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贾洁

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇欧姆接触
  • 1篇PHEMT
  • 1篇GAAS

机构

  • 1篇南京电子器件...

作者

  • 1篇黄念宁
  • 1篇耿涛
  • 1篇郑华
  • 1篇贾洁

传媒

  • 1篇电子与封装

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
PHEMT欧姆接触的双源共蒸技术被引量：1
2007年
近年来,砷化镓器件的发展极为迅速。其中,欧姆接触的制作是器件研制的关键工艺之一。为了提高GaAsPHEMT器件欧姆接触的性能和可靠性水平,文章比较了三种常见的GaAsPHEMT器件欧姆接触制备技术的差异,分别是:分层蒸发、溅射+蒸发、双源共蒸。通过传输线模型(TLM)法测试数据以及微细形貌分析,得出双源共蒸工艺制备的欧姆接触的电阻率和均匀性综合特性最佳,因此认为双源共蒸技术在大尺寸GaAsPHEMT圆片工艺中具有最优的综合特性。
贾洁郑华耿涛黄念宁
关键词：GAASPHEMT欧姆接触
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