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赵建林
作品数:
1
被引量:1
H指数:1
供职机构:
西北工业大学
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发文基金:
西北工业大学基础研究基金
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
张安
西北工业大学
白晓军
西北工业大学
段利兵
西北工业大学
赵小如
西北工业大学
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西北工业大学
作者
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赵小如
1篇
段利兵
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白晓军
1篇
张安
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赵建林
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半导体技术
年份
1篇
2011
共
1
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基于表面势的非晶IGZO薄膜晶体管分析模型
被引量:1
2011年
报道了一种适于模拟n沟道非晶IGZO薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的直流I-V特性的分析模型。该模型充分考虑了深能级类受主态对自由电子的捕获,并将表面势的概念引入a-IGZO TFT结构。在分析器件能带结构和载流子输运的基础上,参考Si基MOSFET中表面势模型的分析方法,利用半导体-绝缘体界面电荷的泊松方程表达,并结合能带-电压关系,导出了器件饱和区和非饱和区的I-V解析表达式。通过Matlab编程模拟了a-IGZOTFT的转移特征曲线和输出特征曲线,对文献中实验数据进行拟合发现,提出的模型与实验数据均能很好地吻合。该模型结构简明,所包含的参数物理意义明确,有很强的实用性。
张安
赵小如
段利兵
赵建林
白晓军
关键词:
薄膜晶体管
表面势
态密度
解析模型
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