目的研究葛根素纳米晶的制剂处方、制备工艺及其对粒径的影响,并对葛根素纳米晶进行表征。方法采用高压均质法制备葛根素纳米晶,以粒径为指标,考察稳定剂、药辅比、投料量、制备温度等参数对纳米晶制备的影响。在此基础上,考察干燥工艺对葛根素纳米晶固化的影响。采用扫描电镜(SEM)及透射电镜(TEM)进行葛根素及纳米结晶形态学的观察。结果采用聚维酮K30作为稳定剂、药辅比为1∶2、制备温度43℃以上时,可制得粒径为20~50 nm的葛根素纳米晶。投药量对纳米晶粒径没有显著性影响,投药量为10%(w/v)时,采用700 bar 5次的高压均质条件即可制得所需的纳米晶。冷冻干燥可以用于纳米晶的干燥。将葛根素制成纳米结晶之后,其外观由不规则状态变为圆整的球形。结论所确定的葛根素纳米晶制剂处方与制备工艺条件可行,可有效地制备100 nm以下的葛根素纳米晶。
