天线阵列.模拟结果表明,增加直线阵的阵元数对平均匹配效率影响很小,却能线性增加相干辐射强度.加入THz扼流圈可减小进入到传输线的交流分量,进而减小共振频率的偏移,使平均匹配效率提升了两倍.相比于网格排列的平面阵,交错排列的阵元在垂直方向上具有更小的耦合,THz发射谱更窄.通过使用聚酰亚胺透镜代替硅透镜,可有效提高输入电阻,并将总效率由25%提高到35%.
陈景源林中晞林中晞林琦苏辉
一种含侧边吸收区的超辐射发光管
本实用新型涉及一种含侧边吸收区的超辐射发光管,包括脊波导增益区、侧边吸收区和侧边电隔离区,在超辐射发光管的脊的侧边制备侧边电隔离区和侧边吸收区,侧边电隔离区使脊波导增益区与侧边吸收区形成电隔离。本实用新型利用侧边吸收区所...
周东豪林琦林中晞苏辉薛正群陈阳华王凌华訾慧徐玉兰陈景源林乐
文献传递
共7页<1234567>
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