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主题

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机构

  • 6篇重庆邮电大学

作者

  • 6篇蔡文琪
  • 5篇王巍
  • 5篇袁军
  • 3篇赵辰
  • 3篇梁耀
  • 2篇王冠宇
  • 2篇杨正琳
  • 2篇王明耀
  • 2篇胡凤

传媒

  • 2篇微电子学
  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
应用于TD-LTE的SiGe BiCMOS功率放大器研究
近年来,第四代移动通信系统(4G)作为最新一代的无线通信系统得到迅速发展。其中,作为准4G的LTE,分为TDD-LTE和FDD-LTE两种制式,目前国内三家运营商都已经拿到了TD-LTE制式的4G牌照。为了提高频谱利用率...
蔡文琪
关键词:TD-LTE
文献传递
WiMAX/LTE射频收发机中低功耗VCO的设计被引量:2
2015年
采用互补型交差耦合结构,设计了一个可工作于WiMAX(IEEE 802.16e,2.469~2.69GHz)和LTE(2 496~2 690 MHz)无线射频收发机的压控振荡器(VCO)。采用TSMC 0.18μm CMOS工艺对VCO电路进行设计及仿真。仿真结果表明,在1.2V电源电压下,压控振荡器的功耗为1.44mW,振荡频率变化范围为2.43~2.69GHz,可调范围约为10.15%,相位噪声为-120.4dBc/Hz@1 MHz,FOM为-186.9,满足WIMAX/LTE无线通信系统的要求。
王巍梁耀赵辰蔡文琪莫啸袁军王冠宇
关键词:压控振荡器
一种宽带高效包络跟踪放大器的设计
2016年
为了高效处理宽带非恒包络信号,利用宽带包络信号功率主要集中在低频部分的特性,结合线性放大器和开关类放大器的优势,设计了一个宽带包络跟踪放大器。该放大器由一个宽带线性级和一个受线性级控制的高效开关级组成。线性级采用折叠式共源共栅放大器结构,具有AB类输出级及输出级缓冲;开关级采用同步降压型DC-DC变换器结构,包含驱动电路及"防直通"模块。整个电路采用Jazz 0.18μm BiCMOS工艺进行设计仿真,结果表明,在3.3V电源电压下,线性级单位增益带宽约为50MHz,可驱动300mA电流,具有188V/μs的摆率,包络跟踪放大器可跟踪包络信号幅度和带宽的瞬时变化,改变开关导通比以及开关频率。
王巍莫啸蔡文琪胡凤王明耀王冠宇袁军杨正琳
消除宽带CMOS LNA电路噪声的装置和方法
本发明公开一种宽带CMOS LNA电路的噪声消除装置和方法,该装置包括一个输入级电路和两个放大器,第一放大器检测到出现在LNA输入端的噪声电压A,第一放大器将噪声电压A转化成噪声电流,输出到第二放大器的输出端,第二放大器...
王巍梁耀赵辰蔡文琪袁军
文献传递
消除宽带CMOS LNA电路噪声的装置和方法
本发明公开一种宽带CMOSLNA电路的噪声消除装置和方法,该装置包括一个输入级电路和两个放大器,第一放大器检测到出现在LNA输入端的噪声电压A,第一放大器将噪声电压A转化成噪声电流,输出到第二放大器的输出端,第二放大器检...
王巍梁耀赵辰蔡文琪袁军
应用于4G的两级BiCMOS射频功率放大器设计被引量:1
2016年
设计一个基于SiGe BiCMOS工艺的共源共栅结构的两级功率放大器.第一级采用差分共源放大器,将输入匹配送来的信号进行预放大,同时抑制噪声.第二级主功放采用BiFET共源共栅结构,以提高线性度.基于JAZZ0.18μm SiGe BiCMOS工艺库,采用Cadence Spectre RF对功率放大器进行仿真.实验结果表明,在3.3V电源电压下,最高功率增益达到32dB,输出1dB压缩点处功率为29dBm,有较好地线性度,在2.3~2.7GHz频段内S11和S22均小于-10dB,匹配良好.最大功率附加效率为22.1%,可用于WIMAX无线通信的2.3~2.7GHz频段.
王巍蔡文琪莫啸胡凤王明耀杨正琳袁军
关键词:射频功率放大器SIGE
共1页<1>
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