李路平
- 作品数：6 被引量：1H指数：1
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- 具有超晶格隧穿结的发光二极管外延结构及其制备方法
- 本发明涉及具有超晶格隧穿结的发光二极管外延结构及其制备方法，其特征在于该外延结构沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N‑型半导体材料层、多量子阱层、P‑型电子阻挡层、P‑型掺杂半导体材料传输层、P‑型重掺杂半导体材料传...
- 田康凯楚春双方梦倩李路平张勇辉张紫辉
- 文献传递
- GaN/In_xGa_(1-x)N型最后一个量子势垒对发光二极管内量子效率的影响被引量：1
- 2017年
- GaN/In_xGa_(1-x)N型最后一个量子势垒结构能有效提高发光二极管(LED)器件内量子效率,缓解LED效率随输入电流增大而衰减的问题.本文综述了该结构及其结构变化——In组分梯度递增以及渐变、GaN/In_xGa_(1-x)N界面极化率改变等对改善LED器件性能的影响及优势,归纳总结了不同结构的GaN/In_xGa_(1-x)N型最后一个量子垒的工作机理,阐明极化反转是该结构提高LED性能的根本原因.在综述该结构发展的基础之上,通过APSYS仿真计算,进一步探索和深入分析了该结构中In_xGa_(1-x)N层的In组分及其厚度变化对LED内量子效率的影响.结果表明:In组分的增加有助于在GaN/In_xGa_(1-x)N界面产生更多的极化负电荷,增加GaN以及电子阻挡层处导带势垒高度,减少电子泄漏,从而提高LED的内量子效率;但GaN/In_xGa_(1-x)N型最后一个量子势垒中In_xGa_(1-x)N及GaN层厚度的变化由于会同时引起势垒高度和隧穿效应的改变,因而In_xGa_(1-x)N和GaN层的厚度存在一个最佳比值以实现最大化的减小漏电子,提高内量子效率.
- 时强李路平张勇辉张紫辉毕文刚
- 关键词：氮化镓发光二极管INGAN/GAN多量子阱内量子效率
- 一种基于h‑BN隧穿结为空穴注入层的发光二极管外延结构
- 本发明涉及一种基于h‑BN隧穿结为空穴注入层的发光二极管外延结构，其特征在于该外延结构包括衬底、n型半导体材料层、多量子阱层、p‑型电子阻挡层、p‑型半导体材料层、p‑型重掺杂半导体材料层、h‑BN层和n‑型重掺杂半导体...
- 李路平田康凯楚春双张勇辉毕文刚张紫辉
- 介电调控空穴注入层对近紫外氮化物发光二极管影响的研究
- 氮化物发光二极管(Light-emitting diodes)是当前非常具有发展前景的固态光源，应用于各个领域，如固态照明、平板显示、交通汽车、消费电子等。然而GaN基LED的内量子效率受到空穴注入等因素的影响。对空穴注...
- 李路平
- 关键词：氮化镓基发光二极管内量子效率
- 文献传递
- 一种基于h-BN隧穿结为空穴注入层的发光二极管外延结构
- 本发明涉及一种基于h‑BN隧穿结为空穴注入层的发光二极管外延结构，其特征在于该外延结构包括衬底、n型半导体材料层、多量子阱层、p‑型电子阻挡层、p‑型半导体材料层、p‑型重掺杂半导体材料层、h‑BN层和n‑型重掺杂半导体...
- 李路平田康凯楚春双张勇辉毕文刚张紫辉
- 文献传递
- 具有超晶格隧穿结的发光二极管外延结构及其制备方法
- 本发明涉及具有超晶格隧穿结的发光二极管外延结构及其制备方法，其特征在于该外延结构沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N‑型半导体材料层、多量子阱层、P‑型电子阻挡层、P‑型掺杂半导体材料传输层、P‑型重掺杂半导体材料传...
- 田康凯楚春双方梦倩李路平张勇辉张紫辉
