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李明磊

作品数:17 被引量:2H指数:1
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术电气工程核科学技术更多>>

文献类型

  • 13篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 4篇电气工程
  • 4篇一般工业技术
  • 1篇化学工程

主题

  • 6篇引线
  • 5篇封装
  • 4篇电子封装
  • 4篇电子封装技术
  • 4篇陶瓷封装
  • 4篇陶瓷绝缘子
  • 4篇陶瓷外壳
  • 4篇绝缘
  • 4篇绝缘子
  • 4篇封装技术
  • 4篇瓷绝缘
  • 4篇瓷绝缘子
  • 3篇密封
  • 3篇密封结构
  • 2篇导通
  • 2篇电镀
  • 2篇电镀方法
  • 2篇电极
  • 2篇电阻
  • 2篇端面

机构

  • 16篇中国电子科技...

作者

  • 16篇李明磊
  • 10篇刘林杰
  • 5篇高岭
  • 4篇路聪阁
  • 4篇张志庆
  • 2篇赵祖军
  • 2篇段雪
  • 2篇银军
  • 2篇张志国
  • 2篇黄雒光
  • 2篇任赞
  • 2篇高永辉
  • 2篇洪求龙
  • 2篇梁向阳
  • 1篇蔡道民

传媒

  • 2篇科技创新与应...
  • 1篇中国新技术新...

年份

  • 3篇2023
  • 4篇2022
  • 2篇2021
  • 3篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2016
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种用于微波器件表贴封装的外壳引线及其连接结构
本实用新型涉及微波器件表面贴装技术领域,具体公开了一种用于微波器件表贴封装的外壳引线以及采用该引线的连接结构,引线为扁平带状,上设有弯曲段,呈Ω形,其半径为0.10mm~0.30mm,引线在弯曲段以外为直线段。弯曲段为半...
梁向阳赵祖军李明磊
文献传递
一种引线陶瓷绝缘子密封结构
本实用新型提供了一种引线陶瓷绝缘子密封结构,属于电子封装技术领域,包括陶瓷绝缘子、引线、内密封圈和外密封圈,陶瓷绝缘子封接孔内无金属化层,引线安装于封接孔内,陶瓷绝缘子内端面和外端面均设有金属化层且金属化层与引线连接,内...
张玉刘旭路聪阁张志庆李明磊乔志壮刘林杰
便于电镀的陶瓷封装外壳及电镀方法
本发明提供了一种便于电镀的陶瓷封装外壳及电镀方法,属于陶瓷封装技术领域,包括陶瓷件和设于所述陶瓷件上的金属墙体,所述陶瓷件的底部设有热沉,所述陶瓷件的上表面设有第一电极和第二电极,所述金属墙体、所述热沉、所述第一电极和所...
李明磊刘林杰高岭乔志壮
文献传递
应用于射频BGA外壳的无损测试夹具研发
2022年
文章根据各向异性导电胶膜(ACF)的特性设计一款可应用于射频BGA外壳的无损测试夹具,可同时适用于射频BGA外壳和器件的电性能测试。通过实际的测试对比分析,采用该夹具的测试结果与常规焊接方式的测试结果一致性好,具有测试性能准确、无损的特点,为外壳的电性能测试提供便利。
李明磊乔志壮刘林杰高岭任赞
关键词:各向异性微波测试BGA
基于E-PHEMT技术的宽带、高线性和微型封装放大器研究
2016年
基于Ga As E-PHEMT工艺,采用负反馈和宽带有耗匹配技术,实现宽带、高线性MMIC放大器芯片;基于多层陶瓷工艺,制作密封性好、可靠性高的封装外壳。结合二者,基于多物理场联合设计、仿真和优化,实现宽带、高线性和小型化功率放大器。该放大器频率覆盖DC^3GHz,增益大于14d B,P-1功率大于23.5d Bm;P-1下PAE大于40%,OIP3大于39dbm,噪声小于3.4d B,输入驻波和输出驻波小于1.5(2GHz)。采用恒流镜像偏置,+5V单电源供电,工作电流小于110m A,封装尺寸仅为4.5mm×2.5mm×1.8mm。可广泛应用于通信等领域。
严评蔡道民李明磊
关键词:E-PHEMTMMIC高线性宽带微型封装
一种封装功率金氧半场效晶体管的陶瓷外壳及其制备方法
本发明提供了一种封装功率金氧半场效晶体管的陶瓷外壳及其制备方法,属于陶瓷封装技术领域,包括多层陶瓷板层叠而成的陶瓷件、固接于陶瓷件背面的背面电极、固接于陶瓷件顶面的金属墙体,以及固接于金属墙体顶面的封盖;其中,每层陶瓷板...
李明磊刘林杰高岭乔志壮
文献传递
一种Ka频段0.50 mm节距CQFN陶瓷外壳的实现被引量:2
2023年
该文提出一种可达Ka频段的0.50 mm节距CQFN陶瓷外壳,外壳射频端口采用共面波导形式,射频信号通过侧面空心孔垂直传输。通过仿真优化传输结构达到阻抗匹配,通过优化地孔排布抑制谐振,通过板级联合仿真,优化外壳整体布局结构,最终将外壳应用频率提高到Ka频段。经板级实测,双端口插损在1.5 dB以内,同时该外壳也通过了可靠性验证。因此本外壳具有优异的高频特性和可靠性,可广泛应用于高频封装领域。
王轲乔志壮李明磊周扬帆左汉平王灿
关键词:KA频段陶瓷外壳
功率半导体器件制作方法及功率半导体器件
本发明适用于半导体及微电子技术领域,提供了一种功率半导体器件制作方法及功率半导体器件,包括:对基板双面金属化,其中基板正面形成三个金属化区域,并在所述基板的正面三个金属化区域表面分别粘接热沉片;将所述基板的背面粘接在金属...
段雪洪求龙银军李明磊黄雒光张志国高永辉徐会博
文献传递
便于电镀的陶瓷封装外壳及电镀方法
本发明提供了一种便于电镀的陶瓷封装外壳及电镀方法,属于陶瓷封装技术领域,包括陶瓷件和设于所述陶瓷件上的金属墙体,所述陶瓷件的底部设有热沉,所述陶瓷件的上表面设有第一电极和第二电极,所述金属墙体、所述热沉、所述第一电极和所...
李明磊刘林杰高岭乔志壮
文献传递
功率半导体器件制作方法及功率半导体器件
本发明适用于半导体及微电子技术领域,提供了一种功率半导体器件制作方法及功率半导体器件,包括:对基板双面金属化,其中基板正面形成三个金属化区域,并在所述基板的正面三个金属化区域表面分别粘接热沉片;将所述基板的背面粘接在金属...
段雪洪求龙银军李明磊黄雒光张志国高永辉徐会博
文献传递
共2页<12>
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