周朝旭
- 作品数：9 被引量：4H指数：1
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- 相关领域：电子电信环境科学与工程更多>>
- 一种实现蓝宝石衬底重复利用的垂直LED芯片制备方法
- 本发明为一种实现蓝宝石衬底重复利用的垂直LED芯片制备方法，该方法通过在单抛面蓝宝石衬底上制备出带线条状沟槽的牺牲层，在显露蓝宝石衬底的沟槽底部生长GaN缓冲层，并以沟槽内缓冲层为基础在牺牲层表面横向生长未掺杂的GaN层...
- 周朝旭张保国潘柏臣
- LED制备中剥离技术的研究进展被引量：1
- 2016年
- 随着LED芯片功率的增加,结温升高导致传统LED芯片的可靠性和使用寿命明显下降。介绍了LED芯片的研究背景,指出散热问题是制约LED芯片发展的重要因素,因此研发可靠性高的散热技术已成为制备新型LED芯片的重要研究方向。详细论述了三种剥离技术在制备新型LED芯片中所起的重要作用及目前的技术水平。激光剥离技术剥离速度快、发展相对成熟;化学剥离技术对GaN薄膜损伤小、良率高、但剥离速度慢;机械剥离技术良率低,在LED领域应用较少。从工业化生产的角度指出了剥离技术未来的发展方向。
- 周朝旭罗超张保国王静辉甄珍珍李晓波潘柏臣
- 关键词：LED散热可靠性使用寿命
- 蓝宝石晶体抛光废液的处理方法
- 本发明蓝宝石晶体抛光废液的处理方法,涉及废水的处理，步骤是：设置电化学处理装置，主要包括一个化学处理槽、阳极、阴极和直流电源；调节蓝宝石晶体抛光废液的初始pH值为6～12；电化学处理，控制直流电源电压在10～40V范围内...
- 张保国潘柏臣赵帅王如周朝旭
- 蓝宝石晶体抛光废液的处理方法
- 本发明蓝宝石晶体抛光废液的处理方法,涉及废水的处理，步骤是：设置电化学处理装置，主要包括一个化学处理槽、阳极、阴极和直流电源；调节蓝宝石晶体抛光废液的初始pH值为6～12；电化学处理，控制直流电源电压在10～40V范围内...
- 张保国潘柏臣赵帅王如周朝旭
- 文献传递
- LED倒装芯片Ni/Ag/Au结构反射层的退火工艺被引量：2
- 2016年
- 针对LED倒装芯片中p-GaN与Ni/Ag/Au金属反射层之间的接触进行了研究,找到最优工艺条件。以光学反射率(455 nm波长)、比接触电阻率(SCR)、样品表面均方根粗糙度(RMS)和倒装芯片电参数测试结果为依据,找出Ni/Ag/Au金属反射层在N2环境下的最优退火条件。在不同N2流速、退火时间、退火温度下退火的Ni/Ag/Au金属反射层应用于254μm×559μm的GaN基发光二极管,来减小Ni/Ag/Au金属反射层与p-GaN比接触电阻率,降低LED工作电压及提高光学反射率、增强LED的发光亮度。并分析其在60 mA工作电流下正向电压和光输出功率的变化,在最优条件下制得的LED在直流电流60 mA下的正向平均电压为3.27 V,平均光输出功率为88.9 mW。
- 周朝旭张保国王静辉甄珍珍李晓波潘柏臣
- 关键词：氮化镓发光二极管(LED)欧姆接触倒装芯片
- 一种垂直紫外LED芯片
- 本实用新型一种垂直紫外LED芯片，涉及至少有一个电位跃变势垒的专门适用于光发射的半导体器件，包括N型外延层、多量子阱、P型外延层、Ni/Ag金属电流扩展层、DBR层、P电极塞、键合金属Cr层a、键合金属Au层a、键合金属...
- 周朝旭张保国甄珍珍李晓波
- 文献传递
- 倒装LED芯片的制备及反射层研究
- 随着全球经济的不断发展,能源需求日益增多,节能减排也受到前所未有的关注。自白光LED问世以来,因其能耗低、亮度高等优点而成为各国关注的焦点。倒装LED芯片由于其散热性好、使用寿命长等优点而逐渐成为人们研究的热点。但是,目...
- 周朝旭
- 关键词：LED倒装退火SCR正交实验
- 文献传递
- 一种实现蓝宝石衬底重复利用的垂直LED芯片制备方法
- 本发明为一种实现蓝宝石衬底重复利用的垂直LED芯片制备方法，该方法通过在单抛面蓝宝石衬底上制备出带线条状沟槽的牺牲层，在显露蓝宝石衬底的沟槽底部生长GaN缓冲层，并以沟槽内缓冲层为基础在牺牲层表面横向生长未掺杂的GaN层...
- 周朝旭张保国潘柏臣
- 文献传递
- 用于最新技术节点Ge和SiGe的CMP技术研究进展被引量：1
- 2016年
- 对锗和锗化硅材料应用及发展前景进行了简单介绍。主要论述了在14 nm技术节点以下应用于pMOS晶体管沟道材料的锗的化学机械抛光(CMP)技术的发展现状,如抛光液组分的优化以及工艺参数的革新,经过CMP后,Ge的表面粗糙度可以有效降低到0.175 nm(10μm×10μm)。此外对在最新技术节点应用于CMOS以及缓冲层的SiGe材料的CMP技术发展现状进行了总结分析,通过浅沟道隔离技术以及使用优化后的抛光液对Si_(0.5)Ge_(0.5)沟道材料进行化学机械抛光处理后的表面粗糙度为0.09 nm(1μm×1μm)。最后,对目前国内外Ge和SiGe的CMP技术发展现状进行了总结,指出当前CMP技术存在的问题并对其未来发展方向进行了展望。
- 潘柏臣张保国赵帅周朝旭
- 关键词：锗锗化硅
