您的位置: 专家智库 > >

刘洁

作品数:1 被引量:0H指数:0
供职机构:北京师范大学分析测试中心更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇离子注入
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇北京师范大学

作者

  • 1篇卢武星
  • 1篇刘洁

传媒

  • 1篇北京师范大学...

年份

  • 1篇1997
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
离子束缺陷工程与离子注入激活率的提高
1997年
研究了运用离子束缺陷工程提高离子注入Si中掺杂激活率的新方法.MeV高能Si注入被有效地用于防止缺陷(损伤)层对P激活的有害影响,大大提高了掺杂杂质的平均激活水平.
卢武星刘洁J.R.Liefting
关键词:掺杂离子注入
共1页<1>
聚类工具0