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李静思

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院电子陶瓷与器件教育部重点实验室更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇氮化镓
  • 1篇助熔剂
  • 1篇助熔剂法
  • 1篇NA

机构

  • 1篇西安交通大学

作者

  • 1篇周明斌
  • 1篇李振荣
  • 1篇徐卓
  • 1篇李静思
  • 1篇吴熙

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Na助熔剂法生长氮化镓晶体的研究进展被引量：1
2013年
以高质量GaN单晶基片作为衬底实现GaN的同质外延生长,是获得GaN半导体器件优异性能的基础。高质量GaN单晶基片的缺乏已成为国际范围制约GaN器件发展的瓶颈。在GaN体单晶的几种生长方法中,由于Na助熔剂法的生长条件相对温和且成本相对较低,近年来发展较快。本文从Na助熔剂法的原理、生长工艺、助熔剂种类以及得到晶体尺寸和质量等几方面进行了综述,分析了目前Na助熔剂法生长GaN单晶中的技术问题并提出了进一步研究的一些建议。
周明斌李振荣李静思吴熙范世马■徐卓
关键词：氮化镓
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