张紫辉
- 作品数：88 被引量：6H指数：1
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- 具有场板结构的发光二极管器件及其制备方法
- 本发明为一种具有场板结构的发光二极管器件及其制备方法，该器件主体为沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N‑型半导体传输层、多量子阱层、P‑型电流阻挡层、P‑型半导体传输层、P‑型重掺杂半导体传输层、场板结构层、电流扩展...
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- 一种具备多重发光的单一量子点材料及其制备方法
- 本发明为一种具备多重发光的单一量子点材料及其制备方法。该材料由以量子垒为中心的对称超晶格结构组成，内部垒阱位置为：中心为中心量子垒，两侧均从内到外依次为：第一发光量子阱/第一量子垒/第二发光量子阱/第二量子垒/…/第N发...
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- 具有金属栅结构的Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/AlGaN/GaN日盲紫外探测器及其制备方法
- 本发明为一种具有金属栅结构的Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/AlGaN/GaN日盲紫外探测器及其制备方法。所述的探测器结构为以下两种：第一种，由下至上依次包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层；势垒层中...
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- 一种具有载流子传输层的Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/GaN日盲紫外探测器及其制备方法
- 本发明为一种具有载流子传输层的Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/GaN日盲紫外探测器及其制备方法。该探测器的结构为以下两种：第一种，由下至上依次包括衬底、缓冲层、传输层，传输层的中部为吸收层，两侧分...
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- 一种深紫外半导体发光二极管及其制备方法
- 本发明一种深紫外半导体发光二极管及其制备方法，涉及半导体器件,该发光二极管有同侧倒装和垂直倒装两种结构，都是通过光刻和刻蚀技术在其外延片的p型空穴传导层的表面一侧形成倾斜侧壁的微纳结构阵列，在倾斜侧壁的微纳结构阵列的顶部...
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- 一种具有光散射结构和ODR的发光二极管及其制备方法
- 本发明为一种具有光散射结构和ODR的发光二极管及其制备方法。该二极管通过在全反射镜和半导体中插入一层较厚的低折射率材料，从而使大角度的入射光通过全内反射而非金属反射，且通过散射结构的进一步散射后逃逸出LED。本发明可以减...
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- 具有电子能量调节层的发光二极管外延结构
- 本发明具有电子能量调节层的发光二极管外延结构，涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，从上至下顺序包括衬底、缓冲层、第一N型半导体材料、电子能量调节层、第二N型半导体材料层、多量子阱层、P型电...
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- 具有空穴能量调节层的发光二极管外延结构
- 本发明具有空穴能量调节层的发光二极管外延结构，涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，该结构在LED外延结构的P型半导体材料传输层中插入一层低势垒的P型半导体材料空穴能量调节层，其材质为Al<...
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- 一种边缘无pGaN的深紫外半导体发光二极管及其制备方法
- 本发明为一种边缘无pGaN的深紫外半导体发光二极管及其制备方法。该器件有以下两种结构，第一种，由从下至上依次为衬底、成核层、非掺杂氮化铝层、n型铝镓氮层；部分n型铝镓氮层上依次为有源层、电子阻挡层、p型铝镓氮层、p型氮化...
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- AlGaN基深紫外微型发光二极管的研究进展(特邀)
- 2023年
- 随着AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED)的发展,其不仅在杀菌消毒领域得到广泛应用,在日盲紫外光通信领域的应用也受到越来越多的关注。这主要是由于相比其他的紫外光源(如汞灯、激光),其具有功耗低、设计灵活且调制带宽高的优势。而DUV LED的带宽严重依赖于器件尺寸,器件尺寸越小,其带宽越高。但是,随着深紫外微型发光二极管(μLED)的尺寸减少,尽管其带宽得到提高,但是其光功率却急剧下降,这严重限制了深紫外μLED在光通信中的应用。文中主要总结了深紫外μLED作为日盲紫外光通信光源的研究现状和综合分析尺寸效应引起器件性能的变化及其机理;并分析出低的光提取效率和严重的自热效应是影响深紫外μLED光功率的两个主要因素。进而综述了各种提高深紫外μLED光提取效率和改善热学特性的方法。文中将为从事深紫外μLED研究的工作者提供一定的研究方向指导。
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- 关键词：ALGAN调制带宽光提取效率
