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胡立峰

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 2篇带隙
  • 2篇氮化镓
  • 2篇导体
  • 2篇电极
  • 2篇电子器件
  • 2篇多孔
  • 2篇多孔结构
  • 2篇形貌
  • 2篇形貌结构
  • 2篇有机半导体
  • 2篇有机半导体材...
  • 2篇有机层
  • 2篇探测器
  • 2篇紫外光探测器
  • 2篇孔结构
  • 2篇宽带隙
  • 2篇宽带隙半导体
  • 2篇宽带隙半导体...
  • 2篇光探测
  • 2篇光探测器

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇潘革波
  • 4篇邓凤祥
  • 4篇赵宇
  • 4篇胡立峰
  • 2篇肖燕

年份

  • 2篇2017
  • 2篇2015
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
III–V族纳米结构及其制作方法
本申请公开了一种III‑V族纳米结构，包括III‑V族基底以及形成于所述III‑V族基底上的多孔结构，所述每个孔包括上下相通的多个六方体空间。本申请还公开了一种III‑V族纳米结构的制备方法。本发明合成的III‑V族三维...
潘革波邓凤祥胡立峰赵宇
文献传递
一种有机/GaN异质p-n结紫外光探测器及其制备方法
本发明公开了一种有机/氮化镓异质p-n结紫外光探测器及其制备方法。该探测器包括主要由沿设定方向层叠设置的GaN层和有机层形成的有机/GaN异质p-n结，其中，所述GaN层和有机层上还分别连接有第一电极和第二电极；其制备方...
潘革波胡立峰邓凤祥赵宇肖燕
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一种有机/GaN异质p‑n结紫外光探测器及其制备方法
本发明公开了一种有机/氮化镓异质p‑n结紫外光探测器及其制备方法。该探测器包括主要由沿设定方向层叠设置的GaN层和有机层形成的有机/GaN异质p‑n结，其中，所述GaN层和有机层上还分别连接有第一电极和第二电极；其制备方...
潘革波胡立峰邓凤祥赵宇肖燕
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III–V族纳米结构及其制作方法
本申请公开了一种III-V族纳米结构，包括III-V族基底以及形成于所述III-V族基底上的多孔结构，所述每个孔包括上下相通的多个六方体空间。本申请还公开了一种III-V族纳米结构的制备方法。本发明合成的III-V族三维...
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