王立伟
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- InGaN紫外探测器的制备与性能研究被引量：5
- 2014年
- 介绍了InGaN紫外探测器的研制过程,并给出了器件的性能。利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法生长GaN外延材料,通过刻蚀、钝化、欧姆接触电极等工艺,制作了正照射单元In0.09Ga0.91N紫外探测芯片。并对该芯片进行了I-V特性、响应光谱等测试,得到芯片的暗电流Id为1.00×10-12 A,零偏压电阻R0为1.20×109Ω。该紫外探测器在360～390nm范围内有较高的响应度,峰值响应率在378nm波长处达到0.15A/W,在考虑表面反射时,内量子效率达到60%;优质因子R0A为3.4×106Ω·cm2,对应的探测率D＊=2.18×1012 cm·Hz1/2·W-1。
- 卢怡丹王立伟张燕李向阳
- 关键词：P-I-N紫外探测器伏安特性响应光谱
- 一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器及制备方法
- 本发明公开一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器及制备方法，所述的双层钝化膜为利用光刻技术保留在器件表面和台面侧面的上、下两层的双层Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>薄膜，其制备工艺为：在AlGa...
- 刘秀娟张燕李向阳王立伟卢怡丹常超
- 文献传递
- AlGaN基p-i-n光电探测器负响应现象研究
- 2014年
- 对AlGaN基p-i-n光电探测器的负光电响应特性进行研究,从实验上证实了器件中p型接触电极的肖特基特性是导致该现象的主导因素.不同偏压下的响应光谱表明,这些AlGaN光伏器件中存在较为明显的光导响应特性.光照和暗背景条件下的C-f曲线验证了器件中的持续光电导特性,而高铝组分铝镓氮材料内存在的大量缺陷被认为是该现象的起因.系统地研究了AlGaN基p-i-n光电探测器存在的负响应现象及其微观机理,为铝镓氮基日盲器件光电性能的优化提供了重要参考依据.
- 刘福浩许金通刘飞王立伟张燕李向阳
- 关键词：光电探测器持续光电导
- 一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器
- 本实用新型公开一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器，器件结构为：在蓝宝石衬底上依次为AlN缓冲层、n型AlGaN层、i型AlGaN层、p型AlGaN层、下层Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>钝化...
- 刘秀娟张燕李向阳王立伟卢怡丹常超
- 文献传递
- 一种单片集成式红外微透镜线列的制备方法
- 本发明公开了一种单片集成式红外微透镜线列的制备方法，该方法工艺上采用光刻套刻结合ICP干法刻蚀的手段，然后采用化学湿法腐蚀制备出曲率半径均匀的微透镜线列。本方法为优化单片集成红外微透镜列阵的聚光能力提供了依据，对于提高器...
- 徐鹏霄乔辉张可锋李向阳王仍刘诗嘉徐斌刘秀娟卢怡丹王立伟常超
- 文献传递
