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何刚

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇等离子体增强
  • 1篇等离子体增强...
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇PECVD
  • 1篇氩
  • 1篇FTIR

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇赵润
  • 1篇李庆伟
  • 1篇何刚
  • 1篇高鹏飞
  • 1篇刘浩

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2016
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
氩稀释无氨氮化硅薄膜的制备被引量：3
2016年
氮化硅(SiNx)薄膜是一种广泛应用于半导体光电器件的介质膜,其性质的优劣直接影响器件的性能。使用SiH4与NH3作为反应气体制备出的氮化硅薄膜含有大量氢,应用于某些光电器件时,会导致器件工作时光电特性不稳定。针对此问题研发了一种使用SiH4与N2作为反应气体,Ar作为稀释气体的工艺方法,即无氨工艺。使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,通过研究各工艺参数对薄膜性能的影响,制备出了一种含氢量低的氮化硅薄膜。通过傅里叶变换红外吸收谱(FTIR)测试了无氨工艺制备的氮化硅薄膜的含氢量,和使用SiH4与NH3作为反应气体制备出的氮化硅薄膜相比含氢量明显降低。
赵润高鹏飞刘浩李庆伟何刚
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