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陈景源

作品数:28 被引量:4H指数:1
供职机构:中国科学院福建物质结构研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 24篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 10篇电子电信

主题

  • 14篇激光
  • 11篇激光器
  • 10篇天线
  • 9篇半导体
  • 9篇半导体激光
  • 9篇半导体激光器
  • 6篇太赫兹
  • 6篇赫兹
  • 5篇电导
  • 5篇电阻
  • 5篇调制
  • 5篇输入电阻
  • 5篇太赫兹辐射
  • 5篇光电
  • 5篇光电导天线
  • 5篇辐射功率
  • 5篇波长
  • 4篇脊波导
  • 4篇波导
  • 3篇调谐

机构

  • 28篇中国科学院福...
  • 6篇中国科学院大...

作者

  • 28篇陈景源
  • 26篇苏辉
  • 26篇林中晞
  • 26篇林琦
  • 20篇徐玉兰
  • 13篇薛正群
  • 9篇朱振国
  • 8篇王凌华
  • 4篇陈阳华
  • 4篇林乐
  • 2篇周东豪
  • 2篇訾慧

传媒

  • 2篇红外与毫米波...
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇光子学报

年份

  • 1篇2024
  • 4篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 11篇2018
  • 8篇2017
28 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种零差激光测振装置
本实用新型实施例涉及一种零差激光测振装置,包括用于发射测量振动所需的激光的激光光源和光学干涉单元,所述光学干涉单元包括干涉结构和光束位移分光元件,所述干涉结构将激光投射到待测物体上、接收待测物体反射的光,并构造相干光,生...
林中晞林琦朱振国钟杏丽陈景源薛正群苏辉
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一种激光二极管与背光探测器集成芯片
本公开涉及一种激光二极管与背光探测器集成芯片。所述芯片包括:一次外延样品;所述一次外延样品包括:n‑InP衬底(1)上依次生长n‑InP缓冲层(2),InGaAlAs下分别限制层(3),有源层(4),InGaAlAs上分...
丘文夫林琦林中晞王凌华徐玉兰陈景源苏辉
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一种零差激光测振装置及其振动检测方法
本发明实施例涉及一种零差激光测振装置及其振动检测方法,该装置包括激光光源和光学干涉单元,所述激光光源用于发射测量振动所需的激光;所述光学干涉单元包括干涉结构和光束位移分光元件,所述干涉结构用于将激光投射到待测物体上、接收...
林中晞林琦朱振国钟杏丽陈景源薛正群苏辉
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一种半导体激光器的无调制稳频装置
本实用新型涉及一种半导体激光器的无调制稳频装置,包括:半导体激光器、光学鉴频装置、鉴频信号处理单元、激光器综合控制微处理单元以及驱动电路;其中,该激光器根据所述驱动电路提供的驱动电流或驱动电压信号产生激光;光学鉴频装置用...
林中晞林琦苏辉陈景源徐玉兰
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一种太赫兹天线结构及包括该天线结构的辐射源和探测器
本发明属于太赫兹技术领域,具体涉及一种太赫兹天线结构及包括该天线结构的辐射源和探测器。本发明通过将常规太赫兹天线结构的半导体衬底厚度从几百微米减小到几微米,以及把高介电常数的硅透镜替换成低介电常数的透镜,提高了金属天线的...
陈景源林中晞林琦徐玉兰苏辉钟杏丽朱振国薛正群
一种太赫兹光电导相控阵天线系统
本发明涉及一种太赫兹光电导相控阵天线系统,包括激光源、光纤耦合器、光延时控制器和太赫兹光电导阵列天线;其中,所述光纤耦合器将激光源产生的泵浦光耦合到光纤中;所述光延时控制器控制光纤耦合器输出的泵浦光的延时时间,产生N束具...
陈景源林中晞徐玉兰林琦苏辉
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一种具有梳状电流分布的半导体激光器
本实用新型涉及一种具有梳状电流分布的半导体激光器,包括衬底、金属接触层和欧姆接触层,所述衬底、金属接触层和欧姆接触层之一采用电阻梳状分布结构,或者所述衬底与金属接触层采用电阻梳状分布结构,或者所述衬底与欧姆接触层采用电阻...
林琦林中晞陈景源陈阳华苏辉薛正群王凌华林乐
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一种激光二极管与背光探测器集成的制备方法及集成芯片
本公开涉及一种二极管激光器与背光探测器集成的方法,该方法包括:形成脊的步骤,形成隔离区的步骤,SiN填充隔离区的步骤,蒸发P、N型电极的步骤,合金的步骤,镀膜的步骤。本公开还涉及上述制备方法制得二极管激光器与背光探测器(...
丘文夫林琦林中晞王凌华徐玉兰陈景源苏辉
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一种波长可调谐的半导体激光器
本发明涉及一种波长可调谐的半导体激光器,包括:有源层、波导层和分离限制层;其中,波导层位于有源层和分离限制层之间;波导层包括脊波导和微腔,微腔位于脊波导的一侧。本发明提供的波长可调谐的半导体激光器,利用电调制脊波导的饱和...
林中晞林琦徐玉兰陈景源钟杏丽朱振国薛正群苏辉
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一种含侧边吸收区的超辐射发光管
本发明涉及一种含侧边吸收区的超辐射发光管,包括脊波导增益区、侧边吸收区和侧边电隔离区,在超辐射发光管的脊的侧边制备侧边电隔离区和侧边吸收区,侧边电隔离区使脊波导增益区与侧边吸收区形成电隔离。本发明利用侧边吸收区所具有的光...
周东豪林琦林中晞苏辉薛正群陈阳华王凌华訾慧徐玉兰陈景源林乐
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共3页<123>
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